Intel Accelerated 7nm工藝具體細節預告發布時間:7月27日

即便換了“統帥”，英特爾的7nm芯片量產時間仍然被推遲。但這似乎并不重要，因為英特爾的7nm芯片雖然還沒有實現量產，但3nm芯片卻傳來了新消息。

帕特·基辛格擔任Intel CEO之后，對業務模式進行了大刀闊斧的改革，尤其是新提出了IDM 2.0模式：推進自家工藝尤其是7nm、使用臺積電等晶圓廠先進工藝、對外開放代工服務。

10nm工藝可以說是Intel的一個滑鐵盧，一再跳票，至今性能都不算好，桌面上仍然依靠14nm苦苦支撐，當然規模逐漸上來了，游戲本的Tiger Lake-H系列已經出貨超百萬顆，服務器的Ice Lake-SP出貨幾十萬顆。

Intel宣布，將于太平洋時間7月26日14點(北京時間27日5點)，舉辦名為“Intel Accelerated”的主題活動，并進行網絡直播，CEO基辛格、高級副總裁兼技術研發總經理Ann Kelleher主持。

雖然會議內容方向沒有披露，但是兩位大佬坐鎮，顯然是要公布Intel在新工藝方面的一些最新進展，屆時有望聽到有關Intel 10nm Enhanced SuperFin甚至是7nm的更多具體細節。

Intel此前透露，7nm工藝已經完全走上正軌，EUV極紫外光刻也會加持，已完成7nm Meteor Lake(14代酷睿)的Tape-In(搞定設計驗證)，這是Intel第一代7nm消費級處理器，預計2023年出貨，而同樣7nm工藝的Granite Rapids五代可擴展至強也會同一年交付。

另外，Intel也可能披露在封裝技術方面的更多新進展，包括EMIB、Foveros、ODI等等。

Digitimes曾發出消息稱，英特爾此前聲稱臺積電的7nm制程與其10nm制程相當，以技術角度而論，這或許也說得過去。據了解，在10nm節點上，臺積電實現了每平方毫米5300萬晶體管密度，而三星的晶體管密度為5200萬個，而英特爾的10nm節點則可達到。

另外有消息稱，英特爾的7nm技術或將于2022年底或2023年底發布，目標是實現每平方毫米接近1.8億個晶體管的高標準。

責編：editorAlice