SK keyfoundry 稱完成 SiC Planar MOSFET 工藝平臺，覆蓋 450V–2300V，并獲得高壓工況下的可靠性與穩(wěn)定性數(shù)據(jù)。
這句話的含義是：它在對外定義一個“可擴(kuò)展的工藝底座”。在SiC里，做出一顆樣品不難，難的是把電壓段、目標(biāo)應(yīng)用、客戶版圖差異，最終收斂到一套可以反復(fù)復(fù)制的“平臺工藝包”。
同時還在公告中明確寫道：通過整體工藝優(yōu)化與關(guān)鍵工序精控，良率提升到90%以上并提升生產(chǎn)效率。在8英寸/200mm的語境里，“良率”不是一個制造部門KPI，而是客戶是否敢導(dǎo)入的風(fēng)險系數(shù)。
尤其對功率器件客戶來說，良率背后對應(yīng)三件事：成本結(jié)構(gòu)、批次一致性、交付可預(yù)測性。所以 SK 這句“>90%”實際上是在回答客戶最現(xiàn)實的問題：你把我從工程樣品帶到量產(chǎn)爬坡的概率有多高？
SK keyfoundry強(qiáng)調(diào)其提供差異化的“customized process support service”，可按客戶需求微調(diào)電特性與規(guī)格。
這一步很關(guān)鍵：當(dāng)SiC走向平臺化競爭，贏的往往不是“最強(qiáng)器件”，而是“最快把客戶設(shè)計變成可量產(chǎn)產(chǎn)品”的那家。定制化工藝支持，本質(zhì)就是把客戶工程（Customer Engineering）納入平臺能力。
SK keyfoundry 同時披露：獲得一位新客戶的 1200V SiC MOSFET 開發(fā)訂單（客戶為SiC設(shè)計公司），產(chǎn)品用于工業(yè)設(shè)備；在樣品與可靠性驗證后，計劃于 2027年上半年進(jìn)入全面量產(chǎn)。
行業(yè)二次報道直接點(diǎn)題：平臺完成后立刻拿到商業(yè)訂單，說明平臺成熟度已具備“商業(yè)化就緒”的意味。
SK keyfoundry在2025年11月的公開稿里， 已明確給過節(jié)奏：目標(biāo) 2025年底提供1200V SiC MOSFET工藝，并在 2026年上半年啟動SiC代工業(yè)務(wù)，應(yīng)用錨定 EV動力系統(tǒng)、工業(yè)電源轉(zhuǎn)換、可再生能源逆變器等高壓高效場景。
而2026年3月這條“Planar平臺+良率>90%+新客戶訂單”，可以理解為：路線圖里的“foundry化”終于到了可以對外用制造指標(biāo)說話的階段。
碳化硅產(chǎn)品擴(kuò)徑后，單點(diǎn)優(yōu)化不夠用了，必須靠系統(tǒng)工程把波動壓下去。200mm意味著更高的設(shè)備要求、更復(fù)雜的過程窗口、更敏感的批次一致性管理。于是競爭從“做出一顆好器件”轉(zhuǎn)向“把波動管理成可預(yù)測的制造系統(tǒng)”。
平臺化能把客戶導(dǎo)入從“項目制”變成“產(chǎn)品制”。SK強(qiáng)調(diào)“電特性/規(guī)格可微調(diào)”的定制服務(wù)，本質(zhì)是在把客戶導(dǎo)入變成可復(fù)制流程。就像Infineon強(qiáng)調(diào)“虛擬工廠協(xié)同”，本質(zhì)是在把爬坡與質(zhì)量控制變成運(yùn)營系統(tǒng)。
除此之外，平臺化會把行業(yè)利潤重新分配給“能交付”的人。當(dāng)供給側(cè)產(chǎn)能擴(kuò)張后，市場會越來越現(xiàn)實：誰能穩(wěn)定交付、誰的導(dǎo)入節(jié)奏快、誰的良率與一致性更可控，誰才能在價格壓力下守住毛利。
除了代工平臺化以外，如果把全球玩家按“平臺化路徑”拆開，大致是五種路線在競速
路線A：垂直整合+200mm規(guī)模化（Wolfspeed）
Wolfspeed披露其Mohawk Valley 200mm SiC fab已到20% wafer start利用率，并指出Building 10材料工廠達(dá)到200mm晶圓生產(chǎn)目標(biāo)以支持Mohawk Valley到2024年底約25%利用率，強(qiáng)調(diào)其“規(guī)模化的200mm垂直整合”。
此外，Wolfspeed在2025年宣布200mm SiC材料產(chǎn)品組合商業(yè)化發(fā)布，并稱200mm外延可“立即導(dǎo)入認(rèn)證”，以幫助客戶提升MOSFET良率、加快上市，并強(qiáng)調(diào)厚度、摻雜與均勻性等材料層面的可規(guī)模質(zhì)量。材料平臺化，是它的“上游護(hù)城河”。
