----追光逐電 光引未來(lái)----
在 2025 年 SEMI 3D & SYSTEMS SUMMIT 上，Yole Group技術(shù)與市場(chǎng)分析師 Vishal Saroha 發(fā)布的《高性能封裝（2.5D/3D）與共封裝光學(xué)（CPO）現(xiàn)狀報(bào)告》，精準(zhǔn)捕捉了半導(dǎo)體行業(yè) “后摩爾時(shí)代” 的技術(shù)轉(zhuǎn)向核心。報(bào)告以摩爾定律減速為切入點(diǎn)，系統(tǒng)剖析了高端性能封裝與 CPO 兩大關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀、市場(chǎng)潛力及產(chǎn)業(yè)鏈格局，為行業(yè)提供了從技術(shù)選型到市場(chǎng)布局的完整參考框架。
一、行業(yè)背景：摩爾定律困境倒逼技術(shù)路徑轉(zhuǎn)型
1. 摩爾定律 “減速但未停擺”，成本瓶頸成關(guān)鍵制約
報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，摩爾定律雖仍成立，但受原子物理極限制約，演進(jìn)速度顯著放緩：一方面，先進(jìn)制程的設(shè)計(jì)成本呈指數(shù)級(jí)飆升 ——90nm 制程設(shè)計(jì)成本僅 1500 萬(wàn)美元，而 2026 年 3nm 制程設(shè)計(jì)成本將突破 10 億美元，較 7nm（5.42 億美元）增幅超 80%；另一方面，晶圓制造成本同樣高企，35?（約 3.5nm）制程的 “每百萬(wàn)晶體管制造成本” 雖較 7nm 略有下降，但新建先進(jìn)制程晶圓廠的投資規(guī)模動(dòng)輒數(shù)百億美元，對(duì)多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景而言 “性價(jià)比失衡”。
更嚴(yán)峻的是，制程演進(jìn)帶來(lái)的性能提升邊際遞減。從 2002 年 180nm 到 2022 年 7nm，微處理器單線程性能增長(zhǎng)約 10 倍，但 2022 年后 7nm 到 35? 的性能增幅不足 20%，且伴隨功耗密度上升 —— 典型功耗從 90nm 時(shí)代的 10W 級(jí)躍升至 7nm 時(shí)代的 100W 級(jí)，傳統(tǒng) “制程迭代驅(qū)動(dòng)性能提升” 的路徑難以為繼。
2. 破局方向：芯粒與異構(gòu)集成 + 先進(jìn)封裝
面對(duì)成本與性能的雙重困境，行業(yè)形成共識(shí)：通過(guò)芯粒（Chiplet）與異構(gòu)集成，結(jié)合 2.5D/3D、扇出型封裝（Fan-out）等先進(jìn)封裝（AP）技術(shù)，以 “系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）” 替代單一制程 SoC，成為降本、提效、縮短上市時(shí)間的核心路徑。
報(bào)告指出，芯粒技術(shù)的核心價(jià)值在于 “化整為零”：將傳統(tǒng)單一芯片拆解為多個(gè)功能芯粒（如計(jì)算芯粒、存儲(chǔ)芯粒、I/O 芯粒），每個(gè)芯?？刹捎米钸m配的制程（如計(jì)算芯粒用 3nm，存儲(chǔ)芯粒用 28nm），既降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度，又提升晶圓利用率（單晶圓可切割更多芯粒，良率提升 30% 以上）。而實(shí)現(xiàn)芯粒互聯(lián)的關(guān)鍵，正是 2.5D/3D 等高端封裝技術(shù) —— 通過(guò)中介層（Interposer）、混合鍵合（Hybrid Bonding）等方案，實(shí)現(xiàn)芯粒間高密度、低延遲互連，最終等效于 “單一高性能芯片” 的系統(tǒng)能力。
3. 資本投入：頭部廠商加碼先進(jìn)封裝賽道
