安森美半導(dǎo)體今天宣布，它已以 1.15 億美元現(xiàn)金從 Qorvo 完成對碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)（包括 United Silicon Carbide 子公司）的收購。SiC JFET 技術(shù)的加入將補(bǔ)充安森美廣泛的 EliteSiC 電源產(chǎn)品組合，使公司能夠滿足 AI 數(shù)據(jù)中心電源單元 AC-DC 級對高能效和功率密度的需求。onsemi表示，這1.15億美元收購 Qorvo 的 SiC JFET 技術(shù)是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的一項戰(zhàn)略舉措，預(yù)計到2030年可將市場機(jī)會拓展到13億美元。這筆交易加強(qiáng)了安森美半導(dǎo)體在兩個關(guān)鍵增長領(lǐng)域的地位：人工智能數(shù)據(jù)中心和電動汽車。
SiC JFET 技術(shù)與 onsemi 的 EliteSiC 產(chǎn)品組合的整合滿足了 AI 基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的功率密度需求，這在數(shù)據(jù)中心在 AI 熱潮中努力提高能源效率的情況下尤為重要。就背景而言，傳統(tǒng)的硅基電源解決方案已達(dá)到其物理極限，這使得 SiC 技術(shù)對于高性能計算應(yīng)用越來越有價值。在電動汽車領(lǐng)域，此次收購的價值主張在于電池斷路裝置，其中 SiC JFET 可以通過組件整合來提高效率和安全性。這與行業(yè)推動電動汽車更高電壓架構(gòu)的趨勢相一致，有可能讓安森美半導(dǎo)體在快速增長的電動汽車市場中獲得競爭優(yōu)勢。此次補(bǔ)充收購1.15億美元約占安森美半導(dǎo)體市值的 0.5%，因此這是一筆相對較小但具有戰(zhàn)略意義的投資。公司預(yù)計到 2030 年該筆交易帶來的市場機(jī)會拓展到13億美元，收購價格的潛在投資回報率將乘數(shù)超過 11 倍，但實際回報將取決于市場份額13億美元的獲取和執(zhí)行。鑒于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施支出激增和電動汽車采用曲線加速，這一時機(jī)尤為合適。此次交易增強(qiáng)了安森美在高利潤功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢，可能支持未來幾年毛利率的擴(kuò)大。鑒于安森美強(qiáng)勁的資產(chǎn)負(fù)債表，此次交易的全現(xiàn)金性質(zhì)為未來的戰(zhàn)略舉措保持了財務(wù)靈活性。就在上月月初，適逢安森美成立二十五周年，同時安森美CEO剛剛再度訪華，除了與行業(yè)客戶進(jìn)行交流之外，還與中國媒體聊了聊公司未來的思考，戰(zhàn)略規(guī)劃，創(chuàng)新突破，以及對中國市場的重視和信心。或許，我們從其中窺探出安森美收購背后更多深意。在媒體會上，安森美CEO Hassane El-Khoury一腔熱血地宣布了未來公司布局戰(zhàn)略：“我們的產(chǎn)品線正從汽車領(lǐng)域向工業(yè)和人工智能數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域拓展。”他上述戰(zhàn)略的解釋是，如今，一個典型的AI數(shù)據(jù)中心機(jī)柜所需的能量幾乎與電動汽車相當(dāng)。為了應(yīng)對這種不斷增長的功率需求，提高效率已然成為了數(shù)據(jù)中心大規(guī)模部署的關(guān)鍵，影響著數(shù)據(jù)中心的運營和維護(hù)成本。如果從交流電算起，數(shù)據(jù)中心的電力傳輸至少需要經(jīng)歷四次轉(zhuǎn)換，這與汽車中的能源轉(zhuǎn)換過程有所不同，但底層技術(shù)上和需求上都很接近，但這種多次轉(zhuǎn)換會損失大量的能量。因此，減少這些損失，提高電源轉(zhuǎn)換效率至關(guān)重要，以確保為GPU提供更多的電力。
為了更好地服務(wù)于工業(yè)和AI兩大市場，安森美致力于縮短產(chǎn)品設(shè)計周期，以便更迅速地響應(yīng)AI數(shù)據(jù)中心市場的需求。體現(xiàn)在產(chǎn)品層面就是安森美的EliteSiC、Hyperlux和最新推出的Treo混合信號與模擬平臺。從中，我們看到EliteSiC是很重要的一個環(huán)節(jié)。可以說，SiC是安森美這家公司的靈魂所在。伴隨著汽車電動化革命整合供應(yīng)鏈和產(chǎn)品創(chuàng)新，碳化硅營收持續(xù)翻倍成長，在最新的碳化硅供應(yīng)商排名中，安森美排名第二。這樣看，拓展SiC在工業(yè)和AI上的邊界，無疑是讓安森美可以繼續(xù)精進(jìn)自己。
