車規SiC晶圓出貨超1000片?
6大戰略助力營業收入增長
行家說三代半：過去一年，貴公司主要做了哪些關鍵性工作？
陳剛：公司專注于高可靠碳化硅器件設計、工藝研發、器件制造三方面協同研究，形成了全系列碳化硅 JBS、碳化硅 MOSFET 等功率器件及解決方案，已擁有完整的碳化硅功率器件4吋SiC量產產線，月綜合產能500片/月。
我們的產線制程能力優良、質量控制體系完善，突破了車規級電驅大電流 MOS 器件多項工藝制造技術難點，已面向新能源汽車、能源、家電等領域開展自研產品銷售及代工服務，已成功交付車規級SiC MOSFET晶圓超1000片，營業收入增長2426%。中科漢韻已成為國內為數不多的從碳化硅器件研發、工藝、制造車規級MOSFET且通過用戶車規級驗證的閉環企業之一，為后續發展奠定堅實基礎。
行家說三代半：2023年貴公司取得了哪些成績？
陳剛：
技術水平不斷提升，功率密度、效率、可靠性等性能持續改善。應用領域不斷拓展，涵蓋電驅逆變器、車載充電機、直流/直流變換器（DC-DC）等。在自研產
品研發方面，中科漢韻持續在高效的模擬仿真能力、獨特的元胞架構設計、優勢的門柵技術等領域開拓研究并取得突出進展。自研產品1200V 40mΩ碳化硅 MOSFET 開發項目芯片面積13.46mm2，有較強的市場競爭力。根據測試結果，我們自研產品的耐壓值及導通電阻等核心指標符合設計預期，比導通電阻3.66毫歐cm2，較有競爭力。1200V 17mΩ?碳化硅MOSFET正在研發改進推動良率提升過程中。1700V 40mΩ?碳化硅MOSFET正在設計中，預計2024年Q1完成。下一步，溝槽型碳化硅MOSFET產品正在預研中，并計劃與相關設備廠商開展聯合研發關鍵工藝。
在器件制造能力方面，已成功交付車規碳化硅 MOSFET晶圓超1000片，包括1200V/17mΩ?、750V/13mΩ?等多種型號產品。該產品應用在電動汽車的主驅系統，已完成了近百天的極端氣候條件測試，無任何不良反饋，持續獲得客戶追加訂單，累計合同額達數千萬元。中科漢韻已正式啟動IATF 16949 ：2016 汽車生產件及相關服務件組織體系認證，計劃于2024年第一季度完成認證，以期正式進入汽車供應鏈。
在人才團隊方面，我們引進凝聚了一批具有國內外一流半導體產業經驗人員，并引進多位具有豐富行業經驗的高管，目前已建設形成了研發、制造、市場營銷等130人的全建制團隊。
行家說三代半：你們實現增長的戰略是什么？
陳剛：
展望后期，公司實現增長戰略主要有以下幾個方面：(1)繼續擴大市場規模：隨著新能源汽車市場的快速增長，碳化硅車規級芯片的市場需求將持續增長，公司加緊繼續擴大產能，降低成本，滿足市場需求。
(2)拓展應用領域：碳化硅車規級芯片在電驅逆變器領域已得到廣泛應用，未來還可拓展到車載充電機、直流/直流變換器（DC-DC）等領域，并且，在電力系統、光伏儲能、焊機、白色家電等領域，工業級的碳化硅芯片也有大量的應用需求和拓展空間。
(3)提升技術水平：碳化硅芯片的性能仍有進一步提升的空間，公司仍堅持本位思想，持續加強技術創新，提升芯片的功率密度、效率、可靠性等性能，優化工藝、原材料成本，降低芯片價格，滿足未來多樣的應用需求。
(4)加強與下游模塊廠的合作：深度了解客戶需求，開發針對性的碳化硅車規級芯片產品。
(5)積極參與國內及國際標準制定：積極參與國內與國際標準制定，推動碳化硅車規級芯片的產業化進程。
(6)加強國際交流合作：加強與國際先進企業的交流合作，提升技術水平。
總而言之，碳化硅車規級芯片具有廣闊的市場前景，未來幾年將迎來快速增長。公司通過科技創新、降本增效、凝結團隊、產業鏈上下游緊密合作等多種方式，積極應對市場變化，采取有效措施，搶占市場先機。
擴充SiC晶圓產能?