從資本開(kāi)支（CapEx）數(shù)據(jù)可清晰看到行業(yè)的戰(zhàn)略傾斜：2023-2024 年，IDM / 代工廠陣營(yíng)中，三星（438 億美元）、臺(tái)積電（306 億美元）、Intel（258 億美元）的 CapEx 規(guī)模位居前三，其中超 40% 用于先進(jìn)封裝相關(guān)產(chǎn)能建設(shè)；OSAT（外包半導(dǎo)體封裝測(cè)試）陣營(yíng)中，ASE（長(zhǎng)電科技）2024 年 CapEx 達(dá) 18.28 億美元，較 2023 年翻倍，Amkor（安靠）、JCET（長(zhǎng)電科技）也分別投入 7.49 億、4.57 億美元，重點(diǎn)布局 2.5D Si 中介層、混合鍵合等技術(shù)。
從長(zhǎng)期趨勢(shì)看，2022-2025 年全球 OSAT 總 CapEx 將從 35 億美元增至 57 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）達(dá) 18%，顯著高于傳統(tǒng)封裝業(yè)務(wù)增速，印證了先進(jìn)封裝成為行業(yè)投資焦點(diǎn)。
二、高性能封裝：2.5D/3D 技術(shù)主導(dǎo) “后摩爾時(shí)代” 性能提升
Yole 將高端性能封裝明確劃分為 2.5D 與 3D 兩大技術(shù)體系，兩者各有側(cè)重但協(xié)同互補(bǔ)，共同支撐芯粒異構(gòu)集成的落地。
1. 技術(shù)分類：從 “平面互連” 到 “立體堆疊”
2.5D 封裝：中介層為核心，平衡性能與成本
2.5D 封裝通過(guò) “中介層（Interposer）” 實(shí)現(xiàn)多個(gè)芯粒的平面互連，核心優(yōu)勢(shì)是 “兼容現(xiàn)有芯粒設(shè)計(jì)，互連密度高于傳統(tǒng)基板”。報(bào)告將其細(xì)分為三類：
Si 中介層：采用硅材質(zhì)中介層，互連密度最高（I/O 密度＞1000/mm2），典型方案如臺(tái)積電 CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）、Intel EMIB（嵌入式多芯片互連橋），主要用于 AI 芯片、高端 GPU 等高性能場(chǎng)景；
嵌入式 Si 橋：將硅橋嵌入有機(jī)基板，成本低于 Si 中介層，代表方案為 ASE FOCoS-Bridge、JCET XDFOI-EB；
超高密度扇出（UHD FO）：通過(guò)薄膜重布線層（RDL）實(shí)現(xiàn)高密度互連，無(wú)需中介層，成本最低，適用于中高端智能手機(jī) SoC、汽車(chē)電子等場(chǎng)景。
3D 封裝：立體堆疊突破物理極限
3D 封裝通過(guò) “芯粒堆疊（Die-to-Die/Wafer-to-Wafer）” 或 “混合鍵合（Hybrid Bonding）” 實(shí)現(xiàn)立體互連，互連延遲較 2.5D 降低 50% 以上，是未來(lái) “存儲(chǔ) - 計(jì)算融合” 的核心技術(shù)。報(bào)告重點(diǎn)提及三類方向：
3D SoC：采用混合鍵合實(shí)現(xiàn)芯粒垂直堆疊，如臺(tái)積電 SoIC（System on Integrated Chips）、三星 X-Cube，2024-2030 年 CAGR 高達(dá) 949%，是增長(zhǎng)最快的細(xì)分技術(shù)；
3D 內(nèi)存：包括高帶寬內(nèi)存（HBM）、3D NAND、CBA DRAM（CMOS 鍵合陣列 DRAM），其中 HBM 因適配 AI 芯片高帶寬需求，2030 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 42 億美元（CAGR 61%）；
3D 堆疊 DRAM（3DS）：通過(guò) TSV（硅通孔）與微凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)堆疊，SK 海力士、美光為主要玩家，2030 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 18 億美元（CAGR 28%）。
2. 市場(chǎng)規(guī)模：2030 年突破 285 億美元，3D 技術(shù)成增長(zhǎng)引擎
