簡介
過去30年來，MEMS開關(guān)一直被標(biāo)榜為性能有限的機(jī)電繼電器的出色替代器件，因?yàn)樗子谑褂茫叽绾苄。軌蛞詷O小的損耗可靠地傳送0 Hz/dc至數(shù)百GHz信號，有望徹底改變電子系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方式。
這種性能優(yōu)勢會(huì)對大量不同的設(shè)備和應(yīng)用產(chǎn)生重要影響。在MEMS開關(guān)技術(shù)的幫助下，很多領(lǐng)域都將達(dá)到前所未有的性能水準(zhǔn)和尺寸規(guī)格，包括電氣測試與測量系統(tǒng)、防務(wù)系統(tǒng)應(yīng)用、醫(yī)療保健設(shè)備。
目前的開關(guān)技術(shù)都或多或少存在缺點(diǎn)，沒有一種技術(shù)是理想解決方案。繼電器的缺點(diǎn)包括帶寬較窄、動(dòng)作壽命有限、通道數(shù)有限以及封裝尺寸較大。與繼電器相比，MEMS技術(shù)一直就有實(shí)現(xiàn)最高水平RF開關(guān)性能的潛力，其可靠性要高出好幾個(gè)數(shù)量級，而且尺寸很小。
但是，難以通過大規(guī)模生產(chǎn)來大批量提供可靠產(chǎn)品的挑戰(zhàn)，讓許多試圖開發(fā)MEMS開關(guān)技術(shù)的公司停滯不前。Foxboro Company是最早開始MEMS開關(guān)研究的公司之一，其于1984年申請了世界最早的機(jī)電開關(guān)專利之一。
ADI公司自1990年開始通過一些學(xué)術(shù)項(xiàng)目涉足MEMS開關(guān)技術(shù)研究。到1998年，ADI公司終于開發(fā)出一種MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)，并根據(jù)該設(shè)計(jì)制作了一些早期原型產(chǎn)品。2011年，ADI公司大幅增加了MEMS開關(guān)項(xiàng)目投入，從而推動(dòng)了自有先進(jìn)MEMS開關(guān)制造設(shè)施的建設(shè)。現(xiàn)在，ADI公司已能夠滿足業(yè)界一直以來的需求：量產(chǎn)、可靠、高性能、小尺寸的MEMS開關(guān)取代衰老的繼電器技術(shù)。
ADI公司與MEMS技術(shù)有著深厚的歷史淵源。世界上第一款成功開發(fā)、制造并商用的MEMS加速度計(jì)是ADI公司于1991年發(fā)布的ADXL50加速度計(jì)。ADI公司于2002年發(fā)布第一款集成式MEMS陀螺儀ADXRS150。
以此為開端，ADI公司建立了龐大的MEMS產(chǎn)品業(yè)務(wù)和無可匹敵的高可靠性、高性能MEMS產(chǎn)品制造商聲譽(yù)。ADI公司已為汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用交付了逾10億只慣性傳感器。正是這種優(yōu)良傳統(tǒng)所帶來的經(jīng)驗(yàn)和信念將MEMS開關(guān)技術(shù)變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。
MEMS開關(guān)基本原理
ADI MEMS開關(guān)技術(shù)的關(guān)鍵是靜電驅(qū)動(dòng)的微加工懸臂梁開關(guān)元件概念。本質(zhì)上可以將它視作微米尺度的機(jī)械開關(guān)，其金屬對金屬觸點(diǎn)通過靜電驅(qū)動(dòng)。
開關(guān)采用三端子配置進(jìn)行連接。功能上可以將這些端子視為源極、柵極和漏極。圖2是開關(guān)的簡化示意圖，情況A表示開關(guān)處于斷開位置。將一個(gè)直流電壓施加于柵極時(shí)，開關(guān)梁上就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)靜電下拉力。
