任國強研究員：氨熱法氮化鎵單晶生長研究進展
嘉賓介紹：
任國強，中科院蘇州納米所研究員；納安半導體科技（蘇州）有限公司總經理，蘇州領軍創業人才。主要從事氮化鎵體單晶生長及物性表征研究。在國際上較早地采用HVPE法實現了2英寸氮化鎵單晶厘米級厚度的生長；在國內率先開展了氮化鎵氨熱生長的工作，實現了氨熱法超高壓生長裝備和生長技術的重要突破，位錯密度降至1E4cm-2量級。主持了國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項子課題、國家部委項目、國家自然科學基金面上項目及青年基金、中國科學院科研設備研制項目、江蘇省重點研發項目及江蘇省工業支撐重點項目、蘇州市應用基礎項目等。在CGCT、IFWS、IUMRS、NDNC、全國晶體生長會議、全國MOCVD會議、寬禁帶半導體會議等國際國內會議做報告20余次，任《人工晶體學報》編委。將系統解析氨熱法GaN單晶生長的最新突破。
任國強研究員將分享其團隊在氨熱法超高壓生長裝備自主研制、晶體缺陷控制及雜質精準調控方面的創新成果，并對GaN單晶材料的未來發展趨勢作出展望，為突破高性能GaN器件襯底瓶頸提供關鍵技術路徑。
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成果征集
Call For Paper
我們期待您近一年內正式發表或未發表已有科學依據和可靠數據的技術報告，階段性成果報告，以及屬于前沿技術，并對寬禁帶半導體學科發展有指導意義的展望評論性論文的，圍繞寬禁帶半導體（SiC, GaN, Ga2O3, AlN, 金剛石等）領域，在理論或應用實踐上具有創新價值的前沿成果。
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征集范圍（包括但不限于）
材料與生長：晶體與外延生長、新型生長技術、基礎材料研究、材料加工技術等。
缺陷和表征：材料特性、缺陷控制技術、表征技術等。
裝備設計、工藝和特性
器件設計、工藝和測試：器件工藝及設計、新型器件和特性、建模和仿真、新型測試和表征技術等
封裝與可靠性及其應用
成果形式：
學術論文、專利、專著、檢測方法、技術報告、產品原型等。
征集要求
成果需具備原創性、先進性和實用性，具有重要學術或應用推廣價值。
不存在知識產權爭議或其它法律糾紛，不涉及國家秘密。
請按要求填寫中英雙語成果征集表（見附件），如是未發表論文，請參照會議摘要模板提交，優秀稿件全文將有機會推薦至《Materials》《Molecules》《Electronics》《Crystals》等權威期刊。
投稿截止日期：2025年11月5日
請將填寫好的征集表發送至郵箱：mishuchu@iawbs.com，郵件標題請注明“姓名+單位+APCSCRM 2025科研成果征集”。
報名參會
Registration
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請登錄會議官網，完成注冊報名：
Please scan the following code to register through APCSCRM official website:
https://apcscrm2025.casconf.cn
會務聯系
Contact
商務合作 Business Cooperation
陳老師 Ms. Chen：86-13155757628
E-mail：lianmeng@iawbs.com
征文投稿 Submission
劉老師Ms. Liu：86-18931699592
E-mail: mishuchu@iawbs.com
參會報名 Participant Registration
周老師 Ms. Zhou：86-17854177403
E-mail: apcscrm@iawbs.com
會議信息持續更新，敬請期待！
Stay tuned for continued updates on the conference!
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