2026年4月30日，西安市人民政府辦公廳正式印發《西安市促進半導體及光子產業高質量發展實施方案》（市政辦發〔2026〕31號），提出到2030年產業產值總規模達到3000億元，設立不低于50億元半導體產業基金，并明確將第三代半導體作為重點布局領域，圍繞碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）材料、器件和模組提升創新應用能力。
一、政策要點
產業規模目標：3000億元。 到2030年，半導體及光子產業產值總規模達3000億元，其中半導體2500億元（設計業500億元、晶圓制造業975億元、封測業375億元、支撐業440億元、分立器件210億元），光子產業500億元。
產業鏈定位：設計引領、制造主導、封測支撐、材料設備配套。 重點發展功率半導體、存儲芯片、通信芯片等特色領域，布局第三代半導體、先進封裝、RISC-V等新興賽道。
制造產線建設：8英寸功率半導體產線。 提出建成8英寸功率半導體、大功率電力半導體器件等制造產線，全力保障兩個8英寸功率半導體晶圓制造項目盡早投產達效。
新技術產業化方向：第三代半導體搶占工程。 聚焦碳化硅、氮化鎵材料、器件和模組，以及先進封裝、RISC-V等方向提升創新應用能力。“第三代半導體搶占工程”被列為“五大工程”之一，著力破解“卡脖子”問題。
鏈內協同與鏈間配套。 突出“鏈內協同”與“鏈間配套”雙輪機制，以整車、儲能裝備、航空航天、輸配電等本地優勢應用場景為牽引，推動半導體企業與終端整機企業聯合開發、試用驗證。
產業基金：不低于50億元。 設立不低于50億元的半導體產業基金。2025年12月，總規模50億元的西安半導體產業鏈發展基金已率先在西安經開區完成注冊，首期規模10億元，采用“5+2”模式（5年投資期、2年退出期），聚焦半導體核心材料、關鍵器件、前沿制造等領域。
二、產業基礎：高校科研與中試平臺支撐
高校科研資源方面，西安電子科技大學是國內寬禁帶半導體研究的核心力量之一，在SiC和GaN領域擁有深厚技術儲備。依托西電第三代半導體技術，陜西半導體先導技術中心已成功研發基于SiC、GaN的近50款芯片、20款模塊、10款模組，部分芯片可實現國產替代，少數產品填補國內空白。該中心成立于2018年，由央企、地方國企、政府出資平臺和高校共同投資成立。
制造能力方面，西北首條8英寸高性能特色工藝半導體生產線已于2025年11月投產，超80%的設備可兼容第三代半導體的研發與生產。
光電子領域，8英寸硅光中試線已正式通線。 陜西光電子先導院建設的8英寸先進硅光集成技術創新平臺于2025年11月通線，系西北地區首條硅光中試線。
三、聯盟觀點：第三代半導體已成為地方產業競爭的新焦點
從全國來看，第三代半導體已經成為地方政府產業競爭的新焦點。深圳寶安、龍華、龍崗等區分別規劃第三代半導體產業園和集聚區；無錫設立規模50億元的第三代半導體專項基金；合肥高新區對碳化硅、氮化鎵等材料與芯片項目給予最高1億元政策支持。
在各地密集出臺政策的背景下，西安此次發布的《實施方案》呈現幾個差異化特征：
一是半導體與光子兩大產業同步推進。 依托陜西“追光計劃”已有基礎，形成協同效應。
二是依托本地優勢應用場景推進產業鏈間配套。 西安在汽車制造和輸配電裝備領域擁有較完整的產業基礎，為第三代半導體器件提供了就近的應用出口。
三是以“鏈主”帶動集群化發展。 陜西半導體先導技術中心作為創新鏈主，已構建“6+N”全鏈條創新服務平臺，推動20余項高校及科研院所技術成果產業化轉化。
四是基金先行，政策與資本同步落地。 總規模50億元的西安半導體產業鏈發展基金已率先完成注冊，打通“技術轉化—資本賦能—產業落地”的閉環生態。
西安科教資源富集，擁有西安交通大學、西安電子科技大學等多所電子信息領域重點高校，在SiC和GaN基礎研究方面沉淀深厚。本次政策有望將這些科研優勢加速轉化為產業優勢。方案中“第三代半導體搶占工程”等五大工程的實施效果，將在很大程度上決定西安能否在日趨激烈的城市半導體產業競爭中走出一條特色化突圍之路。
信息來源：西安市人民政府
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