這種靜電力與平行板電容的正負(fù)帶電板之間的吸引力是相同的。當(dāng)柵極電壓斜升至足夠高的值時(shí)，它會(huì)產(chǎn)生足夠大的吸引力（紅色箭頭）來克服開關(guān)梁的彈簧阻力，開關(guān)梁開始向下移動(dòng)，直至觸點(diǎn)接觸漏極。該過程如圖2中的情況B所示。
因此，源極和漏極之間的電路閉合，開關(guān)現(xiàn)已接通。拉下開關(guān)梁所需的實(shí)際力大小與懸臂梁的彈簧常數(shù)及其對運(yùn)動(dòng)的阻力有關(guān)。注意：即使在接通位置，開關(guān)梁仍有上拉開關(guān)的彈簧力（藍(lán)色箭頭），但只要下拉靜電力（紅色箭頭）更大，開關(guān)就會(huì)保持接通狀態(tài)。
最后，當(dāng)移除柵極電壓時(shí)（圖2中的情況C），即柵極電極上為0 V時(shí)，靜電吸引力消失，開關(guān)梁作為彈簧具有足夠大的恢復(fù)力（藍(lán)色箭頭）來斷開源極和漏極之間的連接，然后回到原始關(guān)斷位置。
圖3顯示了利用MEMS技術(shù)制造開關(guān)的四個(gè)主要步驟。開關(guān)建構(gòu)在一個(gè)高電阻率硅晶圓(1)上，晶圓上面沉積一層很厚的電介質(zhì)，以便提供與下方襯底的優(yōu)良電氣隔離。
利用標(biāo)準(zhǔn)后端CMOS互連工藝實(shí)現(xiàn)到MEMS開關(guān)的互連。低電阻率金屬和多晶硅用于形成到MEMS開關(guān)的電氣連接，并且嵌入到電介質(zhì)層(2)中。標(biāo)示為紅色的金屬過孔(2)用于提供到開關(guān)輸入、輸出和柵極電極的連接，以及焊芯片上其他位置的引線焊盤的連接。
懸臂式MEMS開關(guān)本身利用犧牲層進(jìn)行表面微加工，在懸臂梁下方產(chǎn)生氣隙。懸臂式開關(guān)梁結(jié)構(gòu)和焊盤(3)利用金形成。開關(guān)觸點(diǎn)和柵極電極由低電阻率金屬薄膜沉積在電介質(zhì)表面而形成。
引線焊盤也是利用上述步驟制成。利用金線焊接將MEMS芯片連接到一個(gè)金屬引線框，然后封裝到塑料四方扁平無引線(QFN)封裝中以便能輕松表貼在PCB上。芯片并不局限于任何一種封裝技術(shù)。
這是因?yàn)橐粋€(gè)高電阻率硅帽(4)被焊接到MEMS芯片，在MEMS開關(guān)器件周圍形成一個(gè)氣密保護(hù)外殼。無論使用何種外部封裝技術(shù)，這種氣密外殼都能提高開關(guān)的環(huán)境魯棒性和使用壽命。
圖4為采用單刀四擲(ST4T)多路復(fù)用器配置的四個(gè)MEMS開關(guān)的放大圖。每個(gè)開關(guān)梁有五個(gè)并聯(lián)阻性觸點(diǎn)，用以降低開關(guān)閉合時(shí)的電阻并提高功率處理能力。
如開頭所述，MEMS開關(guān)需要高直流驅(qū)動(dòng)電壓來以靜電力驅(qū)動(dòng)開關(guān)。為使器件盡可能容易使用并進(jìn)一步保障性能，ADI公司設(shè)計(jì)了配套驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)來產(chǎn)生高直流電壓，其與MEMS開關(guān)共同封裝于QFN規(guī)格尺寸中。
此外，所產(chǎn)生的高驅(qū)動(dòng)電壓以受控方式施加于開關(guān)的柵極電極。它以微秒級時(shí)間斜升至高電壓。斜升有助于控制開關(guān)梁的吸引和下拉，改善開關(guān)的動(dòng)作性能、可靠性和使用壽命。
圖5顯示了一個(gè)QFN封裝中的驅(qū)動(dòng)器IC和MEMS芯片實(shí)例。驅(qū)動(dòng)器IC僅需要一個(gè)低電壓、低電流電源，可與標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯驅(qū)動(dòng)電壓兼容。這種一同封裝的驅(qū)動(dòng)器使得開關(guān)非常容易使用，并且其功耗要求非常低，大約在10 mW到20 mW范圍內(nèi)。
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