致力成為一流IDM廠商
行家說三代半：2024年，貴司定下來了哪些規劃和目標？
陳剛：我們公司主要有以下幾個方面的規劃：
(1)產能擴張：全球碳化硅功率器件市場需求旺盛，預計2024年將達到20億美元左右。目前我們公司已有需求與產線制造能力差距較大，為了滿足市場需求，公司計劃產線建設與成果產出并行，最終實現在5年內建設成為國內一流的碳化硅IDM企業。
(2)技術創新：碳化硅功率器件在性能、可靠性和成本等方面仍有待進一步提升。從下面3方面進行，①器件結構：開發新的器件結構，以提高器件的性能和可靠性；②工藝技術：開發新的工藝技術，進一步進行工藝集成設計，以降低器件的成本；③封裝技術：與封測伙伴聯合開發新的封裝技術，以提高器件的散熱性能和可靠性，保證后期開拓的多類市場型應用。
(3)應用拓展：公司目前碳化硅功率器件目前主要應用于新能源汽車、光伏儲能等領域。2024年，將在更多領域推廣應用，如工業電機、消費電子等。工業電機應用碳化硅功率器件可以提高工業電機的效率和功率密度，因此在工業電機領域具有廣闊的應用前景。消費電子應用中，碳化硅功率器件可以提高消費電子產品的效率和續航能力，因此在消費電子領域也具有一定的應用前景。
總體而言，2024年是碳化硅功率器件行業的重要發展階段。隨著產能擴張、技術創新和應用拓展的不斷推進，碳化硅功率器件將在更多領域得到應用，并在電力電子領域發揮更重要的作用。
加入碳化硅大佬群，請加微信：hangjiashuo999
SiC市場穩步向好、技術持續進步?
中科漢韻4大策略促行業健康發展
行家說三代半：您認為2023年整個行業取得了哪些新的進步（包括市場、技術等）？
陳剛：
在市場方面，碳化硅產業鏈價值量倒掛，關鍵部分主要集中在上游端，其中襯底生產成本占總成本的47%，外延環節成本占23%，合計上游成本占到碳化硅生產鏈總成本的70%左右。其中襯底制造技術壁壘最高、價值量最大，既決定了上游原材料制備的方式及相關參數，同時也決定著下游器件的性能，是未來碳化硅大規模產業化推進的核心。當前碳化硅下游市場需求依舊旺盛，特別是車用級碳化硅襯底產能仍偏緊，國產碳化硅正在從產業化向商業化加速邁進。與此同時，今年國內碳化硅成本將加速下降，中低端產品競爭激烈，尚需加速縮小與國際巨頭的技術差距。
碳化硅受汽車電動化以及光伏產業拉動，行業依然持續升溫。碳化硅下游應用領域不斷拓展，尤其是新能源汽車領域的應用取得了突破性進展。碳化硅器件成本進一步降低，推動了其在更多領域的應用。
在SiC功率器件方面，國產廠商在2023年也迎來了車規產品大爆發，眾多廠商宣布入局或推出車規級SiC MOSFET產品，SiC在新能源汽車領域上大放異彩，800V車型開始下沉到20萬元市場，SiC模塊的滲透率迎來大幅增長。這也使得市場上對車規SiC MOSFET需求量高速膨脹，同時以往海外巨頭壟斷的車規SiC MOSFET市場，也開始有越來越多的Tier 1和整車廠接受國產車規SiC MOSFET產品，給國產SiC器件廠商帶來了新的機遇。
此外，碳化硅器件新型應用不斷涌現，例如在海上光伏逆變器、高可靠軌道交通、智能電網輸變電、艦船電力系統等領域的應用得到了積極探索。
在技術方面，碳化硅襯底技術取得了重大突破，6英寸和8英寸襯底的產能快速提升。碳化硅襯底制造工藝難度大，研發時間長，存在較高的技術門檻和人才門檻。目前，美國在全球碳化硅襯底產業格局中占龍頭地位。
但近幾年國內企業在大規模擴充碳化硅襯底產能，包括天岳先進、天科合達、露笑科技、三安光電、晶盛機電、東尼電子、科友半導體等眾多企業，總規劃產能的規模龐大，擴產速度快，但良率問題才是關鍵，目前這一點，國內外企業之間仍有較大差距，因此，國內企業距離真正意義上的碳化硅襯底環節突破還有一段時間要走。
