據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)旗下的最新LPDDR6內(nèi)存項(xiàng)目取得重大進(jìn)展，目前已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，向著首發(fā)量產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步。
據(jù)透露，長(zhǎng)鑫目前正積極向主流手機(jī)廠商和計(jì)算平臺(tái)分發(fā)樣品進(jìn)行驗(yàn)證，一旦原型測(cè)試達(dá)到預(yù)期，國(guó)產(chǎn)LPDDR6有望在年內(nèi)進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段，且考慮到長(zhǎng)鑫以往在產(chǎn)能建設(shè)上的高效率，風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)后的量產(chǎn)窗口期可能被壓縮至數(shù)周。
此前國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商在先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)上的跟進(jìn)速度往往滯后于國(guó)際巨頭半年以上，此次長(zhǎng)鑫LPDDR6的試產(chǎn)，意味著國(guó)產(chǎn)內(nèi)存在低功耗、高帶寬技術(shù)領(lǐng)域已成功躋身世界前列，大幅縮短了與全球頂尖水平的時(shí)間差。
具體規(guī)格方面，長(zhǎng)鑫首批LPDDR6芯片的速率已經(jīng)達(dá)到了12.8Gbps，而普通LPDDR6的基準(zhǔn)速率為10.7Gbps，目前的LPDDR5X也只有在極限超頻狀態(tài)下能達(dá)到10.7Gbps，這意味著新一代內(nèi)存即便在常規(guī)狀態(tài)下，帶寬性能也比上一代提升了約20%。
該芯片單顆容量為16Gb（折合2GB），封裝形式則選用了PoP（堆疊封裝），簡(jiǎn)單來說，這種技術(shù)通過1295針BGA球柵陣列，實(shí)現(xiàn)了內(nèi)存與處理器的縱向堆疊，能進(jìn)一步優(yōu)化智能手機(jī)等移動(dòng)端設(shè)備的內(nèi)部空間占用。
伴隨端側(cè)大模型快速普及，手機(jī)、AIPC對(duì)內(nèi)存帶寬的需求暴漲，LPDDR6 12.8Gbps的高帶寬能力，能夠有效緩解本地AI推理帶來的性能瓶頸，長(zhǎng)鑫提前布局新一代移動(dòng)內(nèi)存，對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全具備現(xiàn)實(shí)意義。
另外此前一直有消息稱蘋果與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)就LPDDR5X等移動(dòng)DRAM供應(yīng)價(jià)格展開談判，希望借此降低下一代iPhone及智能設(shè)備的制造成本。
然而，據(jù)稱其降價(jià)要求遭到長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)拒絕。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)堅(jiān)持其報(bào)價(jià)不低于三星電子和SK海力士的水平，這一態(tài)度反映出DRAM市場(chǎng)的議價(jià)權(quán)正逐步從終端廠商向存儲(chǔ)供應(yīng)商轉(zhuǎn)移。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)之所以敢于直接回絕蘋果的要求，關(guān)鍵原因在于其產(chǎn)能已被華為、小米等中國(guó)主要廠商通過高價(jià)長(zhǎng)期協(xié)議提前鎖定，從而無需為爭(zhēng)取蘋果訂單而讓利。
與此同時(shí)，三星電子和SK海力士正加速將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM4、LPCAMM2和企業(yè)級(jí)SSD等高附加值A(chǔ)I存儲(chǔ)產(chǎn)品，導(dǎo)致通用型DRAM供給持續(xù)收緊、價(jià)格上行。