報(bào)告預(yù)測(cè)，2024-2030 年全球端性能封裝市場(chǎng)規(guī)模將從 79 億美元增至 285 億美元，CAGR 達(dá) 23%，其中：
3D 技術(shù)貢獻(xiàn)主要增量：3D SoC（80 億美元，CAGR 949%）、HBM（42 億美元，CAGR 61%）、CBA DRAM（17 億美元，CAGR 54%）合計(jì)占 2030 年市場(chǎng)規(guī)模的 48%；
2.5D 技術(shù)穩(wěn)步增長(zhǎng)：Si 中介層（32 億美元，CAGR 16%）、UHD FO（18 億美元，CAGR 26%）作為當(dāng)前主流方案，仍將保持穩(wěn)健增速；
應(yīng)用驅(qū)動(dòng)明確：數(shù)據(jù)中心（AI 服務(wù)器、交換機(jī)）、高性能計(jì)算（HPC）、自動(dòng)駕駛（Robotaxi、ADAS）是核心需求場(chǎng)景，三者合計(jì)貢獻(xiàn)超 70% 的市場(chǎng)需求，AR/VR、高端消費(fèi)電子則為新興增長(zhǎng)點(diǎn)。
3. 供應(yīng)鏈格局：“頭部代工廠主導(dǎo)高端，OSAT 深耕中低端”
高端技術(shù)：臺(tái)積電、三星、Intel 三足鼎立
三家企業(yè)在混合鍵合、3D SoC、Si 中介層等高端領(lǐng)域形成壟斷：臺(tái)積電 CoWoS 產(chǎn)能占全球 80% 以上，支撐 NVIDIA H100、AMD MI300 等 AI 芯片；三星以 X-Cube 和 HBM 為突破口，2024 年 HBM 市占率達(dá) 35%；Intel 則通過(guò) Foveros（3D 封裝）+EMIB（2.5D 互連）組合，應(yīng)用于 Ponte Vecchio 等 HPC 芯片。
中低端技術(shù)：OSAT 企業(yè)為核心玩家
ASE（長(zhǎng)電科技）、Amkor（安靠）、JCET（長(zhǎng)電科技）、Huatian（華天科技）等 OSAT 企業(yè)，在 UHD FO、嵌入式 Si 橋、傳統(tǒng) 2.5D 封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。其中 ASE 2024 年 CapEx 達(dá) 18.28 億美元，重點(diǎn)擴(kuò)充 FOCoS（扇出型芯片級(jí)系統(tǒng)）產(chǎn)能，成為中低端先進(jìn)封裝的 “產(chǎn)能支柱”。
互補(bǔ)關(guān)系顯著：IDM / 代工廠負(fù)責(zé)高端技術(shù)研發(fā)與核心產(chǎn)能，OSAT 則提供中低端產(chǎn)能配套及定制化服務(wù)，形成 “高端攻堅(jiān) + 中低端放量” 的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同格局。
三、共封裝光學(xué)（CPO）：數(shù)據(jù)中心光互連的 “下一代方案”
隨著 AI 服務(wù)器、超算對(duì) “高帶寬、低延遲、低功耗” 光互連需求的爆發(fā)，共封裝光學(xué)（CPO）從眾多技術(shù)路線中脫穎而出，成為報(bào)告重點(diǎn)關(guān)注的另一核心領(lǐng)域。
1. 技術(shù)演進(jìn)：從 “可插拔” 到 “共封裝”，CPO 突破 I/O 瓶頸
傳統(tǒng)光互連方案（如可插拔光模塊、OBO 板載光學(xué)）存在 “互連損耗高、功耗占比大” 的痛點(diǎn) —— 可插拔模塊的功耗占服務(wù)器總功耗的 30% 以上，且?guī)捥嵘芟抻谖锢斫涌?。?CPO 通過(guò) “將光學(xué)引擎（OE）與交換機(jī) ASIC/AI 芯片共封裝”，實(shí)現(xiàn)光互連與芯片的 “零距離” 對(duì)接，核心優(yōu)勢(shì)顯著：
功耗降低 40%：省去可插拔模塊的金屬外殼、連接器等冗余結(jié)構(gòu)，每 100G 帶寬功耗從 7W 降至 4W 以下；
帶寬提升 3 倍：通過(guò) 2.5D/3D 封裝實(shí)現(xiàn)光學(xué)引擎與芯片的高密度互連，單芯片支持 1.6T-3.2T 帶寬；