從更深層次的技術(shù)角度來看，此次收購中，關(guān)鍵的地方在于SiC FET這一技術(shù)。根據(jù)安森美的分享，SiC JFET有三個參數(shù)在特定應(yīng)用中非常高：擁有最低的導(dǎo)通電阻，因此可以擁有最高的半導(dǎo)體技術(shù)效率，從數(shù)據(jù)中我們可以看到SiC JFET的單位面積的Rds（on）為0.7Ω-cm2，而SiC FET則為1.4Ω-cm2；擁有更快的開關(guān)速度，可以使人工智能/數(shù)據(jù)中心機(jī)架的電源更小、更高效，從數(shù)據(jù)中可看出SiC JFET的開關(guān)速度為500 KHz，而SiC FET為200 KHz；可以利用現(xiàn)有驅(qū)動程序?qū)崿F(xiàn)最小的模具尺寸和可用性，降低系統(tǒng)成本。從數(shù)據(jù)中可以看出SiC JFET的Die-Size為4.0 mm2，SiC FET為7.2mm2。
當(dāng)然，SiC JFET不是萬能的，JFET不容易并行，因此它們不用于牽引逆變器等大功率應(yīng)用中。但對追求更高電源和功率發(fā)展的數(shù)據(jù)中心來說，電阻小、頻率高的SiC JFET就非常合適了。
JFET擁有更小的模具尺寸，也擁有使用現(xiàn)有驅(qū)動器的能力，能夠提供最低的總體系統(tǒng)成本，提供最佳的效率。因此，安森美認(rèn)為SiC JFET有望取代超結(jié)硅MOSFET，并與GaN競爭。
在電動汽車中，SiC JFET也有許多長期機(jī)會。現(xiàn)在，大多數(shù)電動汽車使用的是機(jī)電繼電器來驅(qū)動電池斷路單元（BDU），這些繼電器隨著時間推移會氧化，變得不那么可靠。而SiC JFET可以更快、更安全、更可靠地斷開電源。安森美列舉了其中現(xiàn)在比較流行的幾個開關(guān)應(yīng)用——主保險絲（Main Fuse）、汽車接觸器（Contactor）、爆管熔斷器（Pyrofuse）、預(yù)充電器（Pre-charge）。
當(dāng)然，SiC JFET的價值不止如此，其在工業(yè)領(lǐng)域也極具潛力。正因工業(yè)、新能源市場的一些關(guān)鍵應(yīng)用和汽車類似，如繼電器、接觸器都可以使用半導(dǎo)體，所以說工業(yè)市場也是JFET的重要領(lǐng)域，比如斷電保護(hù)和接觸器等。
此次收購的技術(shù)意義在于 SiC JFET 的獨特性能，與傳統(tǒng)的硅基解決方案相比，SiC JFET 具有出色的開關(guān)特性和熱性能。在功率密度和效率是關(guān)鍵瓶頸的 AI 數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，SiC JFET 可以顯著降低 AC-DC 轉(zhuǎn)換階段的功率損耗。對于工業(yè)應(yīng)用，特別是在儲能系統(tǒng)和固態(tài)斷路器中，SiC JFET 可實現(xiàn)以前使用硅技術(shù)無法實現(xiàn)的新拓?fù)洹＿@為電網(wǎng)現(xiàn)代化和可再生能源整合帶來了機(jī)遇，而高效率的電力轉(zhuǎn)換在這些領(lǐng)域至關(guān)重要。Qorvo 的技術(shù)與 onsemi 現(xiàn)有的產(chǎn)品組合整合，可提供更全面的電源解決方案，從而有可能加速這些高增長領(lǐng)域的客戶采用和市場滲透。onsemi 集團(tuán)總裁兼電源解決方案集團(tuán)總經(jīng)理 Simon Keeton 表示：“此次收購進(jìn)一步加強(qiáng)了 onsemi 在電源半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，為客戶提供顛覆性和市場領(lǐng)先的技術(shù)，以解決他們在 AI 數(shù)據(jù)中心、汽車和工業(yè)市場中最緊迫的功率密度和效率問題。我們將繼續(xù)創(chuàng)新和投資，以擴(kuò)大我們在提供最全面電源系統(tǒng)解決方案方面的技術(shù)領(lǐng)先地位。”*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，碳化硅芯觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)觀點，僅代表碳化硅芯觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系碳化硅芯觀察。
