2月9日，源杰科技發布公告稱，公司擬投資建設光電通訊半導體芯片和器件研發生產基地二期項目，總投資金額約12.51億元，資金來源為自有資金及自籌資金，項目尚需提交公司股東會審議通過后正式推進。
圖片來源：源杰半導體公告截圖
據悉，該二期項目選址于陜西省西咸新區灃西新城開元路1265號，與公司現有基地地理位置銜接，建設周期為18個月，主要建設內容包括新建光芯片生產線、生產廠房及配套設施，聚焦高速光芯片領域，旨在提升公司高端光芯片訂單交付的穩定性與響應速度，滿足客戶在數據中心建設等領域持續提升的產品需求。
值得關注的是，此次投建的光電通訊芯片二期基地，本質上是源杰半導體對化合物半導體業務的進一步加碼與深化。
公開資料顯示，#源杰半導體 成立于2013年，2022年登陸科創板，是我國領先的半導體激光器芯片制造商，核心業務聚焦于磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等化合物半導體激光器芯片的研發與生產，構建了從外延生長、芯片制造到封裝測試的全產業鏈能力，也是國家級專精特新“小巨人”企業。
化合物半導體與傳統硅基半導體相比，具有高頻、高速、耐高溫、低功耗等突出優勢，是光電通訊芯片的核心支撐材料，其中磷化銦、砷化鎵更是光通信領域不可或缺的關鍵材料——磷化銦主要用于制造高速激光器芯片、探測器芯片，是400G/800G光模塊、5G基站光模塊的核心組件，而砷化鎵則廣泛應用于中低速光芯片及激光雷達芯片領域。
源杰半導體此次投建的二期基地，將延續其核心技術路線，重點推進基于磷化銦等化合物半導體材料的高速光芯片規模化生產，進一步突破外延生長、干法刻蝕等關鍵工藝瓶頸，提升產品性能與良率，其自主研發的25G DFB激光器芯片已實現波長偏差±3nm、可靠性達100萬小時的優異性能，對標國際巨頭水平。
從行業層面來看，近年來，隨著數字經濟、5G通信、人工智能、云計算等產業的快速發展，數據中心建設加速推進，光模塊向高速率、高帶寬升級，帶動高速光芯片需求持續爆發，而化合物半導體作為高速光芯片的核心載體，市場規模呈現快速增長態勢，成為半導體產業升級的核心賽道之一。
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