延遲降低 50%：互連距離從米級(jí)縮短至毫米級(jí)，信號(hào)延遲從 100ns 降至 50ns 以下。
報(bào)告明確指出，OBO（板載光學(xué)）因未實(shí)現(xiàn)商業(yè)化、產(chǎn)能受限，難以成為主流；而 CPO 已進(jìn)入 “規(guī)模出貨前夕”——Broadcom 已實(shí)現(xiàn)低批量交付，NVIDIA、Intel 計(jì)劃 2025-2026 年推出 CPO 集成產(chǎn)品，成為數(shù)據(jù)中心光互連的 “終極方案”。
2. 市場(chǎng)潛力：2024-2030 年 CAGR 超 120%，Scale-Up 場(chǎng)景成主力
從市場(chǎng)規(guī)?？?，CPO 呈現(xiàn) “爆發(fā)式增長(zhǎng)” 態(tài)勢(shì)：2024 年全球 Datacom CPO 市場(chǎng)規(guī)模僅 6700 萬(wàn)美元（其中 Scale-Up 網(wǎng)絡(luò) 4600 萬(wàn)美元，Scale-Out 網(wǎng)絡(luò) 2100 萬(wàn)美元），2030 年將增至 80 億美元，CAGR 高達(dá) 121%。
Scale-Up 網(wǎng)絡(luò)（大型數(shù)據(jù)中心核心交換機(jī)）：因?qū)捫枨笞钇惹校▎味丝谛?800G-1.6T），2030 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 54 億美元（CAGR 119%），占 CPO 總市場(chǎng)的 67.5%；
Scale-Out 網(wǎng)絡(luò)（邊緣數(shù)據(jù)中心葉脊交換機(jī)）：需求增速更快，2024-2030 年 CAGR 達(dá) 124%，2030 年市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 26 億美元；
HPC/AI 場(chǎng)景：超算、AI 訓(xùn)練集群對(duì)低延遲需求高，2026 年將進(jìn)入 “試點(diǎn)測(cè)試” 階段，2030 年實(shí)現(xiàn)規(guī)?；渴?，成為 CPO 的第三大應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 廠商實(shí)踐：從技術(shù)方案到產(chǎn)能布局，產(chǎn)業(yè)鏈加速成熟
報(bào)告梳理了 CPO 領(lǐng)域的核心廠商動(dòng)態(tài)，形成 “設(shè)計(jì) - 封裝 - 終端” 的完整產(chǎn)業(yè)鏈布局：
代工廠 / IDM：臺(tái)積電推出 COUPE 方案（CoWoS+SoIC 集成 EIC/PIC/FAU），實(shí)現(xiàn)光學(xué)引擎與芯片的 3D 共封裝；Intel 采用 EMIB 技術(shù)連接光學(xué)引擎與 XPU，同時(shí)通過(guò) TSV 實(shí)現(xiàn) EIC（電子集成電路）與 PIC（光子集成電路）的 3D 堆疊；
OSAT：ASE 基于 VIPack?平臺(tái)，結(jié)合高精度激光鍵合、2.5D/3D TSV 技術(shù)，提升 CPO 封裝良率至 95% 以上；Amkor 推出 S-Connect 方案，聚焦中低端 CPO 市場(chǎng)；
終端廠商：NVIDIA 計(jì)劃 2025 年將光學(xué)引擎集成至 Hopper 下一代 GPU；Broadcom 已推出 112G SerDes CPO 交換機(jī)芯片，2024 年實(shí)現(xiàn)低批量交付；
光學(xué)組件廠商：Lumentum、Coherent 提供高功率激光器，Molex、Arista 提供光纖連接組件，共同支撐 CPO 光學(xué)引擎的規(guī)?；a(chǎn)。
4. 產(chǎn)業(yè)鏈圖譜：多環(huán)節(jié)協(xié)同，生態(tài)構(gòu)建成關(guān)鍵
CPO 產(chǎn)業(yè)鏈涵蓋 “上游組件 - 中游封裝 - 下游應(yīng)用” 三大環(huán)節(jié)，需跨領(lǐng)域協(xié)同：
