12月21日，長電科技在投資者互動平臺表示，“公司已經實現4nm工藝制程手機芯片的封裝。我們在芯片和封裝設計方面與客戶展開合作，提供滿足客戶對性能、質量、周期和成本要求的產品。”
據透露，長電科技全面晶圓級技術平臺為客戶提供豐富多樣的選擇，幫助客戶將2.5D 和 3D 等各類先進封裝集成到智能手機和平板電腦等高級移動設備中，幫助不同客戶實現更高的集成度、模塊的功能和更小的尺寸的封裝技術要求。
在提升散熱性能的技術方案中，長電科技和業界客戶一起提倡芯片、封裝及系統協同設計以實現成本和性能的共同最優化。在成品制造技術上，其將芯片背面金屬化技術應用到先進封裝中可以顯著提升系統導熱性。長電科技開發的背面金屬化技術不僅可以改善封裝散熱，同時能夠根據設計需要增強封裝的電磁屏蔽能力。公司已將芯片背面金屬化技術及其制造工藝應用到大批量量產產線中去。
此外，在11月11日，紀念“長電科技50周年”活動中，電科技董事、首席執行長鄭力談及半導體市場傳導的“寒意”時表示，集成電路是典型的周期性變化產業。今年消費電子市場下行帶來一系列問題的背后，也相應促進了供應鏈的調整，交貨時間更快、供應鏈成本可控。從更長周期來看，集成電路產業越來越受到重視，尤其是封裝測試環節，它將在產業發展中帶來更多的創新、更多的價值，未來前景依然廣闊。
據悉，近年來長電科技堅持國際國內“雙循環”布局，不斷優化產品結構和業務比重，靈活調整訂單結構和產能布局，抵御周期波動能力不斷增強。
面對長電科技未來走向基礎研究，或是應用創新的“路線之問”時，鄭力指出，長電科技作為以“集成電路后道制造”為核心的企業，是距離應用最近的環節，驅動著企業要充分理解客戶產品，理解應用場景，進而支持客戶協同設計、開發。未來越來越多的集成電路技術創新落在“后道制造”上，對材料科學、基礎科學方面提出了更高要求；尤其是第三代半導體的出現，對技術的要求會有質的變化，這是將來要花大力氣去推動的方向。
來源：集微網
化學機械拋光(CMP)是實現晶圓全局平坦化的關鍵工藝。CMP工藝貫穿硅片制造、集成電路制造與封裝測試環節。拋光液和拋光墊是CMP工藝的核心耗材，占據CMP材料市場80%以上。?鼎龍股份、華海清科為代表的CMP材料與設備企業受到行業重點關注。
靶材是制備功能薄膜的核心原材料，主要用于半導體、面板、光伏等領域，實現導電或阻擋等功能。在半導體幾大材料中，靶材是國產化程度最高的一種。國產鋁、銅、鉬等靶材領域取得突破，主要上市公司有江豐電子、有研新材、阿石創、隆華科技等。
未來三年將是中國半導體制造產業高速發展期，中芯國際、華虹宏力、長江存儲、長鑫存儲、士蘭微等企業加速擴產，格科微、鼎泰匠芯、華潤微等企業布局的12英寸晶圓生產線也將陸續投產，這將帶來巨大的CMP材料與靶材需求。
新形勢下，國內晶圓廠供應鏈安全越發重要，培養穩定的本土材料供應商勢在必行，這也將給國內供應商帶來巨大的機遇。靶材的成功經驗，也將給其他材料的國產化發展提供借鑒。
半導體CMP材料與靶材研討會2022由亞化咨詢主辦，多家國內外龍頭企業重點參與。
會議主題
1.中國CMP材料與靶材政策與市場趨勢
2.美國制裁對國內半導體材料供應鏈的影響
3.CMP材料與靶材市場與重點企業分析
4.半導體CMP拋光研磨液
5.CMP拋光墊與清洗液
6.CMP拋光設備進展
7.半導體靶材市場供需
8.半導體靶材重點企業動向
9.CMP與靶材技術進展
10.靶材國產化經驗及借鑒
第3屆第三代半導體論壇由亞化咨詢主辦，多家國內外龍頭企業參會，重點關注碳化硅、氮化鎵上下游產業鏈；最新襯底、外延、器件加工工藝和生產技術；展望氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅等寬禁帶半導體前沿技術研究深度進展。并將參觀國內第三代半導體材料與設備產業園區和重點企業。
會議主題
1.?美國芯片禁令對中國第三代半導體發展的影響
2.?全球與中國第三代半導體市場及產業發展現狀
3.?晶圓產能供需與第三代半導體市場機遇
4.?6吋SiC項目投資與市場需求展望
5.?SiC PVT長晶技術&液相法的現狀及發展
6.?8吋SiC國產化進程和技術突破
7.?SiC市場以及技術發展難題&解決方案
8.?GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應用
9.?GaN在快充市場中的發展及替代情況
10.?GaN激光器件技術和市場應用
11.?國產化與技術及設備發展機遇與挑戰
12.?其他第三代半導體發展前景
13.?工業參觀與考察（重點企業或園區）
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