SK keyfoundry 稱完成 SiC Planar MOSFET 工藝平臺，覆蓋 450V–2300V，并獲得高壓工況下的可靠性與穩定性數據。
這句話的含義是：它在對外定義一個“可擴展的工藝底座”。在SiC里，做出一顆樣品不難，難的是把電壓段、目標應用、客戶版圖差異，最終收斂到一套可以反復復制的“平臺工藝包”。
同時還在公告中明確寫道：通過整體工藝優化與關鍵工序精控，良率提升到90%以上并提升生產效率。在8英寸/200mm的語境里，“良率”不是一個制造部門KPI，而是客戶是否敢導入的風險系數。
尤其對功率器件客戶來說，良率背后對應三件事：成本結構、批次一致性、交付可預測性。所以 SK 這句“>90%”實際上是在回答客戶最現實的問題：你把我從工程樣品帶到量產爬坡的概率有多高？
SK keyfoundry強調其提供差異化的“customized process support service”，可按客戶需求微調電特性與規格。
這一步很關鍵：當SiC走向平臺化競爭，贏的往往不是“最強器件”，而是“最快把客戶設計變成可量產產品”的那家。定制化工藝支持，本質就是把客戶工程（Customer Engineering）納入平臺能力。
SK keyfoundry 同時披露：獲得一位新客戶的 1200V SiC MOSFET 開發訂單（客戶為SiC設計公司），產品用于工業設備；在樣品與可靠性驗證后，計劃于 2027年上半年進入全面量產。
行業二次報道直接點題：平臺完成后立刻拿到商業訂單，說明平臺成熟度已具備“商業化就緒”的意味。
SK keyfoundry在2025年11月的公開稿里， 已明確給過節奏：目標 2025年底提供1200V SiC MOSFET工藝，并在 2026年上半年啟動SiC代工業務，應用錨定 EV動力系統、工業電源轉換、可再生能源逆變器等高壓高效場景。
而2026年3月這條“Planar平臺+良率>90%+新客戶訂單”，可以理解為：路線圖里的“foundry化”終于到了可以對外用制造指標說話的階段。
碳化硅產品擴徑后，單點優化不夠用了，必須靠系統工程把波動壓下去。200mm意味著更高的設備要求、更復雜的過程窗口、更敏感的批次一致性管理。于是競爭從“做出一顆好器件”轉向“把波動管理成可預測的制造系統”。
平臺化能把客戶導入從“項目制”變成“產品制”。SK強調“電特性/規格可微調”的定制服務，本質是在把客戶導入變成可復制流程。就像Infineon強調“虛擬工廠協同”，本質是在把爬坡與質量控制變成運營系統。
除此之外，平臺化會把行業利潤重新分配給“能交付”的人。當供給側產能擴張后，市場會越來越現實：誰能穩定交付、誰的導入節奏快、誰的良率與一致性更可控，誰才能在價格壓力下守住毛利。
除了代工平臺化以外，如果把全球玩家按“平臺化路徑”拆開，大致是五種路線在競速
路線A：垂直整合+200mm規模化（Wolfspeed）
Wolfspeed披露其Mohawk Valley 200mm SiC fab已到20% wafer start利用率，并指出Building 10材料工廠達到200mm晶圓生產目標以支持Mohawk Valley到2024年底約25%利用率，強調其“規模化的200mm垂直整合”。
此外，Wolfspeed在2025年宣布200mm SiC材料產品組合商業化發布，并稱200mm外延可“立即導入認證”，以幫助客戶提升MOSFET良率、加快上市，并強調厚度、摻雜與均勻性等材料層面的可規模質量。材料平臺化，是它的“上游護城河”。
路線B：雙廠協同的“虛擬工廠”+分階段爬坡（Infineon）
Infineon明確表示在2025年一季度向客戶交付首批基于200mm SiC的產品（Villach制造），并稱Kulim從150mm向200mm轉換“完全按計劃推進”，新建Module 3“準備開始高產量生產”。
它還強調Villach與Kulim共享技術與流程（“One Virtual Fab”概念），以實現更快爬坡、成本效率與質量兼顧——這是一種典型的“平臺化運營能力”。
路線C：一體化園區，把“從襯底到模塊”做成規模系統（ST）
ST宣布在意大利Catania建設“Silicon Carbide Campus”，強調在同一園區內覆蓋襯底、外延、200mm前道、封裝測試到模塊裝配，目標2026年投產，到2033年滿產可達15,000片/周，并明確“200mm技術用于提升良率與性能”。
同時，ST在更新中提到該園區進展“按計劃推進”，并稱200mm晶圓生產計劃在2025年四季度開始——這把“平臺化”從宏大規劃落到了更明確的爬坡節點。
路線D：并購存量200mm產線，快速切入SiC（Bosch）
Bosch計劃收購TSI（美國Roseville），并稱未來幾年投資超15億美元將其轉為SiC工藝，目標是2026年開始在200mm晶圓上生產SiC芯片。這是一種“買現成200mm制造能力，再轉SiC”的路線，核心是時間窗口與產線改造能力。
路線E：歐洲本土“端到端”SiC供應鏈（onsemi）
onsemi宣布計劃在捷克建設“垂直整合”的SiC制造基地，規劃投資可達20億美元，強調從晶體到先進封裝的能力，服務電動化、可再生能源與AI數據中心需求。onsemi
隨后歐洲媒體披露歐委會批準捷克對該項目的4.5億歐元支持，并稱項目目標是在當地建立“從晶體生長到成品器件”的全流程產線，商業化輸出目標為2027年，并提到發展下一代200mm SiC技術等附帶要求。
把上面幾條路線放一起，你會發現所謂“8英寸SiC時代”，本質不是簡單擴徑，而是三種平臺能力的疊加：
1）制造平臺：良率、一致性、過程窗口、關鍵工序控制（SK把“>90%良率”公開化，就是把競爭焦點拉到這里）。
2）供應鏈平臺：材料（襯底/外延）、前道、后道封裝測試的協同與規模化（Wolfspeed的200mm材料商業化、ST的一體化園區、onsemi的端到端，都在搶這個制高點）。
3）客戶工程平臺：定制化工藝支持、可靠性驗證體系、導入節奏管理（Infineon“虛擬工廠”式協同，SK強調“按客戶需求微調電特性”，都在把foundry邏輯引入SiC）。
最后，我們想說的是，后續的規模市場里導入效率將越來越被重視。對于逐步進入8英寸時代國內企業而言，下一步需要更標準化的PDK/Design Enablement、清晰的可靠性驗證流程，以及面向工業/新能源/數據中心等場景的“規格—工藝—封裝—應用”聯動打法。
或許8英寸SiC真正的分水嶺，不是“有沒有200mm產線”，而是“有沒有可復用、可定制、可規模交付的工藝平臺”。當越來越多巨頭把籌碼壓在200mm與平臺化上，國內廠商要問自己的問題也許是：我們要做的是下一條8英寸線，還是下一套能持續拿訂單的工藝平臺？
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