近日，首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。
碳化硅寬禁帶半導體是國家“十四五”規(guī)劃綱要中重點關注的科技前沿領域攻關項目，憑借其優(yōu)良的高禁帶寬度、高電子遷移率、高導熱等特點，使得碳化硅模塊具有顯著的高效率、高壓、高工作溫度的優(yōu)勢，在中高端新能源汽車中的應用越來越普及。
據(jù)悉，智新半導體成立于2019年6月，由東風公司與中國中車兩大央企在武漢合資成立。2021年7月，智新半導體正式將IGBT生產(chǎn)線投入量產(chǎn)，該產(chǎn)線以第六代IGBT技術為基礎，首批下線的IGBT模塊將搭載于東風風神、嵐圖等自主品牌車型上。
智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)項目。碳化硅模塊項目以智新半導體封裝技術為引領，廣泛與中央企業(yè)、高等院校開展合作，從模塊設計、模塊封裝測試、電控應用到整車路試等環(huán)節(jié)，實現(xiàn)關鍵核心技術的自主掌控。目前，碳化硅模塊開發(fā)項目已參與國資委專項課題1項，參與行業(yè)標準制定2項。
該碳化硅模塊，采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續(xù)航里程提升5%-8%。
智新半導體成立4年來，已申請受理專利51項，其中發(fā)明專利40項，已授權專利20項，其中發(fā)明專利11項，并獲得湖北省“高新技術企業(yè)”認證，武漢市專精特新“小巨人”企業(yè)認定。
來源：智駕最前沿
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