英飛凌與羅姆的碳化硅合作：功率電子產業大事件！

芝能智芯出品

碳化硅功率器件在2025年出現了價格的拐點，新能源汽車、可再生能源以及高性能計算等領域的應用逐漸需求拉高，英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為特定 SiC 產品的第二供應商，為客戶在設計與采購中提供更大靈活性。

在寬禁帶半導體產業快速擴張背景下，廠商間通過合作來降低不確定性、提升交付能力的趨勢。 

碳化硅功率器件正在成為新一輪電力電子產業升級的核心，在電動汽車車載充電器、光伏逆變器、儲能系統以及 AI 數據中心電源等高功率密度場景中具備顯著優勢，碳化硅材料的制備難度和工藝復雜性決定了其供應體系還是受限制。

英飛凌與羅姆的合作具有重要意義。

雙方約定在特定封裝標準下互為第二供應商，客戶可以在兩家公司的產品之間實現平滑切換，相當于在供應端建立了“備份通道”，增強了設計階段的自由度，也降低了因單一供應商產能波動或技術調整而帶來的風險。

◎ 從客戶角度看，這種“可互換性”意味著開發周期和采購決策的靈活性提升，有助于降低平臺化產品的生命周期成本。

◎ 戰略層面上，英飛凌和羅姆雖然在 SiC 器件市場上存在競爭關系，但這種合作并不削弱競爭力，反而通過建立兼容封裝，增強了兩者在與特斯拉、比亞迪、大眾等整車客戶及逆變器廠商談判中的籌碼。

◎ 對英飛凌而言，憑借全球廣泛的客戶基礎和深厚的車規級可靠性經驗，與羅姆合作可以補充產品組合，加快其在不同市場的滲透。

◎ 對羅姆來說，借助英飛凌的封裝標準和渠道，可以擴大 DOT-247 等獨特產品的應用場景，并鞏固其在汽車功率半導體市場的地位。

這種合作模式預示著未來功率半導體廠商可能不再完全依賴差異化競爭，而是通過兼容標準、互認封裝等方式，共同擴大市場容量。

碳化硅仍處于高速滲透期，供給不足遠比過剩更現實，因此這種“合作中的競爭”成為必然選擇。

英飛凌與羅姆的合作從供應鏈安全出發，為客戶建立冗余供應機制，增強了應用推廣的穩定性，碳化硅產業在規模化應用階段更強調互操作性和可靠性，而不僅是單純的性能指標。

合作的核心并非簡單的產能共享，而是圍繞封裝技術的深度互補。SiC 器件在工作過程中需要應對高電壓、高頻和高熱流密度，封裝設計直接決定了系統效率與可靠性。

◎ 英飛凌的貢獻主要在于其創新的頂部散熱封裝平臺（TOLT、D-DPAK、Q-DPAK 等系列），封裝統一在 2.3 毫米高度，使散熱路徑更直接，系統無需額外的絕緣金屬基板，從而降低了散熱系統成本。

頂部冷卻設計還減少了寄生電感和熱阻，功率密度提升幅度最高可達兩倍。對系統設計者而言，這意味著更小的體積、更低的損耗和更快的充電速度，特別適合電動汽車車載充電器和快充樁等對效率和空間敏感的場景。

◎ 羅姆的優勢則集中在其獨特的 DOT-247 半橋結構。通過將兩個 TO-247 封裝并聯構成模塊化設計，DOT-247 將熱阻降低約 15%，寄生電感減少 50%，功率密度達到傳統 TO-247 的 2.3 倍。

這一設計為系統提供了更高的功率輸出能力和設計自由度，尤其適合牽引逆變器和數據中心電源等高電流場景。

此外，羅姆的第四代溝槽型 SiC MOSFET 也在開關損耗與短路耐受能力之間取得了平衡，兼顧了效率與可靠性。

羅姆將采用英飛凌的頂部散熱平臺，而英飛凌也將引入羅姆的 DOT-247 模塊技術。這種雙向引入不僅豐富了各自的產品組合，還推動了封裝標準化。對于下游客戶而言，統一的封裝高度、可互換的模塊化設計意味著更低的設計門檻和更高的系統可維護性。

未來，雙方還計劃將合作擴展至氮化鎵等其他寬禁帶材料，為下一階段的高頻應用提供更多選擇。

技術互補不僅僅是產品的疊加，而是封裝理念的融合：英飛凌強調標準化和系統集成，羅姆強調模塊化和功率極限，有助于形成更廣覆蓋的解決方案矩陣。

合作的價值在于將英飛凌的頂部散熱平臺與羅姆的半橋模塊優勢結合，提升整體功率密度與設計靈活性。其本質是通過標準化和模塊化兼容，降低客戶設計復雜度，加速 SiC 技術在不同應用場景的落地。

英飛凌與羅姆是供應鏈風險管理的務實選擇，通過建立互為第二供應商的機制，兩家公司在市場競爭中保持獨立的同時，為客戶提供了更穩定、更靈活的選擇。

通過技術互補，雙方將先進的頂部散熱平臺與半橋模塊封裝整合進統一體系，提升了功率密度和可靠性，降低了設計復雜性。