上游：激光器（CW-DFB、量子點(diǎn)激光器）、光學(xué)引擎（PIC/EIC）、光纖組件（MPO 連接器）；
中游：封裝測(cè)試（混合鍵合、2.5D/3D 封裝、光性能測(cè)試）；
下游：數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商（AWS、Meta、騰訊）、交換機(jī)廠商（Cisco、Arista）、AI 服務(wù)器廠商（Dell、HPE）。
報(bào)告特別強(qiáng)調(diào)，CPO 的成功依賴 “生態(tài)協(xié)同”—— 需 IEEE、OIF 等標(biāo)準(zhǔn)組織推動(dòng)接口標(biāo)準(zhǔn)化，ASIC 廠商與光學(xué)廠商聯(lián)合定義技術(shù)規(guī)格，數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商提前規(guī)劃基礎(chǔ)設(shè)施改造，缺一不可。
四、核心挑戰(zhàn)：從技術(shù)落地到生態(tài)成熟，CPO 與高端封裝仍需跨越多重門(mén)檻
盡管市場(chǎng)前景廣闊，但報(bào)告也客觀指出了當(dāng)前高端封裝與 CPO 面臨的五大核心挑戰(zhàn)：
1. 供應(yīng)鏈成熟度不足
高端封裝：混合鍵合設(shè)備（如應(yīng)用材料的 Bonding 系統(tǒng)）、Si 中介層晶圓產(chǎn)能（臺(tái)積電、GlobalFoundries）集中于少數(shù)廠商，2024-2025 年仍將面臨 “產(chǎn)能缺口”；
CPO：光學(xué)引擎（PIC+EIC）的規(guī)?；a(chǎn)能力有限，僅 Broadcom、Intel 等少數(shù)廠商能實(shí)現(xiàn)良率＞90%，多數(shù)中小廠商仍處于 “技術(shù)驗(yàn)證階段”。
2. 熱管理難題凸顯
高端封裝中，3D SoC 的芯粒堆疊密度達(dá) 1000/mm2，功耗密度超 500W/cm2，傳統(tǒng)散熱片 + 風(fēng)扇方案難以滿足需求，需采用 “均熱板 + 液冷” 組合，成本增加 20%-30%；
CPO 中，光學(xué)引擎與芯片共封裝后，局部溫度可達(dá) 85℃以上，超過(guò)激光器（60℃）的耐受極限，需開(kāi)發(fā) “分布式散熱” 技術(shù)，如嵌入式微流道冷卻。
3. 標(biāo)準(zhǔn)化與兼容性缺失
高端封裝：芯?；ミB接口（如 UCIe、CCIX）雖有標(biāo)準(zhǔn)，但不同廠商的實(shí)現(xiàn)方案存在差異（如臺(tái)積電 CoWoS 與三星 I-CubeE 的互連協(xié)議不兼容），導(dǎo)致芯粒 “跨廠商復(fù)用” 難度大；
CPO：多數(shù)廠商采用專有接口（如 Broadcom 的 Optics Interconnect、NVIDIA 的 GPU-Optics），未形成統(tǒng)一 IEEE 標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商面臨 “供應(yīng)商鎖定” 風(fēng)險(xiǎn)。
4. 成本與測(cè)試門(mén)檻高
成本：3D SoC 的封裝成本是傳統(tǒng)封裝的 5-8 倍，CPO 的初始部署成本比可插拔模塊高 40%，需通過(guò)規(guī)?；?026 年 CPO 量產(chǎn)達(dá) 100 萬(wàn)套）將成本降至可接受范圍；
測(cè)試：高端封裝的芯粒級(jí)測(cè)試（如已知良好芯粒 KGD 測(cè)試）、CPO 的光 - 電協(xié)同測(cè)試，需專用設(shè)備（如 Teradyne 的 CPO 測(cè)試系統(tǒng)），單臺(tái)設(shè)備成本超 100 萬(wàn)美元，中小廠商難以承擔(dān)。
5. 可靠性與維護(hù)挑戰(zhàn)
可靠性：混合鍵合的金屬 - 金屬鍵合界面易受溫度變化影響，長(zhǎng)期可靠性（5-7 年）需驗(yàn)證；CPO 的光學(xué)組件（如光纖連接器）的插拔壽命僅 500 次，低于可插拔模塊的 1000 次；
