
近期,Wolfspeed推出了第4代碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),專(zhuān)為高功率電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。該技術(shù)通過(guò)同時(shí)優(yōu)化導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)性能、穩(wěn)定性和可靠性,確保了全方位的性能提升。第4代MOSFET主要面向高功率汽車(chē)、工業(yè)和可再生能源系統(tǒng),為碳化硅技術(shù)帶來(lái)了新的發(fā)展范式。

Wolfspeed的第四代碳化硅技術(shù)在導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)性能和耐久性之間實(shí)現(xiàn)了卓越的平衡,特別注重在實(shí)際工作條件下的最大電路內(nèi)價(jià)值。在性能效率方面,第4代SiCMOSFET減少導(dǎo)通損耗對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及AI服務(wù)器電源等關(guān)鍵應(yīng)用至關(guān)重要,有助于提高整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的效率,帶來(lái)多重效益。同時(shí),在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,減少開(kāi)關(guān)損耗也非常重要,它可以使客戶(hù)提高開(kāi)關(guān)頻率,實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更具成本效益的磁性元件和電容器,或者通過(guò)減少散熱來(lái)降低系統(tǒng)級(jí)成本。

此外,碳化硅分立器件和功率模塊在3級(jí)直流快速充電機(jī)中的應(yīng)用也展示了其優(yōu)勢(shì),與IGBT相比,它們能夠減少損耗、提高效率,并在更高的頻率和溫度下工作,同時(shí)減少了散熱需求。

(1)導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)性能的提升
第四代MOSFET相較于第三代產(chǎn)品展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢(shì),主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:
導(dǎo)通損耗:第4代MOSFET在高溫下的導(dǎo)通電阻(RDS(on))可降低高達(dá)21%,低溫下降低幅度更大,提高了系統(tǒng)效率并延長(zhǎng)了工作壽命。
開(kāi)關(guān)性能:第4代MOSFET通過(guò)體二極管性能提升和設(shè)計(jì)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了更快的開(kāi)關(guān)速度,減少了電壓過(guò)沖,降低了開(kāi)通損耗,并減少了振鈴,提高了EMI性能。
動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能:在相同條件下,第4代器件的反向恢復(fù)過(guò)程更為平緩,降低了di/dt,顯著減少了電壓過(guò)沖,提高了安全系數(shù)和穩(wěn)健性。
開(kāi)關(guān)損耗:第4代器件在額定電流下可實(shí)現(xiàn)高達(dá)27%的開(kāi)關(guān)損耗降低,某些器件可通過(guò)采用更低的柵極電阻值進(jìn)一步改善開(kāi)關(guān)損耗。
硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用:第4代技術(shù)提高了硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用的性能,使EON和EOFF降幅高達(dá)15%,同時(shí)減少了軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的導(dǎo)通損耗。

(2)1.2EMI設(shè)計(jì)與可靠性增強(qiáng)
EMI設(shè)計(jì)挑戰(zhàn):第4代MOSFET的波形更為平滑,最大限度地減少了共模電壓和輻射發(fā)射,簡(jiǎn)化了EMI濾波器設(shè)計(jì)。
宇宙射線(xiàn)可靠性:第4代MOSFET采用增強(qiáng)的抗擾度設(shè)計(jì),宇宙射線(xiàn)失效率可降低100倍,提高了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率。
短路耐受時(shí)間:第4代技術(shù)支持高達(dá)2.3微秒的短路耐受時(shí)間,與現(xiàn)有柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)兼容,且不影響RDS(on)性能。
Wolfspeed位于查塔姆縣的半導(dǎo)體工廠(chǎng)目前進(jìn)展順利,即將竣工并投入生產(chǎn)。該項(xiàng)目總投資高達(dá)50億美元,主要生產(chǎn)200mm碳化硅晶圓。工廠(chǎng)將實(shí)現(xiàn)從碳化硅晶體生長(zhǎng)到晶圓精制的完整制造工藝,產(chǎn)品規(guī)格將大幅超越Wolfspeed目前的生產(chǎn)水平。預(yù)計(jì)Wolfspeed將在2025年3月前完全接管該工廠(chǎng),并于6月正式啟動(dòng)生產(chǎn)。目前,建筑工人正在對(duì)這座占地220萬(wàn)平方英尺的大型工廠(chǎng)進(jìn)行最后的細(xì)節(jié)處理。

新工廠(chǎng)的投產(chǎn)標(biāo)志著Wolfspeed在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)一步擴(kuò)展,特別是在電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用。通過(guò)大規(guī)模生產(chǎn)200mm晶圓,Wolfspeed將更好地滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高效、高功率電子器件的需求,同時(shí)降低生產(chǎn)成本,提升競(jìng)爭(zhēng)力。

隨著第4代碳化硅技術(shù)的推出和新工廠(chǎng)的投產(chǎn),Wolfspeed有望在未來(lái)的高功率電子市場(chǎng)中占據(jù)領(lǐng)先地位。
