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NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來的存儲技術(shù),改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。
圖:NAND=NOT AND(與非門),?NOR=NOT OR(或非門)
兩者都是非易失性存儲器,可以在斷電后保持存儲的數(shù)據(jù)。
兩者在寫之前都要先擦除,擦除是將所有位變?yōu)?,而寫操作只能使1變成0
NOR Flash和NAND Flash各有其優(yōu)勢和應(yīng)用場景,設(shè)計(jì)者可以根據(jù)產(chǎn)品需求來進(jìn)行選擇,兩者的主要不同點(diǎn)如下:NOR Flash帶有通用的SRAM接口,可以輕松地掛接在CPU的地址、數(shù)據(jù)總線上,對CPU的接口要求低。
NAND Flash使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)。
NAND Flash的生產(chǎn)過程更簡單,容量更大,價格更低。NAND Flash中的壞塊是隨機(jī)分布的,需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。NAND Flash中每個塊的最大擦寫次數(shù)是十萬次。Nor Flash的擦寫次數(shù)是一百萬次。NOR Flash的讀速度比NAND Flash快。
NAND Flash的寫入和擦除速度比NOR Flash快很多。總的來說,NOR 的優(yōu)勢在于隨機(jī)讀取與擦寫壽命,因此適合用來存儲代碼和關(guān)鍵數(shù)據(jù);NAND 的優(yōu)勢在于單位比特成本,花同樣的錢可以獲得更大的容量。
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