法國SOT-MRAM芯片初創公司再獲投資，被應用材料公司和ARM看好

半導體存儲器領域中，隨著晶體管小型化，待機功率增加，使用自旋電子技術的非易失性存儲器越來越吃香。其中，根據磁體的方向顯示不同電阻值并由此記錄0和1的狀態的磁隧道結元件（MTJ）應用正在不斷發展，而STT-MRAM則是代表之一。但是STT-MRAM無法處理納秒級至亞納秒級的運算，并且無法替換用于CPU緩存的SRAM。因此 SOT作為彌補STT-MRAM缺點的技術逐漸發展起來。

Antaios SA(法國格勒諾布爾)，一家2017年成立的致力于自旋軌道矩(SOT)MRAM的初創公司獲得了1100萬美元的資金。這家自旋軌道矩(SOT)MRAM初創公司的資金由法國風險投資公司Innovacom和Sofimac Innovation，以及Applied Ventures LLC ，芯片制造設備供應商應用材料Applied Materials Inc.的風險投資部門領投。

其他融資還來自Bpifrance（法國公共投資銀行）和其他銀行合作伙伴。應用材料公司和ARM有限公司是MRAM技術發展的重要支持者，他們還向Spin Memory Inc.（加州弗里蒙特）投資了大量資金。

SOT-MRAM代表了自旋扭矩轉移（STT）MRAM之外的進一步發展。它蘊含著成為人們期待已久的通用嵌入式非易失性存儲器所需的特殊耐力循環的可能性。MRAM等基于邏輯的嵌入式存儲器技術的持續發展，有望為物聯網和邊緣AI設備提供低功耗、高性能和高耐久性。通過同時實現高運行速度和無限的讀寫耐久性，SOT有可能取代微控制器、微處理器和系統級芯片設計中的嵌入式非易失性存儲器和SRAM緩存。

如果SOT-MRAM可以用來取代SRAM在寄存器、倒裝片、刮片存儲器中非常接近邏輯電路并在邏輯電路中使用，將對處理器的設計運行方式產生重大影響。與SRAM存儲器單元相比，MRAM已經具有非波動性和密度的優勢，SRAM通常使用6個晶體管來實現，但它需要表現出優異的耐力循環，才能適用于邏輯電路。