碳化硅器件工藝不斷優化，器件性能和可靠性持續提升。例如，國內企業飛锃半導體展出了車規級SiC MOSFET產品，其中包括1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ；芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業通過測試，已進入批量導入階段；杰平方半導體發布了自主研發的SiC MOSFET產品JPM120020B，該產品規格為1200V/20mΩ；中汽創智首批自主研發的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線；國聯萬眾半導體電驅用1200V SiC MOSFET芯片已研發成功交客戶上車驗證中；南瑞半導體宣布其自主研發的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）順利通過AEC-Q101車規級可靠性認證；中科漢韻宣布車規級SiC MOSFET晶圓成功實現交付，該產品包括1200V/17mΩ、750V/13mΩ兩種型號產品，并且將應用于電動汽車主驅系統中。
目前國產化應用的SiC MOSFET芯片都仍然采用平面柵型結構，一方面是技術可靠，量產穩定性有優勢，另一方面，涉及知識產權保護限制可控。但是，為了提高功率密度和降低成本，自主設計的臺面結構芯片的開發和量產應用也是必須進行的，目前國內都已經在開展相關工作。
行家說三代半：在降本增效方面，2023年最值得關注和重視的新變化是什么？
陳剛：
碳化硅芯片行業的低價和同質化競爭是行業發展的必然階段，也是行業發展的挑戰。規模效應：隨著碳化硅車規級芯片市場規模的擴大，規模效應逐漸顯現，進一步降低了成本。其中，襯底產能提升是降本增效的關鍵。襯底是碳化硅器件的基底，占據了碳化硅器件成本的大部分。隨著襯底產能的提升，成本將進一步降低，有利于碳化硅車規級芯片的普及。
在芯片制造方面：工藝優化和規模效應也為碳化硅車規級芯片的降本增效提供助力。工藝優化可以提高器件的良率和可靠性，減少返工次數，降低成本。規模效應可以攤薄固定成本，降低單位成本。
行家說三代半：成本是把雙刃劍，行業規模化發展需要接近硅器件的低成本，但也要防止被低價所反噬，您如何看待行業的低價和同質化競爭？貴公司有哪些好的做法和建議？
陳剛：
一方面，碳化硅芯片的成本優勢是其市場競爭力的重要體現。隨著碳化硅襯底產能和工藝的不斷提升，碳化硅芯片的成本將逐步降低，接近甚至低于硅器件的成本。這將為碳化硅芯片的普及和推廣創造有利條件。另一方面，低價競爭會導致行業利潤下降，甚至惡性競爭。此外，同質化競爭會導致產品競爭力下降，不利于行業的長遠發展。公司應對行業的低價和同質化競爭的策略如下：
(1)聚焦差異化競爭：碳化硅芯片的優勢在于其高功率密度、高耐熱性、高開關頻率等特性。因此，聚焦差異化競爭，在性能、可靠性、應用領域等方面進行差異化布局，避免同質化競爭。
(2)加強技術創新：技術創新是降低成本和提升競爭力的根本途徑，是碳化硅芯片行業發展的核心動力。加強技術創新，不斷提升產品性能、可靠性、良率，開發出具有差異化優勢的產品，從而脫穎而出，為行業發展提供新動力。
(3)加強行業合作，完善產業鏈：碳化硅芯片行業是一個新興行業，需要各方的共同努力才能發展壯大。碳化硅芯片企業應加強行業合作，共同制定行業標準，規范行業競爭。碳化硅芯片產業鏈的完善有助于降低成本和提升效率。碳化硅芯片企業應積極參與產業鏈建設，促進產業鏈的協同發展。
(4)積極參與研發與產業化項目：追蹤政府出臺的相關政策，通過項目、設備補貼等多種方式，技術創新，降低成本，促進碳化硅芯片行業健康發展。
總體而言，碳化硅芯片行業的低價和同質化競爭是行業發展的必然階段，也是行業發展的挑戰。碳化硅芯片企業應積極應對，采取有效措施，避免被低價所反噬，以促進行業的健康發展。
SiC市場前景廣闊
多項措施開拓市場?
