針對應用于2兆瓦范圍的電力電子系統,當下關注的焦點是采用何種技術以及具有多久的生命周期。
常見的功率半導體模塊有兩種,一種是傳統的焊接鍵合型功率半導體模塊,另一種是具有相同額定功率的壓接型功率半導體模塊,如圖1、圖2所示。
預期使用壽命主要由功率循環(PC)進行驗證。半導體中的電流變化會導致組裝和連接產生溫度偏差,上電最初幾秒內的熱波動使得鍵合線由于熱膨脹而產生微小移動。長遠來看,這些移動會導致諸如鍵合線脫落或在鍵合點斷裂的缺陷。
如果脈沖持續時間延長,結構中各個部件會發熱,由于每一層的熱膨脹系數不同,會導致機械應力的產生。長期來看,機械應力會導致鍵合層的分解和分層。最終,接觸熱阻增加,器件因發熱而失效。
壓接型結構無需鍵合線,且不存在大面積焊線,因此,與焊接型結構相比,壓接型IGBT理應能允許更多次的功率循環。
然而,圖3和圖4中相應曲線的比較最初似乎反駁了這一點。
觀察圖表中80K溫度波動下的循環次數,壓接型器件是30,000次循環而焊接鍵合型模塊是200,000次循環,為壓接型器件的六倍之多。
壓接型器件真的過早失效嗎??
為什么制造商不為壓接型器件提供“測試失敗”曲線呢?
這對設計意味著什么?
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