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近日，“行家說三代半”觀察發現，國內又有3個SiC項目傳來新進展：
士蘭微：士蘭集宏8英寸SiC項目設備已安裝到位并完成調試，開始投片試生產；
羿變電氣：功率半導體封裝基地項目落地武漢，將提升高端功率模塊產能；
漢印機電：SiC外延設備項目投產，與多家企業開展調試生產。
近日，據“廈門工信”官微透露，士蘭微旗下士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線全部設備已安裝到位并完成調試，開始投片試生產。
文章進一步透露，該項目總投資120億元，分兩期建設，一期項目投資70億元，主要建設主廠房、動力中心、測試中心及配套設施，于去年7月正式動工，僅用不到一年時間便實現主體結構封頂，轉入裝飾裝修和設備安裝。士蘭集宏一期項目投產后，產能將達到每月3.5萬片，年產值約75億元。
另據士蘭微2025年第三季度報告透露，他們子公司士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產線產能提升明顯，目前已形成月產1萬片6英寸SiC MOSFET芯片的生產能力，預計下半年6英寸SiC芯片出貨量將較快上升。
羿變電氣：
功率半導體封裝基地項目簽約
武漢羿變電氣有限公司董事長康勇表示，該項目從接觸洽談到落戶促成不到一個月，項目建成后，將極大的提升高端功率模塊產能，突破高端功率模塊的國產化替代難題。
官微透露，羿變電氣致力于碳化硅封裝與應用技術有機融合，以器件封裝、驅動開發、集成應用技術推動電力電子變換產品迭代升級，大幅提升轉換效率和功率密度，實現全碳化硅功率模塊與高效電力電子變換器從研發到市場應用的產業化的突破。
值得注意的是，羿變電氣研發的雙面散熱碳化硅功率模塊較傳統產品散熱性能提升45%、電性能提升40%，填補了國內高端模塊產品空白，產品已在船舶、航空、新能源領域實現應用。
近日，據鹽城新聞等報道，漢印機電聚焦碳化硅外延技術成果轉化，一期項目已實現全面量產，二期COB擴能項目設備正陸續進場，預計年底投產。
據了解，漢印機電自主研發的6英寸、8英寸外延設備一經問世便投入生產。目前，外延晶片已經與國內多家半導體企業開展多輪調試生產。
漢印機電半導體事業部副總經理趙萬順接受媒體采訪時透露，他們針對半導體外延核心生產環節，展開系統性優化。經過多次工藝調試后，外延層缺陷控制取得較大進展，三角形缺陷從約10個降至不高于5個，SF缺陷同步大幅減少。
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本文發自【行家說三代半】，專注第三代半導體（碳化硅和氮化鎵）行業觀察。
