超結器件支持高額定功率和高密度，同時能夠降低傳導和開關損耗，從而提高效率
近日，Vishay 推出新的 Gen 4.5 650 V E 系列功率 MOSFET，為通信、工業和計算應用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix N 溝道SiHK050N65E 的導通電阻降低了 48.2 %，而電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用）中 650V MOSFET 的重要優值因數（FOM）降低了 65.4 %。
Vishay 多種 MOSFET 技術為電源轉換過程的所有階段提供支持，包括從高壓輸入到最新高科技設備所需的低壓輸出。憑借 SiHK050N65E 和 Gen 4.5 650 V E 系列中的其他器件，公司正在滿足電力系統架構的兩個早期階段中對改進效率和功率密度的需求，即功率因數校正（PFC）和后續的 DC/DC 轉換器模塊。典型的應用包括服務器、邊緣計算和超級計算機；UPS、高強度放電（HID）燈和熒光燈鎮流器；通信開關模式電源（SMPS）；太陽能逆變器；焊接設備；感應加熱系統；電動驅動和電池充電器。
SiHK050N65E 基于 Vishay 最新的高能效E系列超結技術，能夠在 10 V 下實現典型的低導通電阻為 0.048 Ω，適合超過 6 kW 的高功率應用。同時，650 V 器件的擊穿電壓達到額外的 50 V，使其可以在 200 VAC 至 277 VAC 的輸入電壓范圍內穩定工作，并符合開放計算項目的開放機架 V3（ORV3）標準。此外，MOSFET的超低柵極電荷僅為 78 nC，提供了優越的 FOM 值 3.74 ?*nC，這對減少導通和開關損耗至關重要，從而進一步節省能源并提升效率。這使得器件能夠滿足服務器電源中特定的鈦效率要求，或者達到 96 % 的峰值效率。
為了在硬開關拓撲（如 PFC 電路和雙開關前饋設計）中優化開關性能，日前發布的 MOSFET 具備較低的有效輸出電容值，Co(er) 為 167 pF，Co(tr) 為 1119 pF。器件在電阻乘以 Co(er) 的 FOM 上達到業界新低的 8.0 ?*pF。SiHK050N65E 以 PowerPAK®10 x 12 封裝形式提供，并配備 Kelvin 連接以降低柵極噪聲，同時提高 dv/dt 的抗擾性。MOSFET 符合 RoHS 標準而且無鹵素，經過特別設計以承受雪崩模式下的過壓瞬態，100 % 的 UIS 測試保證了其極限值。
SiHK050N65E 現可提供樣品并已實現量產。欲了解供貨周期信息，請聯系您當地的銷售處。
Vishay Gen 4.5 650 V E 系列
功率 MOSFET
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