瞻芯電子第三代1200VSiCMOSFET正式量產

作為一家聚焦于SiC半導體領域的芯片廠商，瞻芯電子致力于開發SiC功率器件、驅動和控制芯片、SiC功率模塊產品，并圍繞SiC功率半導體應用，為客戶提供一站式芯片解決方案。

據悉，瞻芯電子在國內較早自主開發并掌握了6英寸SiC MOSFET產品以及工藝平臺，并持續進行升級迭代。

依托自建的SiC晶圓產線，瞻芯電子開發了第二代SiC MOSFET產品，其中IV2Q12040T4Z（1200V 40mΩ SiC MOSFET）于2023年8月獲得了車規級可靠性（AEC-Q101）認證證書，而且通過了新能源行業頭部企業的導入測試，開啟了量產交付。

瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓（Vgs）為15-18V，可提升應用兼容性，簡化應用系統設計。在產品結構上，第二代SiC MOSFET與第一代產品同為平面柵MOSFET，但進一步優化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統效率。

而在近日，瞻芯電子基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）通過了車規級可靠性(AEC-Q101)測試認證；同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺已正式量產。

source：瞻芯電子

瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，現有IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA、IV3Q12013BD 3款產品，主要用于車載電驅動系統，已獲得多家車載電驅動客戶的項目定點。? ??

其第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET，相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過20%。核心指標方面，第三代產品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下，將比導通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，同時，第三代產品的開關損耗對比第二代產品進一步降低30%以上。

在可靠性方面，首款產品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標準完成了三批次可靠性認證，獲得車規級可靠性認證證書，而且通過了更嚴格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動態可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，柵極負偏壓下的HTRB等。

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