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近期，安森美、英飛凌及漢磊等6家國內外SiC玩家都在不斷推陳出新，推出最新一代SiC MOSFET產品，以滿足市場對高性能、高效率和高可靠性功率器件的需求。
本文將探討這些企業最新一代SiC MOSFET產品的特點和優勢，看看它們是如何通過技術創新推動工業、汽車和能源存儲等領域的發展。
安森美：
推出EliteSiC M3e MOSFET
7月19日，據“EE POWER”媒體消息，安森美于近日推出了最新一代碳化硅技術平臺 EliteSiC M3e MOSFET，這一創新產品旨在顯著提升高耗電應用的能效，加速推進電氣化轉型，以實現更可持續的未來。
報道稱，EliteSiC M3e MOSFET采用行業標準的TO-247-4L封裝，樣品現已上市，可供工程師和設計師進行測試和評估；此外，該新品已確定將搭載于大眾汽車的下一代800V汽車平臺——SSP（.點這里.）。
EliteSiC M3e MOSFET系列 圖片來源：安森美
據“行家說三代半”了解，該新品通過其獨特的平面架構，能夠將電氣化應用的關斷損耗降低多達50%，同時顯著降低導通損耗和開關損耗，從而提高整體能效。
與前幾代產品相比，EliteSiC M3e MOSFET在導通損耗上降低了30%，同時提供超低導通電阻和抗短路能力，這對于主驅逆變器應用至關重要。采用安森美先進的分立和功率模塊封裝，1200V M3e裸片能夠提供更大的相電流，使同等尺寸主驅逆變器的輸出功率提升約20%。
未來，安森美還計劃在2030年前加速推出多款新一代碳化硅產品，以滿足日益增長的能源需求，并助力全球電氣化轉型。
英飛凌：
推出CoolSiC? MOSFET G2
7月12日，英飛凌官微宣布，他們推出了最新一代CoolSiC? MOSFET G2技術。該產品以其卓越的效率和低功耗，成為電動汽車充電站、光伏系統、儲能解決方案、電機驅動和工業電源等領域的關鍵驅動力。
據介紹，與硅基產品相比，CoolSiC? MOSFET G2不僅提升了2.3%的充電效率，還降低了10%的功率損耗；其開關頻率是傳統硅基產品的三倍，功率上限也得到了顯著提升，最高可提高60%。
此外，CoolSiC? MOSFET G2采用的.XT技術有效降低了芯片的瞬態熱阻，提升了15%的芯片性能，并延長了80%的使用壽命。其最大工作結溫的提高到200攝氏度，為客戶提供了更大的設計靈活性，確保了在各種嚴苛環境下的可靠性和耐用性。
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飛锃半導體：
推出第3代SiC MOSFET
6月13日至15日，第十七屆國際太陽能光伏與智慧能源（上海）大會成功舉辦，飛锃半導體在現場展示了其最新的第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC MOSFET等尖端產品。
飛锃半導體隆重推出了其最新一代Gen3B碳化硅MOSFET系列，全面覆蓋市場需求主流規格，包括750V 11/25/40/55mΩ和1200V 15/20/30/40mΩ。這些產品通過技術與工藝的雙重革新，實現了一致性更好、開關損耗更優、導通特性更為出色的表現。特別適用于充電樁、光伏儲能系統以及電動汽車的關鍵部件如車載充電器(OBC)、DC/DC轉換器和主驅動系統。
此外，飛锃還推出了車規級SiC MOSFET產品，具備高可靠性和高魯棒性，通過了嚴格的車規AEC-Q101可靠性驗證和960V高壓H3TRB測試。
瀚薪科技：
推出第3代SiC MOSFET
在上海舉辦的慕尼黑電子展上，上海瀚薪科技有限公司展示了其最新的國產化第三代1200V MOSFET產品系列。
瀚薪科技的H3M SiC MOSFET系列以其高性能、高可靠性和創新設計吸引了業界的廣泛關注。這些產品支持15/18V驅動，并涵蓋16mΩ至120mΩ的多種RDS(on)規格，特別在18V驅動下展現出更優的性能指標。此外，這些產品還采用了公司自主知識產權的頂部散熱封裝技術。
同時，瀚薪科技還展出了第二代1700V/3300V SiC MOSFET，包括1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω規格的產品以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET，這些產品以其性價比和性能優勢滿足不同應用需求。
漢磊：
推出SiC MOS G3方案
7月8日，據“工商時報”消息，漢磊推出了全新碳化硅第三代平面型MOSFET G3方案，該平臺已通過多家客戶的可靠度測試，并通過車規級可靠性測試認證。
漢磊指出，新一代技術將芯片縮小與降低導通電阻，使客戶能夠有效率地整合組件，提供更小、更節能、更高功率密度的產品，以滿足市場技術最新發展的需求，同時，該技術已與國際IDM大廠能力齊頭并進。
漢磊總經理劉燦文表示，漢磊研發團隊持續投入新一代制程技術，目前正對客戶開放碳化硅第三代平面型MOSFET技術平臺，相較前一代G2，G3降低了器件面積約40%，并改善導通電阻（Ronsp）30%，滿足客戶對技術提升與高效的需求，并增加更多國際IDM客戶合作商機。
瞻芯電子：
第三代SiC MOS通過車規認證
6月，瞻芯電子宣布，其基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）通過了車規級可靠性(AEC-Q101)測試認證。
據介紹，瞻芯電子第三代產品在保持器件耐壓和短路能力的同時，將比導通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，開關損耗相比第二代產品進一步降低了30%以上。這些改進使得第三代SiC MOSFET在車載電驅動系統等應用中表現更為出色。
此外，第三代1200V SiC MOSFET的元胞Pitch縮小了超過20%，進一步提升了產品的性能和可靠性。首款產品IV3Q12013T4Z不僅完成了AEC-Q101標準的三批次可靠性認證，還通過了更嚴格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動態可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI）和柵極負偏壓下的HTRB等測試。
目前，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺已正式量產。隨著其第三代產品的量產，瞻芯電子將繼續推動SiC功率器件在更廣泛領域的應用，助力行業發展。
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