路線B：雙廠協(xié)同的“虛擬工廠”+分階段爬坡（Infineon）
Infineon明確表示在2025年一季度向客戶交付首批基于200mm SiC的產(chǎn)品（Villach制造），并稱Kulim從150mm向200mm轉(zhuǎn)換“完全按計劃推進(jìn)”，新建Module 3“準(zhǔn)備開始高產(chǎn)量生產(chǎn)”。
它還強(qiáng)調(diào)Villach與Kulim共享技術(shù)與流程（“One Virtual Fab”概念），以實現(xiàn)更快爬坡、成本效率與質(zhì)量兼顧——這是一種典型的“平臺化運(yùn)營能力”。
路線C：一體化園區(qū)，把“從襯底到模塊”做成規(guī)模系統(tǒng)（ST）
ST宣布在意大利Catania建設(shè)“Silicon Carbide Campus”，強(qiáng)調(diào)在同一園區(qū)內(nèi)覆蓋襯底、外延、200mm前道、封裝測試到模塊裝配，目標(biāo)2026年投產(chǎn)，到2033年滿產(chǎn)可達(dá)15,000片/周，并明確“200mm技術(shù)用于提升良率與性能”。
同時，ST在更新中提到該園區(qū)進(jìn)展“按計劃推進(jìn)”，并稱200mm晶圓生產(chǎn)計劃在2025年四季度開始——這把“平臺化”從宏大規(guī)劃落到了更明確的爬坡節(jié)點(diǎn)。
路線D：并購存量200mm產(chǎn)線，快速切入SiC（Bosch）
Bosch計劃收購TSI（美國Roseville），并稱未來幾年投資超15億美元將其轉(zhuǎn)為SiC工藝，目標(biāo)是2026年開始在200mm晶圓上生產(chǎn)SiC芯片。這是一種“買現(xiàn)成200mm制造能力，再轉(zhuǎn)SiC”的路線，核心是時間窗口與產(chǎn)線改造能力。
路線E：歐洲本土“端到端”SiC供應(yīng)鏈（onsemi）
onsemi宣布計劃在捷克建設(shè)“垂直整合”的SiC制造基地，規(guī)劃投資可達(dá)20億美元，強(qiáng)調(diào)從晶體到先進(jìn)封裝的能力，服務(wù)電動化、可再生能源與AI數(shù)據(jù)中心需求。onsemi
隨后歐洲媒體披露歐委會批準(zhǔn)捷克對該項目的4.5億歐元支持，并稱項目目標(biāo)是在當(dāng)?shù)亟ⅰ皬木w生長到成品器件”的全流程產(chǎn)線，商業(yè)化輸出目標(biāo)為2027年，并提到發(fā)展下一代200mm SiC技術(shù)等附帶要求。
把上面幾條路線放一起，你會發(fā)現(xiàn)所謂“8英寸SiC時代”，本質(zhì)不是簡單擴(kuò)徑，而是三種平臺能力的疊加：
1）制造平臺：良率、一致性、過程窗口、關(guān)鍵工序控制（SK把“>90%良率”公開化，就是把競爭焦點(diǎn)拉到這里）。
2）供應(yīng)鏈平臺：材料（襯底/外延）、前道、后道封裝測試的協(xié)同與規(guī)模化（Wolfspeed的200mm材料商業(yè)化、ST的一體化園區(qū)、onsemi的端到端，都在搶這個制高點(diǎn)）。
3）客戶工程平臺：定制化工藝支持、可靠性驗證體系、導(dǎo)入節(jié)奏管理（Infineon“虛擬工廠”式協(xié)同，SK強(qiáng)調(diào)“按客戶需求微調(diào)電特性”，都在把foundry邏輯引入SiC）。
最后，我們想說的是，后續(xù)的規(guī)模市場里導(dǎo)入效率將越來越被重視。對于逐步進(jìn)入8英寸時代國內(nèi)企業(yè)而言，下一步需要更標(biāo)準(zhǔn)化的PDK/Design Enablement、清晰的可靠性驗證流程，以及面向工業(yè)/新能源/數(shù)據(jù)中心等場景的“規(guī)格—工藝—封裝—應(yīng)用”聯(lián)動打法。
或許8英寸SiC真正的分水嶺，不是“有沒有200mm產(chǎn)線”，而是“有沒有可復(fù)用、可定制、可規(guī)模交付的工藝平臺”。當(dāng)越來越多巨頭把籌碼壓在200mm與平臺化上，國內(nèi)廠商要問自己的問題也許是：我們要做的是下一條8英寸線，還是下一套能持續(xù)拿訂單的工藝平臺？
來源：碳化硅芯觀察
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