市場消息，Coherent Corp（原II-VI）今天宣布推出其8英寸碳化硅外延晶片（SiC 外延晶片）。目前公司可出貨的產品為350μm和 500 μm的襯底和外延片產品。
作為一家專注于 SiC 襯底和外延片的制造商，Coherent 將這些元素結合在一起，提供卓越的質量、性能和可靠性。8英寸 SiC 外延晶片采用尖端厚度和摻雜均勻性設計，樹立了新的行業標準并支持生產卓越的 SiC 功率半導體。SiC 材料業務部副總裁兼總經理 Gary Ruland 表示：“憑借我們的先進技術，我們不僅提高了 SiC 器件的質量，而且還滿足了關鍵領域對8英寸碳化硅日益增長的需求。”SiC 器件是電動和混合動力汽車、能源基礎設施和高功率電動汽車充電器中電力轉換不可或缺的一部分。晶圓直徑從6英寸過渡到 8英寸，以滿足對 SiC 半導體日益增長的需求，使制造商能夠在每個晶圓上生產更多器件。這一轉變有望提高生產率并降低 SiC 器件的成本，從而使廣泛的應用受益。
通過采用更大的晶圓，SiC 器件制造商可以實現更高的產量和更高的成本效率，因為每個晶圓的可用面積增加了 1.8 倍。采用最先進的8英寸設備也帶來了額外的優勢，同時也符合行業對更高性能和更低運營成本的追求。“尺寸越大，單位芯片成本越低”是SiC襯底發展中公認的降本路徑。
碳化硅晶圓尺寸正在快速從6英寸向8英寸躍遷，國內外主流功率半導體大廠都已經將8英寸量產提升了日程，以碳化硅全球龍頭Wolfspeed為例，2023年7月，Wolfspeed宣布其8英寸工廠已開始向中國終端客戶批量出貨SiC MOSFET，已經開始正式量產8英寸器件。其他海外大廠的量產時間也紛紛放在了2024年底-2026年這個節點上，并開始大規模進行投資。如果從各大廠商的布局上看，8英寸晶圓制造量產產能的布局將在2024年-2025年完成，可以說已經進入了量產前夜。根據各大海外企業公布的信息，僅海外主流功率半導體大廠的產能規劃，預計到2026年，8英寸產能將超9萬片/年。
襯底和外延角度看，國產企業的優勢十分明顯，過去一年，國內襯底材料的技術進步非常快，從國內襯底頭部企業合作信息披露來看，海外大廠英飛凌、博世、onsemi等公司均已開始批量在6英寸的車規級產品制造中使用國產襯底。
同時，國內的8英寸襯底樣片出海送樣也非常積極，此前在我們對歐洲某頭部功率半導體大廠的采訪調研中獲悉，該企業對國內8英寸襯底送樣質量感到驚喜，并在內部8英寸晶圓線調試中使用了國產8英寸襯底，并且計劃在國內選擇2-3家供應商供貨。他們選擇國產襯底的主要原因是質量參數與國外頭部相差無幾，但成本要明顯優于海外企業。
值得注意的是，國內企業在8英寸襯底樣片的開發節奏上，遠快于當年4英寸轉6英寸襯底時的切換速度,量產節奏如何呢？根據天岳先進在此前的行業調研披露的信息，當前行業內產業化和批量供應方面，導電型碳化硅襯底仍以6英寸為主，國內外尚未實現8英寸襯底的大規模供應。但公司已在8英寸碳化硅襯底上已經具備量產能力，根據下游客戶需求情況合理規劃產品產銷安排。根據我們的調研信息演示，天岳、爍科等主流襯底企業已有超過大幾千片的月產出，所以國產襯底與海外材料廠在8英寸的競爭上也將正式拉開帷幕，而在這競爭中，國產碳化硅材料已具備非常明顯優勢了！
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