11月12日，三菱電機宣布，將于11月14日開始交付碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 裸片樣品，主要用于電動汽車、插電式混合動力汽車和其他電動汽車的驅動電機逆變器。
(左）用于xEV的SiC-MOSFET的晶片?（右）用于xEV的SiC-MOSFET裸片布局（樣品）
據了解，三菱電機的首款標準規格 SiC-MOSFET 功率半導體芯片，能夠應對 xEV 逆變器的多樣化需求，并為這些汽車的日益普及做出貢獻。新型SiC-MOSFET裸片結合了專有的芯片結構和制造技術，通過提高逆變器性能、延長行駛里程和提高 xEV 的能源效率為脫碳做出貢獻。
此外，三菱電機的新型功率半導體芯片是一種專有的溝槽式SiC-MOSFET，與傳統的平面式SiC-MOSFET相比，其功率損耗可降低約50%。得益于專有制造技術，例如抑制功率損耗和導通電阻波動的柵極氧化膜工藝，新芯片實現了長期穩定性，有助于提高逆變器的耐用性和 xEV 性能。
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今年以來，三菱電機在8吋SiC產線建設方面也有顯著進展：
6月，三菱電機宣布位于日本熊本縣新建的8英寸SiC工廠將提前開始運營。原計劃于2026年4月開始運營的工廠，現在預計將在2025年11月開始運營，提前了大約5個月。預計2025年9月正式竣工。該新工廠共有六層，總建筑面積約4.2萬平方米，將主要負責8英寸 SiC 晶圓的前端工藝。
在產能與銷售目標方面，三菱電機目標是到2030財年將功率半導體業務中的SiC銷售比例提高到30%以上（新工廠的SiC產品將通過與Nexperia的聯盟擴大銷售渠道）；三菱電機還將在全工序段引入自動輸送系統，打造生產效率高的生產線，目標在2026財年將SiC產能提升5倍（與2022財年相比）。
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