意法半導體8英寸碳化硅晶圓片突破，SiC晶圓升級200mm

半導體大廠意法半導體今天宣布，位于瑞典的北雪平工廠，已經成功制造出首批200mm(8英寸)的碳化硅(SiC)晶圓，將用于生產下一代電力電子芯片的產品原型。

意法半導體表示，這標志著該公司面向汽車、工業客戶的擴產計劃取得重要的階段性成功，鞏固了在這一開創性技術領域的領導地位，提高了電力電子芯片的輕量化和能效，降低客戶獲取這些產品的總擁有成本。

碳化硅是一種化合物半導體材料，與硅材料相比，本征特性可提供更高的性能、能效，適合電動汽車、工業制造過程等重要的高增長電力應用領域。

意法半導體在碳化硅晶圓的研發上已經投入了25年之久，擁有70多項專利，2019年還收購了Norstel，并改名為意法半導體碳化硅公司，獲得了碳化硅硅錠生長技術開發方面的深厚積累和沉淀。

意法半導體表示，首批200mm碳化硅晶圓質量上乘，影響芯片良率、晶體位錯的缺陷非常少。

對比150mm晶圓，200mm晶圓可增加產能，可用面積擴大幾乎一倍，合格芯片產量則增加80-90％。

新晶圓可以實現更高效的電能轉換，更小、更輕量化的設計，節省系統設計總體成本，而這些都是決定汽車和工業系統成功的關鍵參數和因素。

新的碳化硅晶圓是在意大利卡塔尼亞、新加坡宏茂橋兩家150mm晶圓廠完成前工序制造的，而后工序制造在中國深圳、摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。

責編：editorAlice