近日,全球增強型氮化鎵(eGaN)功率器件企業宜普電源轉換公司(EPC)宣布,已與瑞薩電子(Renesas)簽署一項全面的技術許可及第二來源(Second Sourcing)合作協議。
根據該協議,#瑞薩 將獲得#EPC 經市場驗證的低壓eGaN技術及其成熟供應鏈生態系統的使用權,旨在通過全球聯盟形式加速高性能氮化鎵(GaN)解決方案在各行業的普及。
此次合作的核心在于技術的深度整合與供應保障。在未來的一年內,兩家公司將緊密協作,在瑞薩內部建立針對低壓GaN產品的晶圓制造能力。與此同時,瑞薩將作為EPC幾款熱門量產元件的合格第二供應商,這不僅增強了全球客戶的供應鏈韌性,也為市場提供了更具保障的供貨選擇。相比傳統硅基材料,GaN電晶體具備更高的轉換效率、更快的切換速度及更小的封裝尺寸,正在深刻重塑從消費電子到人工智能(AI)數據中心的電源轉換架構。
官方新聞稿指出,此次合作是瑞薩電子完善其功率半導體版圖的關鍵舉措。繼近期完成對Transphorm的收購(主攻650V以上高壓領域)后,引入EPC的低壓eGaN專業技術使瑞薩能夠提供涵蓋1V至650V+全譜系的GaN功率組合。瑞薩電子副總裁Rohan Samsi表示,該協議使瑞薩能夠捕捉高速增長的電源市場,特別是針對從48V降至1V的AI電源架構、用戶端運算及電池供電應用。
EPC首席執行官Alex Lidow強調,雙方聯手構建的這一全球聯盟,將通過提供最先進的能效方案來顯著降低AI數據中心的運營成本,并強化自主系統的性能表現。面對硅材料物理極限對系統微型化的束縛,這一戰略聯盟被視為推動半導體行業步入“氮化鎵革命”新階段的重要里程碑,將為追求高功率密度與低碳足跡的電子設計人員提供強大的技術支撐。


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