本文重點(diǎn)分析關(guān)于 “含嵌入式閃存（eFlash）IP 的芯粒（Chiplet）” 的報(bào)告，核心圍繞 SST SuperFlash? 技術(shù)、芯粒實(shí)現(xiàn)方案及應(yīng)用展開。
一、SST SuperFlash技術(shù)基礎(chǔ)與市場(chǎng)地位
- 市場(chǎng)領(lǐng)先性：全球前 10 大微控制器（MCU）廠商 100% 采用 SST SuperFlash? 技術(shù)，頭部客戶包括 NXP（17.3% 市場(chǎng)份額）、瑞薩（16.8%）、意法半導(dǎo)體（15.4%）等；累計(jì)出貨超 2000 億顆搭載該技術(shù)的設(shè)備，當(dāng)前年出貨量超 150 億顆，是嵌入式閃存領(lǐng)域的頭部供應(yīng)商。
- 技術(shù)迭代歷程：自 1989 年 SST 成立以來，SuperFlash? 已發(fā)展 4 代，均保持一致的擦除 / 編程（E/P）機(jī)制與可靠性優(yōu)勢(shì)，且各代均實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期量產(chǎn)：
- ESF1：非自對(duì)準(zhǔn)單元，選擇柵兼作擦除柵，量產(chǎn)超 30 年；
- ESF2：自對(duì)準(zhǔn)單元，選擇柵兼作擦除柵，量產(chǎn)超 20 年；
- ESF3：自對(duì)準(zhǔn)單元，具備獨(dú)立選擇柵、耦合柵與擦除柵，量產(chǎn)超 16 年；
- ESF4：自對(duì)準(zhǔn)單元，具備獨(dú)立選擇柵與擦除柵，28nm 車規(guī)級(jí)已通過認(rèn)證并進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。
- 技術(shù) roadmap：
- ESF3/4 先進(jìn)制程：ESF3-28 Poly/SiON、ESF3/4-28 HKMG 已量產(chǎn)，ESF3-40 Gen2、ESF3-22 HKMG 處于研發(fā) / 認(rèn)證階段；
- ESF BCD（BCD 是模擬、數(shù)字、功率電路集成技術(shù)）：130nm 30V/40V-120V/85V、55nm 30V/16-120V、65/40nm 24-120V 已量產(chǎn)，28nm 24V-120V 處于研發(fā) / 認(rèn)證階段，覆蓋高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
二、SuperFlash? 芯粒（Chiplet）技術(shù)方案
- 2.5D RDL扇出封裝：利用重分布層（RDL）實(shí)現(xiàn)芯片扇出，支持芯片間互連（均含有源器件），可實(shí)現(xiàn)近單片集成，適用于移動(dòng)、5G 等小尺寸需求場(chǎng)景，已量產(chǎn)多年，參考索尼 CMOS 圖像傳感器、AMD VCache 技術(shù)；
- 3D 混合鍵合（HB）：包括面對(duì)面（Face-to-Face）和面對(duì)背（Face-to-Back）集成，如 40nm ESF3 晶圓與 14nm 邏輯晶圓鍵合，關(guān)鍵參數(shù)包括：CMOS 邏輯采用 16nm FinFET 工藝、供電 0.8V/1.8V，ESF3 閃存容量 128kX144、擦除時(shí)間最大 20ms，晶圓尺寸 7.01mm×7.01mm，可實(shí)現(xiàn)高集成度與高性能。
- 技術(shù)目標(biāo)：拓展 ESF3 技術(shù)集成擴(kuò)展性，適配先進(jìn)邏輯制程，定義芯粒集成方法、建立先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)流程；
- 核心參數(shù)：支持 500 個(gè)連接點(diǎn)、200MHz 速度、16Mb 容量，芯片間邊緣距離 0.2mm，采用 2 層 RDL（RDL1 傳信號(hào)、RDL2 供電源 / 接地），無封裝基板（節(jié)省成本，適配 600mm 面板工藝），封裝尺寸僅 2.9×2.7mm；
- 互連性能：RDL 線長(zhǎng) 1-3mm，在 ESF3-28nm（0.9V 標(biāo)稱電壓）與 28nm MCU 間，無需 SERDES 或 PHY 模塊即可直接連接，最差工況（ssg_0.81V/-40℃）下傳播延遲可控。
2025 OCP APAC Summit Chiplets & Advanced Packaging合集（1）2025 OCP APAC Summit Chiplets & Advanced Packaging合集（2）2025 OCP APAC Summit Chiplets & Advanced Packaging合集（3）《服務(wù)器相關(guān)內(nèi)部培訓(xùn)資料合集》1、內(nèi)部培訓(xùn)資料：服務(wù)器內(nèi)存知識(shí)分析（2025）2、內(nèi)部培訓(xùn)資料：服務(wù)器行業(yè)整體情況分析（2025）
《2025 OCP/FMS全球峰會(huì)合集》1、2025 OCP Southeast Asia Tech Day（15份） 2、2025 OCP Global Summit（37專題 400+份） 3、2025 OCP APAC Summit（11專題 200+份） 4、2025 OCP AI_ML IT Systems Workshop（7份） 5、2025 FMS峰會(huì)（63專題 500+份）本文所有資料都已上傳至“智能計(jì)算芯知識(shí)”星球AI峰會(huì)合集技術(shù)專欄。AI/GPU/CPU芯片專題資料都已上傳至“智能計(jì)算芯知識(shí)”星球。更多芯片資料請(qǐng)參閱“《105+份GPU芯片技術(shù)及白皮書合集》”，“《100+份AI芯片技術(shù)修煉合集》”，“《42+份半導(dǎo)體芯片圖譜》”，“《70+份半導(dǎo)體研究框架》”等。1、70+篇半導(dǎo)體行業(yè)“研究框架”合集3、14份半導(dǎo)體“AI的iPhone時(shí)刻”系列合集4、21份走進(jìn)“芯”時(shí)代系列深度報(bào)告合集5、800+份重磅ChatGPT專業(yè)報(bào)告7、11+份AI的裂變時(shí)刻系列報(bào)告
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