6月1日晚間，美股三大指數(shù)走勢分化，道指跌超200點，科技股為主的納指基本處于持平狀態(tài)，標(biāo)普指數(shù)微跌。
存儲芯片板塊大漲，美光科技的股價歷史性突破1000美元大關(guān)，再創(chuàng)新高。消息面上，摩根大通在最新研究報告中大幅上調(diào)全球存儲市場規(guī)模預(yù)測，并維持對該板塊的多年期看多立場，認(rèn)為存儲芯片正從傳統(tǒng)的周期性大宗商品向AI基礎(chǔ)設(shè)施的戰(zhàn)略核心資產(chǎn)轉(zhuǎn)型。
摩根大通將2026至2028年全球存儲市場總規(guī)模(TAM)預(yù)測較3月模型上調(diào)37%至53%，預(yù)計2028年TAM將達1.7萬億美元。其中，DRAM市場收入預(yù)計從2025年的1430億美元躍升至2026年的6360億美元，再于2028年達到1.237萬億美元;NAND市場收入同期預(yù)計從710億美元增至4545億美元。
摩根大通預(yù)計，供需缺口將在2027年進一步擴大，理論上為DRAM及NAND價格提供額外上行空間，但長期協(xié)議(LTA)合同銷售占比的提升將令價格走勢趨于穩(wěn)定。
高盛預(yù)計，到2027年，傳統(tǒng)DRAM、NAND和HBM的供需狀況都將較2026年更為緊張，且這種緊張態(tài)勢將持續(xù)至2028年，這將有助于存儲器企業(yè)在未來數(shù)年內(nèi)實現(xiàn)更高的盈利水平。
該機構(gòu)認(rèn)為市場尚未充分認(rèn)識到當(dāng)前存儲器行業(yè)上行周期的持久性，大多數(shù)存儲器股票的市盈率仍低至中個位數(shù)水平便是明證。
高盛在研究報告中重點指出三點。其一，需求前景更為明朗，服務(wù)器和人工智能設(shè)備配置比例顯著提升且代理型AI應(yīng)用持續(xù)擴展;其二，因產(chǎn)能擴張步伐放緩且HBM交易占比更高，供應(yīng)增長受限;其三，客戶通過長期協(xié)議作出更明確承諾，并實施更高效的資本支出規(guī)劃。以上因素將推動需求持續(xù)超越供給，從而形成更長的上升周期。有機構(gòu)甚至預(yù)期，即便到2028年，DRAM/NAND/HBM市場仍將面臨供應(yīng)短缺。
另一方面，英偉達漲約4%。英偉達的小伙伴方面，ARM(安謀)股價暴漲超15%，戴爾科技暴漲近10%，臺積電漲超4%。
此外，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛駁斥了關(guān)于軟件行業(yè)可能被更先進人工智能工具顛覆的擔(dān)憂，帶動軟件股上漲。
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