2024年以來，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)已有4家SiC企業(yè)順利通過車規(guī)認證，拿下“汽車供應鏈”的入場券：
● 蓉矽半導體：SiC MOSFET通過AEC-Q101、HV-H3TRB測試；
●?鈞聯(lián)電子：SiC功率模塊通過AQG-324測試；
● 海乾半導體：SiC外延獲得IATF16949、ISO9001認證；
● 希科半導體：SiC外延通過IATF16949認證。
蓉矽半導體：
SiC Mos交付新能源頭部廠商
3月11日，蓉矽半導體在官微宣布，他們自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導入測試并量產交付。
據(jù)悉，AEC-Q101認證是汽車行業(yè)最為核心的國際標準之一，是國際汽車行業(yè)通用的技術規(guī)范，包括各類環(huán)境應力、可靠性、耐久性、壽命測試等。此外，AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V。
蓉矽半導體的SiC MOSFET的電壓等級為1200V，不僅順利獲得了 HV-H3TRB可靠性驗證，對于應用端特別關注的柵氧可靠性問題，還通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核，表明器件在更為極端的應用場景中，也能滿足新能源汽車、光伏逆變等領域的高質量和可靠性要求。
除了通過AEC-Q101認證外，蓉矽半導體擁有德國萊茵ISO 9001質量管理體系認證，涵蓋設計、晶圓制造和封測等環(huán)節(jié)，建立了材料、外延、制造與封裝測試均符合IATF 16949的完整供應鏈。
此前，蓉矽半導體副總經理高巍接受“行家說三代半”采訪時表示，蓉矽半導體將堅持“一代量產、一代研發(fā)、一代先進”的發(fā)展路線，預計在2024年下半年，推出第二代SiC MOSFET產品。
鈞聯(lián)電子：
SiC模塊通過AQG-324測試
3月28日，鈞聯(lián)電子宣布他們自研的一款SiC功率模塊通過了AQG-324車規(guī)級可靠性測試認證。
據(jù)悉，AOG-324測試認證的內容包含模塊測試、模塊特性測試、環(huán)境測試、壽命測試四大嚴格測試評估，以確保功率模塊在各種極端條件下都能穩(wěn)定、高效地工作，滿足車規(guī)級的高標準要求。
此次鈞聯(lián)電子的SiC模塊通過驗證后，將成為一款在業(yè)內具有技術領先性的車規(guī)級HPD單面水冷SiC功率模塊產品，同時也代表鈞聯(lián)電子成為業(yè)內為數(shù)不多具備從SiC功率模塊到800V高壓電控、電驅總成產品的全鏈條研發(fā)設計、測試驗證生產一體化公司。
官網資料顯示，合肥鈞聯(lián)汽車電子有限公司成立于2020年，是一家致力于新能源汽車電機控制器與配套功率半導體模塊的研發(fā)制造企業(yè)，正在深耕第三代功率半導體和SiC高功率密度動力域控制器領域，并于2023年8月實現(xiàn)800V SiC電驅動總成首臺下線交付。
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海乾半導體：
SiC外延將進入汽車供應鏈
近期，海乾半導體宣布他們于今年1月順利通過車規(guī)認證，認證范圍為半導體SiC外延片的制造。
據(jù)悉，海乾半導體此次一共獲得2項認證：IATF16949:2016汽車質量管理體系符合性認證、ISO9001:2015質量管理體系認證。其中IATF16949作為國際汽車行業(yè)通用標準，是企業(yè)進入汽車行業(yè)供應鏈的入場券，審核通過代表海乾將正式進入全球汽車行業(yè)供應鏈。
另一方面，通過ISO9001認證也意味著海乾半導體的產品質量及管理制度均獲得國際專業(yè)機構的認可，未來有能力與汽車行業(yè)先進企業(yè)同步接軌，保證產品質量持續(xù)滿足標準。
根據(jù)“行家說三代半”此前報道，海乾半導體繼Pre-A輪的哇牛資本投資后，于2024年2月順利完成A輪融資，由深創(chuàng)投與深圳紅犇資本聯(lián)合投資。海乾半導體表示，本輪融資將加速海乾SiC外延片的產能提升，為客戶提供更優(yōu)質的先進外延材料解決方案。
希科半導體：
SiC外延獲標桿客戶采購
3月21日，希科半導體透露他們的“SiC外延片的設計及制造”已順利通過IATF16949汽車行業(yè)質量管理體系認證。
希科半導體表示，這一成績標志著他們產品的質量水平和保障體系得到了行業(yè)權威機構的全面認可，為產品進入各大SiC晶圓生產商提供了有力的支持，未來有望應用于新能源汽車驅動、車載OBC等領域。
官網資料顯示，希科半導體成立于2021年8月，主營產品為6/8英寸SBD級4H-SiC外延片、6/8英寸MOSFET級4H-SiC外延片，電壓覆蓋650V~3300V，用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等SiC電力電子器件。
值得關注的是，2023年5月，希科半導體宣布完成Pre-A輪融資，并透露近期已有數(shù)臺SiC CVD爐到位并調試成功實現(xiàn)了高品質外延片的量產，已對十余個業(yè)內標桿客戶完成送樣并實現(xiàn)了采購訂單。
注：本文來源地方政府及企業(yè)官網，僅供信息參考，不代表“行家說三代半”觀點。
