?
自從IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊首次出版以來，功率模塊的應(yīng)用發(fā)生了巨大的變化。這種變化，源于人類更有效利用石油，減少污染，廣泛使用再生新能源的愿望。從一般的發(fā)展更新(比如在體積，成本和轉(zhuǎn)換效率上的發(fā)展)到應(yīng)用領(lǐng)域的擴展(例如在惡劣環(huán)境條件下分散使用)對功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)提出更高的要求。
本文內(nèi)容來自“功率半導(dǎo)體應(yīng)用手冊”，主要針對的是半導(dǎo)體使用客戶，并把以前各種單獨的解釋進行了歸納總結(jié)。為了讓讀者更好的理解，我們對一些基礎(chǔ)理論作了簡單的闡述。如果讀者想進一步加深理論了解，我們在書后列出的參考資料中給出了多種高等學(xué)校的教科書目錄，可供大家參考。
下載鏈接：
功率半導(dǎo)體應(yīng)用手冊
中國智能芯片行業(yè)前景研究報告
信創(chuàng)專題報告（1）
信創(chuàng)專題報告（2）
新封裝、新材料、新架構(gòu)驅(qū)動后摩爾時代集成電路發(fā)展
人工智能&芯片等技術(shù)合集（1）
人工智能&芯片等技術(shù)合集（2）
建立在德國賽米控公司專業(yè)知識的基礎(chǔ)和經(jīng)驗上，我們向您推薦這本技術(shù)先進的應(yīng)用手冊。它站在用戶的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細介紹了它們的基本數(shù)據(jù)，參數(shù)性能和實際應(yīng)用，比如冷卻，布線，控制，保護，并聯(lián)和串聯(lián)連接和使用拓撲技術(shù)的晶體管模塊作為軟開關(guān)的應(yīng)用。
注：全文共448頁，請點擊“功率半導(dǎo)體應(yīng)用手冊”下載源文件查看。
下載鏈接：
功率半導(dǎo)體應(yīng)用手冊
中國智能芯片行業(yè)前景研究報告
信創(chuàng)專題報告（1）
信創(chuàng)專題報告（2）
新封裝、新材料、新架構(gòu)驅(qū)動后摩爾時代集成電路發(fā)展
人工智能&芯片等技術(shù)合集（1）
人工智能&芯片等技術(shù)合集（2）
免責(zé)申明：本號聚焦相關(guān)技術(shù)分享，內(nèi)容觀點不代表本號立場，可追溯內(nèi)容均注明來源，發(fā)布文章若存在版權(quán)等問題，請留言聯(lián)系刪除，謝謝。
電子書<服務(wù)器基礎(chǔ)知識全解(終極版)>更新完畢，知識點深度講解，提供182頁完整版下載。
獲取方式：點擊“閱讀原文”即可查看PPT可編輯版本和PDF閱讀版本詳情。
溫馨提示：
請搜索“AI_Architect”或“掃碼”關(guān)注公眾號實時掌握深度技術(shù)分享，點擊“閱讀原文”獲取更多原創(chuàng)技術(shù)干貨。
