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1月11日，日本半導體大廠瑞薩電子和氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm宣布雙方已達成最終協議，根據協議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元（當前約為24.08億人民幣）。該交易預計將于2024年下半年完成，具體取決于Transphorm股東的批準、所需的監管許可以及其他慣例成交條件的滿足。公告稱，此次收購將為瑞薩電子提供自主的GaN技術，從而將其業務范圍擴大到電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電力轉換等快速增長的市場。瑞薩現在計劃通過整合Transphorm在GaN方面的專業知識，進一步擴大其WBG產品組合，GaN是一種新興材料，可以實現更高的開關頻率、更低的功率損失和更小的尺寸。這些優勢使客戶的系統具有更高的效率、更小更輕的組成以及更低的總體成本。瑞薩首席執行官Hidetoshi Shibata表示：“Transphorm公司是一家由在GaN功率領域經驗豐富的團隊領導的獨特公司，其源于加利福尼亞大學圣巴巴拉分校，” “引入Transphorm的GaN技術將在我們在IGBT和SiC方面的勢頭上構建，它將作為增長的關鍵支柱，推動和擴展我們的電源產品組合，為客戶提供選擇最佳電源解決方案的完整能力。”Transphorm的聯合創始人、總裁兼首席執行官Dr. Primit Parikh和聯合創始人兼首席技術官Dr. Umesh Mishra表示：“結合瑞薩的全球影響力、豐富的解決方案和客戶關系，我們很高興為全行業采用WBG材料鋪平道路，并為顯著增長創造條件。此次交易還將使我們能夠為客戶提供進一步擴展的服務，并為我們的股東提供顯著的即時現金價值，” “此外，它將為我們卓越的團隊提供一個強大的平臺，進一步推動Transphorm的領先GaN技術和產品。”
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