120億！安徽晶鎂光罩項目開工

據悉，該項目規劃總投資120億元，位于復興路與火龍地路交口東南角，用地面積約45.6畝，聚焦28nm及以上半導體光罩的研發、生產和銷售等。

本次開工的一期項目投資65億元，將建設全新的高標準自動化產線，預計2027年投產，滿產后月產能可達3,200片。項目建成后，將有效緩解國內高端光罩長期依賴進口的局面，提升產業鏈國產化水平，強化自主可控能力。

據介紹，安徽晶鎂光罩有限公司已擁有一條成熟產線，并于2024年7月成功實現省內首片光罩下線，同年10月實現首批光罩產品下線量產，具備扎實的技術根基與成熟的產線運營經驗。作為獨立第三方半導體高端光罩廠，晶鎂將以靈活的服務模式、高效的生產能力和可靠的產品質量，精準對接國內外市場對高端光罩的需求。

光刻掩模(光罩)是微電子制造中用于電路圖形轉移的核心工具，由透光基板(石英玻璃為主)和遮光層(鉻質材料居多)構成，通過透光與非透光區域將設計圖案復制至基板或晶圓表面。

光罩是一種特殊的“模版”，由兩部分組成：

基底材料：石英。石英具有高透明度和低熱膨脹系數的特性，是光罩的主體。其透明性使得光源可以穿透，而低熱膨脹系數確保其在加工和使用中形狀穩定，不會因溫度變化而發生變形。

遮光材料：鉻。鉻是一種高穩定性、耐腐蝕的金屬材料，鍍在石英表面形成遮光圖案。設計的電路圖形就是通過對鉻進行精確的圖形化處理實現的。

類比：可以將光罩比喻為印刷中的“印版”，石英就像一張優質的透明底紙，而鉻圖案是我們設計好的文字或圖案，用來投影到“印刷紙”(晶圓)上。

其類型包含二元掩膜版(I線至193nm)、相移掩膜版(改善分辨率)及EUV掩膜版(適配7nm/5nm制程)，制作工藝涵蓋CAM圖檔處理、激光光刻、蝕刻及缺陷檢測等12道工序。

該技術采用光刻法在金屬層刻蝕圖形，需通過一組可精確套刻的掩模版實現批量生產  。隨著芯片制程縮小，掩模版需結合逆向設計與光學補償技術修正衍射效應，EUV技術采用反射式掩模并依賴真空環境  。2023年全球市場規模達95.28億美元，半導體領域占60%份額，主要供應商為日本凸版印刷、美國Photronics及大日本印刷。

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