行家說三代半：經過前些年的鋪墊，SiC / GaN技術目前在許多應用場景都很活躍，展望2024年，您認為行業最大的機會在哪里？貴公司將如何開拓這些市場？
陳剛：
2024年，行業最大的機會在新能源汽車及光伏儲能領域。SiC 功率器件在新能源汽車領域具有廣闊的應用前景，可顯著提高電動汽車的續航里程、加速性能和效率。隨著新能源汽車市場的快速增長，SiC 功率器件的市場需求將持續增長。SiC / GaN功率器件在光伏儲能領域具有明顯的優勢，可提高逆變器的效率和可靠性。隨著光伏發電市場的快速發展，SiC / GaN功率器件的市場需求也將不斷增長。我司開拓這些市場，從以下幾個方面入手：
(1)加強技術創新：持續提高SiC功率器件的性能、可靠性、良率，降低成本，滿足客戶需求。
(2)完善產業鏈：加快產業鏈的協同和完善，提高上下游供應鏈的穩定性和可靠性。
(3)加強市場宣傳：積極宣傳SiC 功率器件的優勢，提高客戶認知度。
總而言之，SiC 技術具有廣闊的市場前景，未來幾年將迎來快速增長。行業應積極應對市場變化，加強技術創新，完善產業鏈，加強市場宣傳，搶占市場先機。
行家說三代半：未來幾年，整個行業將面臨的挑戰有哪些？貴公司將如何面對并解決挑戰？
陳剛：
未來幾年，碳化硅功率器件行業面臨的挑戰主要有以下幾個方面：(1)成本：碳化硅功率器件目前的成本仍然較高，這主要是由于碳化硅材料和制造工藝的成本較高。
(2)可靠性：碳化硅功率器件在可靠性方面需要進一步驗證，尤其是在高溫和高電壓條件下的可靠性。
(3)標準：碳化硅功率器件還缺乏統一的標準，這會影響其在市場上的推廣。
為了應對這些挑戰，公司需要采取以下措施：
(1)降低成本：通過優化材料質量管控和器件加工工藝，降低碳化硅器件的制造成本。
(2)提高可靠性：通過開展大量的測試和驗證，提高碳化硅功率器件的可靠性。
(3)制定標準：推動碳化硅功率器件行業的標準化，促進其在市場上的推廣。
具體來說，在成本方面，可以通過以下措施來降低：
(1)完善碳化硅材料質量管控和器件加工工藝，提高良率和降低成本。
(2)采用先進的封裝技術，減少器件尺寸和提高良率。
(3)通過規模化生產，降低單位成本。
在可靠性方面，可以通過以下措施來提高：
(1)開展大量的測試和驗證，包括高溫、高電壓、高頻等條件下的測試。
(2)采用先進的材料和工藝，提高器件的耐熱性、耐電壓性和耐輻射性。
在標準方面，可以通過以下措施來制定：
(1)由政府部門、行業組織和企業共同參與，制定統一的標準。
(2)加強標準的宣傳和推廣，提高行業的認知度。
總體而言，碳化硅功率器件行業具有廣闊的市場前景，但也面臨著一定的挑戰。通過采取積極的措施，可以有效應對這些挑戰，促進碳化硅功率器件行業的發展。
