Yole Group分析，在人工智能的推動下，存儲市場呈現(xiàn)出復蘇和轉(zhuǎn)型的趨勢，高帶寬內(nèi)存（HBM）成為關(guān)鍵因素。
市場復蘇與增長預測：存儲行業(yè)已從低迷狀態(tài)中復蘇，2024 年全球存儲營收達到 1700 億美元，同比增長 78%。2025 年該營收將再增長 18%，達到 2000 億美元。
HBM正成為存儲策略的核心。其營收預計將從 2024 年的約 170 億美元翻倍至 2025 年的約 340 億美元。在人工智能工作負載的推動下，高帶寬內(nèi)存在動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）領(lǐng)域的市場份額預計將從 2024 年的 18% 飆升至 2030 年的 50% 以上，復合年增長率達 33%。諸如 SK 海力士、三星和美光等主流供應(yīng)商正在擴大生產(chǎn)。
例如，SK 海力士于 2024 年底開始大規(guī)模生產(chǎn) 12 層堆疊的 HBM3E，并將于 2025 年初提供 12 層堆疊的 HBM4 樣品；三星正在與英偉達一起對 HBM3E 進行驗證，并計劃于 2025 年底開始大規(guī)模生產(chǎn) HBM4。
NAND 閃存的復蘇與創(chuàng)新：由于消費市場疲軟以及庫存水平較高，2024 年 NAND 閃存供應(yīng)商的復蘇較為艱難。不過，3D NAND 領(lǐng)域的創(chuàng)新仍在推進。鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（Western Digital）正在實施晶圓對晶圓鍵合技術(shù)，預計三星和 SK 海力士在其下一代 3D NAND 堆疊中也將采用類似方法。預計該技術(shù)將進一步擴展至 500 層甚至 600 層，屆時可能需要三晶圓堆疊技術(shù)。
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