世界先進(jìn)曾表示：8吋機(jī)臺(tái)越來(lái)越難買，考慮進(jìn)軍12吋晶圓代工
在去年11月，世界先進(jìn)董事長(zhǎng)暨總經(jīng)理方略首度松口，目前8吋機(jī)臺(tái)愈來(lái)愈難取得，站在持續(xù)擴(kuò)張角度下，認(rèn)真思考12吋廠是合乎邏輯的方向，但目前還沒有時(shí)間點(diǎn)。
由于晶圓代工產(chǎn)能供給吃緊，業(yè)界寄望目前在8吋廠生產(chǎn)的IC能更改制程等設(shè)計(jì)，升級(jí)到12吋廠生產(chǎn)，以紓解供需吃緊情勢(shì)。世界評(píng)估，目前主要產(chǎn)品包括大尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC、電源管理IC、分離式元件，以及穿戴式裝置所用的小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC等，未來(lái)五至十年仍會(huì)留在8吋廠生產(chǎn)，因?yàn)橄嚓P(guān)需求存在。
外資：世界先進(jìn)不具12吋廠，或成劣勢(shì)
晶圓代工產(chǎn)能吃緊，中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)等三大晶圓代工廠近期頻獲投資人青睞。有美系外資反其道而行，下修世界先進(jìn)的評(píng)等至“劣于大盤”，原因是其不具有12吋晶圓廠，同時(shí)看好聯(lián)電，認(rèn)為其較具競(jìng)爭(zhēng)力。至于臺(tái)積電，有外資重申“買進(jìn)”評(píng)等，認(rèn)為其在4到5年內(nèi)，營(yíng)收可較2020年倍增。
全球持續(xù)鬧芯片荒，使晶圓代工廠產(chǎn)能成為兵家必爭(zhēng)，以8吋晶圓廠為主的世界先進(jìn)8月營(yíng)收首度突破40億大關(guān)，寫下新紀(jì)錄。只是，美系外資出具報(bào)告，認(rèn)為世界先進(jìn)的劣勢(shì)，在于沒有12吋晶圓廠。雖然8吋晶圓廠可滿足5G 及汽車電子需求，但面對(duì)未來(lái)更先進(jìn)的技術(shù)，目前已有8吋轉(zhuǎn)往12吋的趨勢(shì)，這對(duì)世界先進(jìn)較為不利。
外資認(rèn)為，相較于世界先進(jìn)，聯(lián)電擁有12吋廠，未來(lái)更具成長(zhǎng)空間，同時(shí)在代工價(jià)上揚(yáng)與毛利結(jié)構(gòu)改善下，第3季毛利可望有強(qiáng)勁成長(zhǎng)，因此給予“優(yōu)于大盤”的評(píng)等。
至于臺(tái)積電，有美系外資認(rèn)為，到2021年底前，臺(tái)積電每月營(yíng)收將持續(xù)增加，同時(shí)市場(chǎng)需求的熱度將維持到2022年。從資本支出觀察，臺(tái)積電2021年300億美元資本支出可能上修，3年1000億美元的支出計(jì)畫也有著上調(diào)空間。
外資認(rèn)為，臺(tái)積電將在28納米、7納米、5納米和3納米上擴(kuò)產(chǎn)，以滿足強(qiáng)烈需求，同時(shí)資本密集度增加，可能帶動(dòng)臺(tái)積電上修2021-2025年?duì)I收複合年增長(zhǎng)率15%的目標(biāo)。臺(tái)積電可望在4到5年內(nèi)，把2020年的營(yíng)收倍增。因此重申“買進(jìn)”評(píng)等。
全球12吋晶圓廠數(shù)量將超200個(gè)
截至 2021 年底，共有 153 家半導(dǎo)體晶圓廠處理 300mm 晶圓，用于制造 IC，包括 CMOS 圖像傳感器和功率分立器件等非 IC 產(chǎn)品。
300mm 晶圓廠數(shù)量在 2021 年增加了 14 家，是自 2005 年開設(shè)相同數(shù)量以來(lái)的一年中最多。根據(jù)計(jì)劃，2022 年全球?qū)㈤_設(shè) 10 家晶圓廠，其次是 2023 年的 13 家和 2024 年的 10 家。這使行業(yè)處于到 2026 年，將有超過(guò) 200 條 300 毫米晶圓廠線投入運(yùn)營(yíng)。
越來(lái)越多的 300 毫米晶圓廠正在建造用于制造非 IC 器件，尤其是功率晶體管。在大硅片上處理芯片的制造成本優(yōu)勢(shì)對(duì)于以大芯片尺寸和大容量為特征的器件類型發(fā)揮作用。具有這些特性的集成電路示例包括 DRAM、閃存、圖像傳感器、復(fù)雜邏輯和微組件 IC、PMIC、基帶處理器、音頻編解碼器和顯示驅(qū)動(dòng)器。雖然與這些 IC 的芯片尺寸相比，大硅片功率晶體管仍然很小，但它們的出貨量很大，而且足夠大，足以讓 300 毫米晶圓廠保持在具有成本效益的生產(chǎn)水平。根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù)，2021 年功率晶體管的單位需求量達(dá)到 435 億顆，功率 MOSFET 和 22 億顆 IGBT。
在計(jì)劃于 2022 年開始投入運(yùn)營(yíng)的 10 座 300 毫米晶圓廠中，有兩家將專注于非 IC 產(chǎn)品的生產(chǎn)。一個(gè)是中國(guó)重慶的華潤(rùn)微電子工廠，另一個(gè)是士蘭微電子旗下的中國(guó)廈門工廠。
今年新開的 300 毫米晶圓廠中有三分之一是由臺(tái)積電建造的。為了應(yīng)對(duì)對(duì)其代工服務(wù)的高需求，該公司在 2021 年將資本支出增加了 74%，達(dá)到 300 億美元。大部分支出用于裝備臺(tái)南 Fab 18 園區(qū)的第 4 期和第 5 期晶圓廠。臺(tái)積電還在中國(guó)南京的 Fab 16 工廠完成第二家工廠，以滿足對(duì)成熟技術(shù)的需求，尤其是 28nm CMOS。
德州儀器和意法半導(dǎo)體（及其新的晶圓廠合作伙伴 Tower Semiconductor）正在完成 300 毫米晶圓廠的建設(shè)，目標(biāo)是模擬和混合信號(hào) IC 生產(chǎn)。TI 報(bào)告稱，2021 年的資本支出大幅增加，與 2020 年相比，這一年的支出增加了 279%。大部分資金用于購(gòu)買該公司位于德克薩斯州理查森的第二個(gè)晶圓廠和第三個(gè) 300 毫米晶圓廠的新設(shè)備。RFAB2 設(shè)施將使理查森工廠的晶圓產(chǎn)能增加一倍以上。
計(jì)劃于 2022 年開業(yè)的新 300 毫米晶圓廠中只有兩家是用于存儲(chǔ)產(chǎn)品的。SK Hynix 預(yù)計(jì)將在其位于韓國(guó)清州的 M15 工廠開始運(yùn)營(yíng) 3D NAND 的第二階段生產(chǎn)線，而華邦計(jì)劃在臺(tái)灣高雄啟動(dòng)新的 DRAM 工廠。
來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察
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