揚(yáng)杰科技：2025年SiC產(chǎn)線稼動率超80%，出貨量再創(chuàng)新高

回顧2025年，碳化硅與氮化鎵行業(yè)在諸多領(lǐng)域斬獲亮眼成果，同時歷經(jīng)產(chǎn)業(yè)格局的深度調(diào)整與迭代。展望2026年，行業(yè)正站在新的發(fā)展節(jié)點(diǎn)，既迎來技術(shù)突破與場景擴(kuò)容的新機(jī)遇，也面臨產(chǎn)業(yè)優(yōu)化與市場競爭的新挑戰(zhàn)。

為解讀當(dāng)前產(chǎn)業(yè)態(tài)勢，明晰未來發(fā)展路徑，行家說三代半與行家極光獎聯(lián)合策劃了《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2026》專題報道，本期邀請企業(yè)為揚(yáng)杰科技。后續(xù)，我們將持續(xù)邀約更多行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)與權(quán)威人士參與《行家瞭望2026》專題，帶來深度洞見與前沿觀點(diǎn)，敬請持續(xù)關(guān)注。

行家說三代半：在過去一年，貴公司第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）業(yè)務(wù)主要做了哪些關(guān)鍵性工作？

揚(yáng)杰科技：不管是作為SiC依然卷的行業(yè)大背景，還是終端市場對于SiC越來越苛刻的高頻需求，對于SiC IDM的揚(yáng)杰，卷技術(shù)和成本都是唯一出路。

我們在2025年集所有人的努力，快速攻克了3.8um Pitch SiC MOS的所有技術(shù)、工藝、可靠性困難瓶頸，推出了YJ G3M代SiC MOS平臺，從成本能力和可以支持的高頻應(yīng)用上，我們認(rèn)為是取得了突破性進(jìn)展。

行家說三代半：2025 年貴公司的第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）業(yè)務(wù)取得了哪些成績？

揚(yáng)杰科技：2025年嚴(yán)格意義上說是我們IDM運(yùn)營的第一年，在Q4，我們實(shí)現(xiàn)了月出貨6英寸SiC晶圓超2000片以上，工廠稼動率達(dá)到80%以上，這是一個相當(dāng)不錯的成績。

在各個細(xì)分市場，不管是光儲、還是車載主驅(qū)，OBC、空壓機(jī)、消費(fèi)電源、AI，我們的二極管和SiC MOS都布局了針對性的產(chǎn)品平臺，以組合拳的形式去匹配各個細(xì)分市場的需求，所以在2025年IDM的SiC器件取得可見的增長，即便對于客戶導(dǎo)入周期漫長的SiC MOS，我們IDM都實(shí)現(xiàn)了240萬只的實(shí)際量產(chǎn)出貨記錄。

揚(yáng)杰科技：我認(rèn)為是“黎明前的黑暗“。SiC在2025年實(shí)際上是比2024年還要卷，尤其體現(xiàn)在SiC MOS的價格上，降幅尤甚2024年，2025年以前是SiC二極管的價格每年幾乎腰斬，2025年SiC MOS的價格直接腰斬，這也體現(xiàn)SiC行業(yè)的供需關(guān)系仍然是供遠(yuǎn)甚于求，但這個情況在2025年Q4有明顯的改善。

隨著新增SiC晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張的收緊，同時傳統(tǒng)SiC應(yīng)用（主驅(qū)、OBC、充電模塊）對國產(chǎn)SiC MOS需求復(fù)合增長的加速，以及新興SiC應(yīng)用（消費(fèi)電源、AI）的爆發(fā)，SiC晶圓工廠明顯感覺到供需關(guān)系發(fā)生了變化，在可以預(yù)見的數(shù)個季度內(nèi)，SiC需求的增長是遠(yuǎn)高于SiC新增產(chǎn)能的釋放的，尤其對于國產(chǎn)的SiC晶圓產(chǎn)能。