維護(hù)：CPO 采用 “整體封裝” 設(shè)計(jì)，局部故障需更換整個(gè)模塊，導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心停機(jī)時(shí)間增加 30%，需開(kāi)發(fā) “可維修 CPO” 方案（如局部可拆卸光學(xué)引擎）。
五、未來(lái)展望：技術(shù)協(xié)同與生態(tài)構(gòu)建，開(kāi)啟半導(dǎo)體 “系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新” 時(shí)代
Yole 報(bào)告認(rèn)為，盡管面臨挑戰(zhàn)，但高端封裝與 CPO 的技術(shù)方向已明確，2025-2030 年將進(jìn)入 “規(guī)模化落地期”，并呈現(xiàn)三大趨勢(shì)：
1. 技術(shù)協(xié)同：高端封裝與 CPO 深度融合
未來(lái)，3D SoC 將與 CPO 結(jié)合，實(shí)現(xiàn) “計(jì)算芯粒 + 存儲(chǔ)芯粒 + 光學(xué)引擎” 的三維共封裝 —— 如臺(tái)積電計(jì)劃 2027 年推出 “CoWoS+SoIC+COUPE” 一體化方案，單芯片集成 GPU、HBM、光學(xué)引擎，帶寬達(dá) 6.4T，功耗降低 50%，將成為 AI 超算的核心架構(gòu)。
2. 生態(tài)成熟：標(biāo)準(zhǔn)化與產(chǎn)業(yè)鏈分工明確
標(biāo)準(zhǔn)化：UCIe 2.0 標(biāo)準(zhǔn)將實(shí)現(xiàn)芯粒 “跨廠商、跨制程” 兼容，IEEE 802.3ct 標(biāo)準(zhǔn)將明確 CPO 的電 - 光接口規(guī)范，2026 年有望完成；
分工：IDM / 代工廠聚焦高端技術(shù)研發(fā)（如 3D 混合鍵合），OSAT 專注中低端產(chǎn)能擴(kuò)張（如 UHD FO），光學(xué)廠商專注 CPO 組件標(biāo)準(zhǔn)化（如通用光學(xué)引擎），形成 “各司其職、協(xié)同共贏” 的產(chǎn)業(yè)鏈格局。
3. 應(yīng)用拓展：從數(shù)據(jù)中心到自動(dòng)駕駛
數(shù)據(jù)中心：2028 年 CPO 在 800G 以上光模塊中的滲透率將超 50%，成為主流方案；
自動(dòng)駕駛：3D 封裝將實(shí)現(xiàn) “車(chē)規(guī)級(jí) SoC + 激光雷達(dá) PIC + 車(chē)聯(lián)網(wǎng)模組” 的共封裝，滿足自動(dòng)駕駛對(duì)低延遲、高可靠性的需求；
AR/VR：UHD FO 封裝將支撐 “微顯示芯片 + 傳感器 + 無(wú)線模組” 的小型化集成，推動(dòng) AR 眼鏡重量降至 50g 以下。
結(jié)語(yǔ)
Yole 的報(bào)告清晰地表明，半導(dǎo)體行業(yè)正從 “制程驅(qū)動(dòng)” 轉(zhuǎn)向 “系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)”，高性能封裝與 CPO 是這一轉(zhuǎn)型的核心技術(shù)載體。盡管當(dāng)前面臨成本、標(biāo)準(zhǔn)化、供應(yīng)鏈等多重挑戰(zhàn)，但隨著頭部廠商的持續(xù)投入、生態(tài)協(xié)同的深化，兩大技術(shù)將在 2030 年前重塑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局 —— 不僅支撐 AI、超算、自動(dòng)駕駛等前沿領(lǐng)域的發(fā)展，更將開(kāi)啟 “芯粒異構(gòu)集成 + 光 - 電協(xié)同” 的系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新時(shí)代，為半導(dǎo)體行業(yè)注入新的增長(zhǎng)動(dòng)力。
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