一般工作線上性區(qū)域的電晶體，可以把它當(dāng)作是一個壓控電流源，去控制電路并連續(xù)檢測輸出電壓，然后根據(jù)負(fù)載的需求，進(jìn)行調(diào)節(jié)電流源，確保輸出電壓能夠保持在期望的數(shù)值。
電流源的設(shè)計極限就出現(xiàn)了作用：它限定了穩(wěn)壓器在保持電壓調(diào)節(jié)作用的情況下，所能供應(yīng)的最大負(fù)載電流。
NMOS型LDO
我們來看下面這張圖：
在這個電路中，對輸入與輸出的壓差構(gòu)成限制的是，MOS管的門極與漏極之間的最小壓差。
NMOS型LDO它采用了一對電阻來采樣輸出電壓，并將其輸送到誤差放大器的輸入端，與一個基準(zhǔn)進(jìn)行比較，然后在誤差放大器中進(jìn)行放大，最后產(chǎn)生一個電壓信號來控制NMOS的門極。
（圖為NMOS負(fù)載電流流向）
在50mA和3A的負(fù)載電流下，NMOS型LDO需要的靜態(tài)電流差不多，盡管這種負(fù)載變化比較大，但靜態(tài)電流幾乎沒有太多變化。
這是因為NMOS只用電壓信號控制即可，而電壓信號不需要消耗到誤差放大器本身的電流。
因此，靜態(tài)電流成為了NMOS型LDO最大的一個優(yōu)勢。
PMOS LDO
相比NMOS型LDO ，由于NMOS的源極和門極之間的導(dǎo)通門限，它的輸入與輸出之間的壓差必須要大于這個導(dǎo)通門限，這個壓差是很大的。這時，我們就可以運用PMOS型LDO ，來減少這一部分的使能。
在PMOS里面我們需要門極電壓低于源極電壓才能讓PMOS導(dǎo)通，并且這個壓差必須大于PMOS的導(dǎo)通門限，才能夠保證在整個范圍里，誤差放大器能夠把PMOS的門極拉到合適的電壓范圍。
由于主功率部分采用PMOS管，同樣用電壓來控制，因此，負(fù)載電流的變化，誤差放大器的靜態(tài)電流幾乎也沒有變化。
在這里我們可以看到， NMOS由于源極和門極之間這個導(dǎo)通門限，造成輸入輸出壓差大的局限因素，PMOS型LDO驅(qū)動與它相比簡單了許多。
總結(jié)：
NMOS型LDO可以提供快速瞬態(tài)回應(yīng)，但是需要兩個偏置電源為器件供電。
PMOS型LDO可以實現(xiàn)壓降，并且能夠在單電源下運行。不過，在低輸入電壓下會受到傳輸電晶體VGS特性的限制，與此同時，它們還不具備高性能LDO所提供的許多保護(hù)功能。
常見的LDO一般由P管構(gòu)成，但LDO效率比較低，一般不走大電流應(yīng)用。在一些大電流低壓差的場景里，會使用N管類型的LDO 。