行家說三代半：您認(rèn)為，從整個第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)角度，2025年有哪些可圈可點(diǎn)的進(jìn)步或者成績？

揚(yáng)杰科技：首先八英寸SiC技術(shù)的突破是非常明顯，由幾個八英寸SiC晶圓工廠牽頭，把下游商機(jī)往上游傳遞，打通了整個八英寸產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，八英寸不管是襯底還是外延，從產(chǎn)能、質(zhì)量、成本以及交付各個維度，都比2024年有大幅度的進(jìn)步。

第二是AI行業(yè)對SiC的青睞，從UPS到PSU到HVDC，當(dāng)前已經(jīng)市場化的AI供電架構(gòu)，都有大批量SiC MOS的實(shí)際應(yīng)用，這也帶來未來的800V電源系統(tǒng)中SiC在各個轉(zhuǎn)換單元都會大規(guī)模的普及。

當(dāng)然AI目前是海外SiC品牌推動為主，但第三點(diǎn)，消費(fèi)類電源行業(yè)SiC革命卻是國內(nèi)SiC玩家?guī)淼模谙M(fèi)電源LLC和反激電路中，國內(nèi)客戶首先嗅到了國產(chǎn)SiC MOS已經(jīng)具備了可以替代SJ MOS的所有條件，并在黑電、LED驅(qū)動等諸多細(xì)分領(lǐng)域率先實(shí)現(xiàn)了SiC方案的成功案例，不管是成本還是效率，SiC對于消費(fèi)電源都是一場正在進(jìn)行的革命。

行家說三代半：當(dāng)前第三代半導(dǎo)體行業(yè)面臨的主要問題是什么？未來有哪些技術(shù)路徑可能突破這些限制？

揚(yáng)杰科技：我覺得SiC目前短期（2-3年）的問題都是第三代半導(dǎo)體內(nèi)部的問題，隨著客戶許多應(yīng)用頻率的進(jìn)一步提高，尤其在800V以下的應(yīng)用環(huán)境內(nèi)，很多客戶下一代或下下一代產(chǎn)品都面臨SiC和GaN的取舍，對于SiC來說，要保持持續(xù)的競爭力，半超結(jié)或超結(jié)SiC的技術(shù)需要盡快的突破。

行家說三代半：如果用1個關(guān)鍵詞展望未來5年的第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，您會用哪個詞？請展開談?wù)勀目捶ā?/span>

揚(yáng)杰科技：我認(rèn)為是“戰(zhàn)國時代”，SiC的春秋時代即將過去，戰(zhàn)國時代即將來臨。SiC新增產(chǎn)能逐步放緩，市場增速加快，在很短的時間內(nèi)，SiC的供需關(guān)系會轉(zhuǎn)為良性，市場格局也會被若干有優(yōu)勢的SiC玩家瓜分占據(jù)，市場將從高速成長期慢慢轉(zhuǎn)為成熟期，各個行業(yè)的SiC占據(jù)者都會慢慢發(fā)展成這個行業(yè)的六邊形戰(zhàn)士，成本、質(zhì)量、交付、售后、應(yīng)用、研發(fā)都會形成護(hù)城河，想進(jìn)入這個行業(yè)的后續(xù)者的難度會慢慢拉大。

行家說三代半：2026年貴公司將開發(fā)哪些新產(chǎn)品/技術(shù)?重點(diǎn)發(fā)力哪些市場?

揚(yáng)杰科技：我們公司秉持生產(chǎn)一代、儲備一代、開發(fā)一代的技術(shù)迭代邏輯，對于下一代的平面柵、溝槽柵和超結(jié)技術(shù)都有相應(yīng)布局。目前我司的戰(zhàn)略主要圍繞光儲、OBC、AI等幾大板塊。

行家說三代半：請談?wù)?026年貴公司的發(fā)展目標(biāo)。

揚(yáng)杰科技：深耕核心目標(biāo)市場的價值客戶，聚焦SiC前沿技術(shù)的突破和積累，SiC工廠稼動率全年>90%。