來源：科技新報(bào)
美商存儲(chǔ)器大廠美光 （Micron）?5月12 日發(fā)布表了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器。美光并計(jì)劃將其新的 232 層堆棧 3D NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品用于各種產(chǎn)品上，包括固態(tài)硬盤，計(jì)劃將在 2022 年底左右開始量產(chǎn)此類存儲(chǔ)器。
美光指出，232 層堆棧的 3D NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器采用 3D TLC 架構(gòu)，原始容量為 1Tb（128GB）。而且，該存儲(chǔ)器基于美光的 CuA 架構(gòu)，并使用 NAND 字符串堆棧技術(shù)，在彼此的頂部建立兩個(gè) 3D NAND 陣列。
而在 CuA 設(shè)計(jì)的 232 層堆棧的 3D NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器中，將大大減少美光 1Tb 3D TLC NAND Flash 的尺寸，這有望于降低生產(chǎn)成本，使美光能夠?qū)Σ捎眠@些存儲(chǔ)器的設(shè)備進(jìn)行更有競爭力的定價(jià)，或者增加其利潤率。
不過，美光并沒有宣布其新的 232 層堆棧的 3D NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器的 I / O 速度或平面數(shù)量，但暗示與現(xiàn)有的 3D NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器設(shè)備相比，新的存儲(chǔ)器將提供更高的性能，這對(duì)采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特別有用。此外，美光還強(qiáng)調(diào) 232 層堆棧的 3D NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器將比上一代的產(chǎn)品更具節(jié)省功耗的能力，使用在品上更具節(jié)能優(yōu)勢。
美光的技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 指出，該公司已經(jīng)與內(nèi)部和第三方 NAND Flash 控制 ic 的開發(fā)者密切合作，以建立對(duì)新型存儲(chǔ)器的支援。美光預(yù)計(jì) 2022 年年底開始生產(chǎn) 232 層堆棧的 3D NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器，預(yù)計(jì)采用新存儲(chǔ)器的固態(tài)硬盤將在 2023 年左右問世。
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