10月28日，揚杰科技先進封裝項目（一期）開工儀式在五號廠區舉行。據介紹，項目占地23畝，計劃新建一棟三層混凝土框架結構生產廠房，建筑面積近3.7萬平方米，核心是引進建設國際先進水平的封裝生產線。標志著揚杰科技在突破關鍵技術瓶頸、完善“芯片設計-制造-封裝”IDM全產業鏈布局中邁出關鍵一步。
圖片來源：揚杰科技
資料顯示，揚杰科技是國內領先的功率半導體企業，集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業鏈垂直一體化（IDM）。公司產品已覆蓋整流器件、保護器件、小信號、MOSFET、IGBT、SiC等全系列產品。
不久前的10月20日，揚杰科技公布了2025年第三季度財報，報告顯示，第三季度營業收入約18.93億元，同比增長21.47%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約為3.72億元，比2024年同期增長52.40%。前三季度累計營業收入約53.48億元，比2024年同期增長20.89%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約為9.73億元，比2024年同期增長45.51%。
揚杰科技十年碳化硅之路
作為國內功率半導體IDM模式的標桿企業，揚杰科技自2015年起深耕碳化硅（SiC）領域。近年來在碳化硅研發、產能及市場等方面均取得實質性突破。
2015年揚杰科技募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發及產業化建設項目，正式開啟在碳化硅領域的布局。
2023年4月，揚杰科技與江蘇省揚州市邗江區簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬投資新建6英寸晶圓生產線項目，總投資約10億元，項目全部建成投產后，將形成6英寸SiC晶圓產能5000片/月。6月，揚杰科技宣布與東南大學簽署合作協議，組建 “東南大學 — 揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯合研發中心”，在功率半導體領域進行深層次合作。
2024年，揚杰科技完成SiC晶圓廠房裝修、設備搬入并實現通線，采用IDM技術實現650?V/1200V SiC SBD從第二代升級至第四代，MOSFET從第二代升級至第三代。
同年年底，揚杰科技投產兩條車規級SiC模塊封裝產線，已研制出車載SiC模塊樣品并獲得多家Tier?1及整車廠測試合作意向，計劃2025年實現國產主驅SiC模塊批量上車。
在海外布局方面，揚杰科技2024年還在越南設立封測子公司，提升海外交付能力，成為公司“國內?越南雙軌”供應鏈的重要支點。
今年5月，SiC車規級功率半導體模塊封裝項目正式開工，該項目計劃總投資10億元，占地62畝，聚焦車規級框架式、塑封式IGBT模塊及SiC MOSFET模塊等第三代半導體產品的研發與生產，旨在通過技術突破實現進口替代，推動國內半導體產業自主可控發展。
在此前的半年報中，揚杰科技提到，公司將持續增加對第三代半導體芯片行業的投入，加大在以SiC為代表的第三代半導體功率器件等產品的研發力度。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市場份額持續增加，當前各類產品已廣泛應用于AI服務器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲能、工業電源等領域。
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