近日，南瑞半導體自主研發的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）順利通過AEC-Q101車規級可靠性認證，這不僅驗證了南瑞半導體第二代SiC MOSFET工藝平臺的可靠性，也為后續即將量產的其它SiC MOSFET產品奠定了堅實基礎，標志著南瑞半導體產品質量達到了國際領先水平，為其新能源汽車領域市場的拓展布局奠定了堅實基礎。
AEC-Q101認證是汽車行業最為核心的國際標準之一，是國際汽車行業通用的技術規范，包括各類環境應力、可靠性、耐久性、壽命測試等，通過AEC-Q認證代表著器件具有優異品質和高可靠性，被認為是半導體企業在汽車領域立足必要且首選的“入場券”。南瑞半導體將繼續保持核心技術和產品的領先優勢和持續競爭力，集中精力走“矢志自立自強，科技產業報國”道路。以“十年磨一劍，攻關高精尖”的精神勇攀科技高峰，不斷提升產品性能，為推動國家新能源事業關鍵核心技術攻關貢獻力量。
產品介紹
南瑞半導體NCM40S12T4K2采用車規級標準設計，采用低比導微元胞芯片結構設計技術，具有以下優勢：
● 比導通電阻Ron,sp低至3.1mΩ·cm2，良率90%，達到國際一流水平；
●?產品通過HTRB、HV-H3TRB等可靠性測試；
●?新柵氧工藝與電場抑制均衡技術：兼容15V/18V技術平臺，保證HTGB高可靠性。
在產品結構上，第二代SiC MOSFET與第一代產品同為平面柵MOSFET，但進一步優化了工藝，這將：
●?使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統效率。
●?可耐受工作結溫高達175℃，在對比同類產品測試中，其比導通電阻較低，開關損耗更小，開關速度較高，寄生電容較低。
●?第二代SiC MOSFET產品依然保持高可靠性與強魯棒性，在可靠性認證、動靜態測試中等評估中表現優良。
相關數據：
●?25℃下，南瑞半導體產品的IDSS、V(BR)DSS、RDS(on)、VSD參數和同類產品處于同一水平；
●?175℃下，南瑞半導體產品的V(BR)DSS、RDS(on)、VSD參數和同類產品處于同一水平。
注：所有數據均由南瑞半導體通過同一雙脈沖測試平臺實測所得。
●?25℃下，南瑞半導體產品的開通損耗Eon較低，優于同類產品；
●?175℃下，南瑞半導體產品的開通損耗Eon較低，優于同類產品，關斷損耗Eoff和同類產品處于同一水平。
注：所有數據均由南瑞半導體通過同一雙脈沖測試平臺實測所得。
●?25℃下，南瑞半導體產品的反向恢復電荷Qrr較低，優于同類產品；
●?175℃下，南瑞半導體產品的反向恢復時間trr較短，優于同類產品，反向恢復電荷Qrr和同類產品處于同一水平。
應用推薦：
1、SiC MOSFET在30kW充電模塊中的應用：
加入碳化硅大佬群，請加微信：hangjiashuo666
適用產品型號：NCM40S12T4K2
●?簡化拓撲電路，減少元器件的數量，控制和驅動更為簡單；
●?采用SiC MOSFET，可提高充電樁的功率單元單機功率；
●?基于SiC MOSFET的高頻特性，可提高LLC電路的開關頻率。
2、SiC MOSFET在 225KW 光伏逆變器 MPPT 中的應用:
適用產品型號：NCM40S12T4K2、NCM32S12T4K2
●?適用1500V大功率機型；
●?三相組串式多為商用、工業用，單模塊通常在20KW，最大可到100KW。
3、SiC MOSFET 在 臺區柔性互聯配電變壓器（儲能模塊）的應用：
適用產品型號：NCM40S12T4K2、NCM32S12T4K2
●?系統參數：輸入電壓AC 380V,輸出電壓DC 750V；
●?選擇SiC MOSFET能夠降低管子使用數量，易于控制；
●?提高開關頻率從16KHz提升至40KHz。
關于南瑞半導體
南京南瑞半導體有限公司致力于功率半導體技術研究、應用及產業化發展，全力推進核心功率半導體器件自主可控，是國家電網有限公司戰略新興產業培育重點單位、首批入選國資委"科改示范"企業之一、國家級專精特新"小巨人"企業和國網功率半導體產業統一平臺。
南瑞半導體IGBT/FRD產品電壓等級涵蓋650V-6500V，SiC MOSFET產品電壓等級涵蓋1200V-3300V，目前產品已廣泛應用于高壓柔性輸電、電能質量治理、特種電源、工業傳動、風力發電、光伏發電、新型儲能、制氫電源、充電設施和新能源汽車等領域。
旗下解決方案包括
●?芯片：
IGBT/FRD芯片(6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/750V/650V)
SiC MOSFET/SBD芯片(3300V/1700V/1200V)
●?分立器件：
IGBT/FRD分立器件（3300V/1700V/1200V/750V/650V）
SiC MOSFET/SBD分立器件（3300V/1700V/1200V）
●?工業級模塊：
IGBT/FRD模塊（6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/650V）
SiC MOSFET模塊（3300V/1700V/1200V）
●?車規級模塊：
IGBT模塊（1700V/1200V/750V/650V）
SiCMOSFET模塊 （1700V/1200V）
●?平臺服務：
IGBT/FRD/SiC模塊封裝測試業務（6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/650V）
功率半導體器件檢測業務（性能測試、可靠性測試、失效分析測試、應用瀏試）
定制化開發（從應用需求及可靠性出發，針對具體場景對產品進行優化設計，匹配客戶整體方案）
聯系方式
銷售總監：18651803379
銷售經理：18795900215
