在這個數字化時代，電子行業(yè)一直在不斷發(fā)展和創(chuàng)新，而氮化鎵器件也在行業(yè)中將露頭角，發(fā)揮著越來越重要的作用。
氮化鎵 (GaN) 是一款寬帶隙半導體，與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 相比，它可以實現更高的功率密度和效率。GaN 能夠比純硅解決方案更有效地進行電量處理，將功率轉換器的功率損耗降低 80%，并更大限度地減少對添加冷卻器件的需求。通過將更多的電量存儲在更小的空間內，GaN 可以設計更小更輕的系統(tǒng)。
Power Integrations將于9月22號14:00進行直播，本次直播可以了解到Power Integrations高層是如何看待氮化鎵的發(fā)展的。
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本次直播中Power Integrations的各高層會深入討論PI氮化鎵器件的技術細節(jié)、市場趨勢和未來機會。不要錯過這個機會，了解電子行業(yè)的未來，一起探索氮化鎵器件的潛力！
