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一年多的時間，長飛先進發生了巨大變化。
2022年5月，長飛光纖完成對蕪湖啟迪半導體有限公司及蕪湖太赫茲工程中心有限公司的收購與整合，并將公司更名為安徽長飛先進半導體有限公司，形成從設計、外延、晶圓制造到模塊封測的全產業鏈能力。
此后短短時間內，長飛先進半導體便開始引進近百名擁有半導體國際大廠背景的核心團隊成員，核心團隊成員平均15年以上行業從業經驗，并計劃實現由“Foundry”到“IDM+Foundry”的業務轉型。截止目前長飛先進員工總數已超850人，團隊規模不斷發展壯大。
今年5月，公司舉辦了以"飛揚"為主題的首屆戰略發布會，明確提出”All in SiC-十年黃金賽道”的發展戰略，致力于成為"世界領先的寬禁帶半導體"公司，同時官宣了位于武漢光谷科學島的第三代半導體功率器件研發生產基地項目啟動，計劃建設形成年產36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、年產6100萬個功率器件模塊的能力，建設國內最大的SiC功率半導體制造基地。
為實現這個規劃，今年6月，長飛先進完成了國內寬禁帶半導體市場上最大一筆A輪融資，宣布擬投資人民幣60億元建設第三代半導體功率器件生產項目，資金來源包括約36億元的股權融資及約24億元的銀行貸款。
當前，長飛已形成了從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的完整產業鏈布局，擁有專業的SiC晶圓代工服務體系以及完整的650V-3300V SiC產品矩陣、自主知識產權的1200V Gen3 SiC MOSFET設計及工藝平臺，據長飛的官微消息，公司15mohm產品比導通電阻 (Ron，sp)已達3.4mQ-mm2，已躋身國際先進水平。目前可實現從光伏、儲能、充電樁到新能源汽車等應用領域的全覆蓋，蕪湖和武漢兩大制造基地，可為客戶提供充足的產能保障。
同時，IDM業務轉型也迎來了新進展。2023年7月，公司SiC戰略項目 (KO) A樣品達到預期設計目標，標志著公司擁有車規級SiC MOSFET產品自主研發能力，成功實現從"Foundry"到“IDM”的業務轉型，12月，長飛先進首顆自研產品1200V 20A SiCSBD正式進入試產階段，標志公司已具備碳化硅產品自主研發及量產能力。
除此之外，推動碳化硅產業發展，生態的形成至關重要。為此，長飛先進還正在籌建碳化硅功率器件應用實驗室，計劃與安徽省內新能源產業深化合作，協同發展，合力打造碳化硅產業生態圈。該實驗室預計2023年12月底開工建設，建成后將具備面向新型功率控制系統的應用開發、創新及評價能力，可滿足新能源汽車、光伏儲能、充電樁等全應用場景的測評需求。
10月20日，長飛先進官微宣布，他們與奇瑞汽車股份有限公司簽署了“汽車芯片聯合實驗室”戰略合作協議，并舉行了簽約儀式。長飛先進總裁陳重國、奇瑞汽車芯片技術院負責人郭宇輝分別代表雙方完成了簽約。
一年多，彈指一揮的時間，長飛先進正在快步大跑。相信公司也在這多變的市場環境里，沉淀了面對即將到來更為復雜競爭的底氣與實力。
2024，蓄力長飛。
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