插播：英諾賽科、能華半導體、致能科技、萬年晶半導體、京東方華燦光電、鎵奧科技、鴻成半導體及中科無線半導體等企業(yè)已參編《2024-2025 氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調研白皮書》，參編咨詢請聯(lián)系許若冰（hangjiashuo999）。
近期，碳化硅領域動態(tài)不斷，“行家說三代半”關注到，英飛凌、利普思、中宜創(chuàng)芯、納設智能等眾多國內外碳化硅廠商紛紛曬出最新訂單與合作進展，詳情請看：近日，據(jù)eeNEWS等媒體報道，英飛凌相繼與偉世通、Rivian達成SiC合作，將在車規(guī)級應用上搭載SiC技術：5月，英飛凌已與美國一級供應商偉世通簽署協(xié)議，共同開發(fā)下一代電動汽車電源轉換系統(tǒng)。根據(jù)協(xié)議，偉世通將采用英飛凌的碳化硅和氮化鎵器件，用于電池接線盒、DC-DC 轉換器和車載充電器，進而提高模塊設計的效率和穩(wěn)定性。偉世通電氣化產(chǎn)品線負責人汪濤博士表示：“與英飛凌的合作使我們能夠整合尖端半導體技術，這些技術對于提升下一代電動汽車的功率轉換效率和整體系統(tǒng)性能至關重要。此次合作將推動技術進步，加速向更可持續(xù)、更高效的移動出行生態(tài)系統(tǒng)轉型?！?/span>近日，美國汽車制造商 Rivian 已與英飛凌簽約，英飛凌將為“R2”汽車平臺提供牽引逆變器電源模塊、微控制器和電源 IC，預計將于 2026 年開始。其中，電源模塊將采用英飛凌的 HybridPack Drive G2 格式（如圖所示），包含硅和碳化硅組件。該封裝采用直接液冷，以針狀翅片陣列作為散熱界面，熱阻通常為0.129°C/W。
5月13日，利普思半導體在官微透露，他們攜多款SiC新品模塊亮相德國PCIM，收獲多個訂單。據(jù)了解，針對新型電網(wǎng)、軌道交通、電動船舶等領域應用，利普思率先推出LPP系列SiC及IGBT模塊，最大電流規(guī)格可達1800A，同時也首次推出了3300V SiC模塊。目前已經(jīng)獲得多個國內和國外客戶意向訂單，涉及儲能、高壓級聯(lián)、船舶動力等多個應用。此外，針對中頻電源、電機控制等應用，利普思推出了Easy、SOT227、34mm、62mm、ED3、ED3S等全系列SiC模塊，電流規(guī)格涵蓋數(shù)10A到近1000A。這些產(chǎn)品均已經(jīng)實現(xiàn)了應用和量產(chǎn)，特別是在感應加熱、電鍍電源、中頻電源和電機電控領域的應用案例和海外多地的批量訂單。5月6日，CISSOID 宣布與全球領先的汽車行業(yè)獨立工程服務提供商 EDAG 集團建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，旨在加速開發(fā)用于電動汽車應用的下一代碳化硅 (SiC) 牽引逆變器。?
此次合作將CISSOID在SiC功率半導體模塊和控制解決方案方面的尖端專業(yè)知識與EDAG在電動動力系統(tǒng)設計、集成和驗證方面的深厚工程技術相結合。通過優(yōu)勢互補，兩家公司旨在為電動汽車原始設備制造商（OEM）和設備供應商提供技術支持和完整的解決方案，助力其高效、可靠且功能安全的SiC牽引逆變器開發(fā)。
CISSOID 首席技術官 Pierre Delatte表示：“與 EDAG 的合作使我們能夠共同滿足對高性能 SiC 牽引逆變器日益增長的需求。我們將攜手幫助制造商充分發(fā)揮碳化硅技術的潛力，使電動汽車更加高效、緊湊和可靠?！?/span>?
中宜創(chuàng)芯：
SiC產(chǎn)品進入比亞迪等企業(yè)
5月19日，據(jù)平煤神馬集團透露，旗下中宜創(chuàng)芯公司建成的年產(chǎn)2000噸電子級碳化硅粉體生產(chǎn)線產(chǎn)品已進入比亞迪、三安光電等行業(yè)知名企業(yè)供應鏈，覆蓋5G基站、新能源汽車、航空航天等多個重點領域。據(jù)了解，該項目于2023年開工建設，用90天時間建成生產(chǎn)線進行試生產(chǎn)，產(chǎn)品純度達到99.999998%。值得關注的是，中宜創(chuàng)芯已研發(fā)出可用于AR眼鏡片材料的半絕緣碳化硅粉體。經(jīng)檢測，用他們研發(fā)的半絕緣碳化硅粉體制成的AR鏡片，光傳導效率提升至92%以上，厚度減少40%，重量下降30%。5月18日，據(jù)深圳新聞網(wǎng)報道，納設智能的碳化硅外延設備已實現(xiàn)全面產(chǎn)業(yè)化。其中，6英寸碳化硅外延設備成功量產(chǎn)銷售，8英寸單腔碳化硅外延設備推向市場后收獲復購，市場占有率穩(wěn)居國內同類設備前列。據(jù)悉，針對進口碳化硅外延設備耗材成本高、維護復雜的痛點，納設智能推出創(chuàng)新的反應腔室設計，使耗材成本降低30%，維護難度也大幅降低，且成功將碳化硅外延設備工藝良率提升至98%。納設智能成立于2018年，主要從事第三代半導體碳化硅、新型光伏材料、納米材料等先進材料領域所需的薄膜沉積設備等高端設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。2024年，隨著新生產(chǎn)基地正式投產(chǎn)，納設智能產(chǎn)能大幅提升，設備也順利實現(xiàn)出口。近期，上海億鼎技術（集團）有限公司與上海垣麓企業(yè)咨詢合伙企業(yè)（有限合伙）正式達成戰(zhàn)略合作，成立了億威盛半導體科技（上海）有限公司。雙方在億鼎集團總部舉行投資簽約儀式，此次簽約標志著雙方將在半導體設備零部件領域展開深度合作。
通過此次這次合作，億威盛將充分整合各自在技術、資金、市場等方面的優(yōu)勢資源，共同投身于碳化硅刻蝕設備零部件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售工作，致力于打造出更具市場競爭力的產(chǎn)品，全力滿足日益增長的市場需求。
近日，魯晶半導體透露他們赴山東大學新一代半導體材料研究院開展碳化硅（SiC）功率器件技術交流活動。雙方圍繞SiC肖特基二極管、MOSFET器件的研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)化應用等展開深度研討，共探產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新路徑。
未來，魯晶半導體將依托山東大學新一代材料研究院平臺及人才資源，強化技術研發(fā)能力；山東大學借助企業(yè)產(chǎn)業(yè)資源與市場渠道，推動科研成果快速轉化。雙方將以此次合作為起點，構建“基礎研究+技術攻關+產(chǎn)業(yè)落地”全鏈條創(chuàng)新體系，助力國產(chǎn)半導體自主可控。
此外，雙方還重點交流了超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術進展。魯晶半導體技術團隊分享了其在器件研發(fā)與制造中的階段性成果，山東大學專家則從學術角度剖析了高頻、高效、高溫性能優(yōu)化方案。雙方一致認為，SiC功率器件憑借其耐高壓、低損耗特性，將成為未來電力電子領域的核心技術方向。
本文發(fā)自【行家說三代半】，專注第三代半導體（碳化硅和氮化鎵）行業(yè)觀察。
