任國強研究員：氨熱法氮化鎵單晶生長研究進展
嘉賓介紹：
任國強，中科院蘇州納米所研究員；納安半導體科技（蘇州）有限公司總經理，蘇州領軍創(chuàng)業(yè)人才。主要從事氮化鎵體單晶生長及物性表征研究。在國際上較早地采用HVPE法實現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶厘米級厚度的生長；在國內率先開展了氮化鎵氨熱生長的工作，實現(xiàn)了氨熱法超高壓生長裝備和生長技術的重要突破，位錯密度降至1E4cm-2量級。主持了國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項子課題、國家部委項目、國家自然科學基金面上項目及青年基金、中國科學院科研設備研制項目、江蘇省重點研發(fā)項目及江蘇省工業(yè)支撐重點項目、蘇州市應用基礎項目等。在CGCT、IFWS、IUMRS、NDNC、全國晶體生長會議、全國MOCVD會議、寬禁帶半導體會議等國際國內會議做報告20余次，任《人工晶體學報》編委。將系統(tǒng)解析氨熱法GaN單晶生長的最新突破。
任國強研究員將分享其團隊在氨熱法超高壓生長裝備自主研制、晶體缺陷控制及雜質精準調控方面的創(chuàng)新成果，并對GaN單晶材料的未來發(fā)展趨勢作出展望，為突破高性能GaN器件襯底瓶頸提供關鍵技術路徑。
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成果征集
Call For Paper
我們期待您近一年內正式發(fā)表或未發(fā)表已有科學依據(jù)和可靠數(shù)據(jù)的技術報告，階段性成果報告，以及屬于前沿技術，并對寬禁帶半導體學科發(fā)展有指導意義的展望評論性論文的，圍繞寬禁帶半導體（SiC, GaN, Ga2O3, AlN, 金剛石等）領域，在理論或應用實踐上具有創(chuàng)新價值的前沿成果。
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征集范圍（包括但不限于）
材料與生長：晶體與外延生長、新型生長技術、基礎材料研究、材料加工技術等。
缺陷和表征：材料特性、缺陷控制技術、表征技術等。
裝備設計、工藝和特性
器件設計、工藝和測試：器件工藝及設計、新型器件和特性、建模和仿真、新型測試和表征技術等
封裝與可靠性及其應用
成果形式：
學術論文、專利、專著、檢測方法、技術報告、產品原型等。
征集要求
成果需具備原創(chuàng)性、先進性和實用性，具有重要學術或應用推廣價值。
不存在知識產權爭議或其它法律糾紛，不涉及國家秘密。
請按要求填寫中英雙語成果征集表（見附件），如是未發(fā)表論文，請參照會議摘要模板提交，優(yōu)秀稿件全文將有機會推薦至《Materials》《Molecules》《Electronics》《Crystals》等權威期刊。
投稿截止日期：2025年11月5日
請將填寫好的征集表發(fā)送至郵箱：mishuchu@iawbs.com，郵件標題請注明“姓名+單位+APCSCRM 2025科研成果征集”。
報名參會
Registration
02
請登錄會議官網，完成注冊報名：
Please scan the following code to register through APCSCRM official website:
https://apcscrm2025.casconf.cn
會務聯(lián)系
Contact
商務合作 Business Cooperation
陳老師 Ms. Chen：86-13155757628
E-mail：lianmeng@iawbs.com
征文投稿 Submission
劉老師Ms. Liu：86-18931699592
E-mail: mishuchu@iawbs.com
參會報名 Participant Registration
周老師 Ms. Zhou：86-17854177403
E-mail: apcscrm@iawbs.com
會議信息持續(xù)更新，敬請期待！
Stay tuned for continued updates on the conference!
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