2026年以來，全球化合物半導體產業(yè)進入新一輪擴張周期，中國企業(yè)在政策與市場雙輪驅動下加速資本化進程。
5月11日，株洲科能新材料股份有限公司（簡稱“株洲科能”）科創(chuàng)板IPO申請獲上海證券交易所受理，成為2026年以來第7家獲受理的科創(chuàng)板IPO項目。
與此同時，如臻寶科技、度亙核芯等多家涉及化合物半導體及第三代半導體的企業(yè)密集推進上市，資本市場熱度持續(xù)攀升，國產替代進程持續(xù)加速。
株洲科能二次沖板，擬募資5.6億元
據(jù)上交所披露的招股書申報稿，#株洲科能 本次IPO保薦機構為申港證券，擬募集資金5.6億元，主要投向年產500噸半導體高純材料及回收項目、稀散金屬先進材料研發(fā)中心建設，剩余資金用于補充流動資金，聚焦化合物半導體以及ITO、IGZO等靶材合成所需的核心關鍵基礎材料的研發(fā)與生產。
圖片來源：上交所信息截圖
公開信息顯示，株洲科能專注于稀散金屬高純材料領域，核心產品包括高純鎵、高純銦、氧化銦、氧化鎵等，這些材料是制備磷化銦、砷化鎵、氮化鎵等化合物半導體的關鍵原材料，終端應用覆蓋5G/6G通信、AI算力、新型顯示、新能源汽車等高端領域。
財務數(shù)據(jù)顯示，公司近年營收持續(xù)高速增長，2023年至2025年，營業(yè)收入分別為6.09億元、7.87億元、10.27億元，三年復合增長率超30%，強勁的增長勢頭印證了下游化合物半導體及先進顯示產業(yè)的旺盛需求。
此次為株洲科能第二次沖擊科創(chuàng)板。公司曾于2023年6月首次獲上交所受理，后于2025年10月主動撤回申請；2025年11月完成輔導備案，2026年5月再度申報。
全鏈條IPO密集推進，SiC/GaN成焦點
株洲科能的IPO并非個例，2026年以來，國內化合物半導體及第三代半導體領域至少10家企業(yè)沖刺IPO，其中碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）成為資本關注的核心焦點。
在碳化硅領域，4月17日，中國證監(jiān)會官網正式發(fā)布批復文件，同意重慶#臻寶科技 股份有限公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的注冊申請。
圖片來源：中國證監(jiān)會官網文件截圖
資料顯示，臻寶科技成立于2016年，公司主營產品覆蓋硅基、石英、碳化硅、氧化鋁陶瓷等多品類半導體設備核心零部件。財報數(shù)據(jù)顯示，2023年至2025年公司經營業(yè)績持續(xù)走高，期間營業(yè)收入分別達到5.06億元、6.35億元、8.68億元，歸母凈利潤依次為1.09億元、1.52億元、2.26億元。
3月30日，碳化硅外延企業(yè)#瀚天天成 正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市，成為港股市場又一家聚焦第三代半導體領域的企業(yè)。
圖片來源：瀚天天成
在去年12月，瀚天天成正式宣布推出全球首款12英寸高質量碳化硅外延晶片，這是其在SiC外延領域的重要技術突破。該產品關鍵性能表現(xiàn)優(yōu)異，外延層厚度不均勻性控制在3%以內，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率超96%，可充分滿足下游功率器件領域的高可靠性應用需求。
氮化鎵領域同樣動作頻頻。
5月8日，證監(jiān)會官網IPO輔導公示系統(tǒng)顯示，#度亙核芯 與輔導券商國泰海通一同向江蘇證監(jiān)局提交《輔導工作完成報告》，輔導狀態(tài)更新為“輔導驗收”，標志著其歷時一年多的上市輔導工作基本完成，即將進入正式IPO申報流程。
圖片來源：證監(jiān)會官網公示截圖
度亙核芯聚焦高功率GaN激光器與VCSEL領域，擁有覆蓋化合物半導體激光器芯片設計、外延生長、器件工藝、芯片封裝、測試表征、可靠性驗證以及功能模塊等全套工程技術能力和量產制造能力。
此外，#芯邁半導體（功率半導體）推進港股IPO，募資將用于PMIC芯片研發(fā)與車規(guī)級產線升級，投資方涵蓋大基金二期、小米、寧德時代等知名產業(yè)資本，彰顯產業(yè)資本對氮化鎵賽道的高度認可。
除上述外，化合物半導體設備與封測領域也迎來上市熱潮。
4月21日，#盛合晶微（先進封測）正式登陸科創(chuàng)板，填補國內化合物半導體先進封測領域上市企業(yè)空白；4月24日，聯(lián)訊儀器（測試設備）在科創(chuàng)板上市，其自主研發(fā)的化合物半導體測試設備可廣泛應用于GaN、SiC芯片測試場景。
結語
本輪化合物半導體IPO熱潮背后，是清晰的產業(yè)邏輯支撐。
一方面，AI服務器、高速光模塊、新能源汽車快充、6G基站建設等下游領域需求爆發(fā)，帶動化合物半導體需求持續(xù)增長；
另一方面，國家政策強力支撐，“十四五”規(guī)劃重點支持第三代半導體材料與器件，大基金二期重點投向高純材料、外延片等上游環(huán)節(jié)，助力降低對海外供應鏈的依賴。
同時，國內企業(yè)在高純鎵/銦提純、SiC外延、GaN芯片設計等領域實現(xiàn)技術突破，逐步具備與海外巨頭競爭的實力，為資本化進程奠定基礎。
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