零中頻接收機除了IQ mismatch帶來的鏡像，本振泄露等帶來的直流偏移，射頻鏈路二階非線性帶來的抗干擾等問題之外，還有一個零中頻接收機固有的缺陷，那就是閃爍噪聲。
閃爍噪聲，也被稱為1/f 噪聲，因為其大小與頻率成反比。
閃爍噪聲，頻率越低，幅度越大，而零中頻的有用信號位于零中頻附近，所以有時候閃爍噪聲就會對有用信號的SNR產生影響。但是這也分情況，不是在任何時候都會有影響，要不然ZIF架構的芯片也不會應用的這么廣泛了。
對于零中頻接收機，為了綜合考慮非線性指標，RF端的增益可能設置在30dB左右，而這個增益，抑制不了后面基帶電路產生的低頻閃爍噪聲，特別在窄信道帶寬的情況下。
所謂窄信道帶寬，是指信道帶寬比較低，或者符號率比較低，比如說GSM系統，信道帶寬為200KHz左右。
(2)?衡量閃爍噪聲的影響
為了表征指定器件的閃爍噪聲和熱噪聲的關系，可以把這兩噪聲的譜密度，畫在同一副圖上，如下所示。閃爍噪聲和熱噪聲的交點，稱為拐角頻率fc。?fBW是信道帶寬的一半，比如說GSM系統，信道帶寬為200KHz左右，那fBW=100KHz。另外，fBW/1000這個頻率點，是因為大多數仿真表明[1]，當頻率
假設Pn1為fBW/1000~fBW頻率范圍內的噪聲總功率，Pn2是fBW/1000~fBW頻率范圍內只考慮熱噪聲的噪聲總功率，可以用Pn1與Pn2的比值，來衡量閃爍噪聲對系統性能的影響。
Pn1/Pn2的推導如下：
(3)?為什么窄信道帶寬的信號更容易受影響？
有了上面這個公式以后，就可以分別計算寬信道帶寬和窄信道帶寬下的噪聲比值。
假設基帶處閃爍噪聲的拐角頻率fc=200KHz，當信道帶寬為20MHz時，Pn1/Pn2=1.04.
同樣的接收機，假設信道帶寬為200KHz，Pn1/Pn2=16.4，這邊，在文獻[1]中，從上下文來看，積分下限感覺應該是270Hz，但是書中2次相關內容處，寫的都是27Hz，所以也是有所疑問。不過，不影響大局。
所以，對于同樣的接收機，閃爍噪聲對窄信道帶寬的影響要遠大于對寬信道帶寬的影響。
因此，對于窄信道帶寬的通信系統，有時會去采用低中頻架構的接收機.
(4)? 低中頻架構的接收機是怎么來解決這個問題的呢？
假設GSM接收機的中頻為100KHz，而不是零中頻。因為低中頻的頻率相距DC比較遠，所以可以用截止頻率比較高的高通濾波，假設高通濾波器可以濾除20KHz以下的信號,此時Pn1/Pn2=2.3。
可以看到，因為低中頻架構的使用，對于窄信道帶寬而言，閃爍噪聲的影響大幅度下降。
(5)低中頻架構帶來的新問題
一種低中頻架構如下圖所示，和零中頻架構，從表面上看，類似。
不過，因為中頻不再是零中頻，即使采用正交混頻器，但由于IQ失配，還是會有類似超外差架構的鏡像干擾。在零中頻架構中，鏡像干擾是有用信號本身，所以對鏡像抑制的要求沒有那么高；但是在低中頻架構中，鏡像干擾是外界環境中的干擾，所以理論上可以很大。
那怎么辦？低中頻架構還能用么？
當然可以，具體看指標要求。比如說，對于GSM系統，鏡像頻率正好處于鄰信道，而GSM鄰信道干擾(@fc+200KHz)只要求是9dBc，這個鏡像抑制指標還是比較容易滿足的。
參考文獻：
[1] Razavi,?RF MICROELECTRONICS
[2] Qizheng Gu,RF System Design of Transceivers for Wireless Communications
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