中國CMP材料對日本的依賴程度有多高？

在工藝分布上，成熟制程與先進制程的依賴程度差異明顯。中國本土企業已在28nm及以上節點的銅互連、部分介質層等工藝中實現較大規模供貨，安集科技等企業的部分產品已推進到14nm制程驗證和量產階段。

但在14nm及以下先進制程的銅阻擋層、低k介質、高層數3D NAND等場景，高端拋光液仍主要來自Entegris、Fujimi、Resonac、JSR和富士膠片等美日企業。

一個更關鍵的事實是，即使部分國產拋光液已經進入晶圓廠，其上游原料也未必實現國產化。相關研究指出，在14nm及以下先進制程中，國產高端拋光液所需的核心研磨顆粒與特種添加劑，對美日供應鏈的實質性進口依賴度依然超過90%。

原材料依賴

如果只看成品品牌，中國對日本CMP材料的依賴容易被低估；真正更深的依賴，發生在原材料層面。CMP拋光液的核心原料包括高純度二氧化硅溶膠、氧化鈰顆粒以及多類特種添加劑，它們直接決定去除率、缺陷率、表面粗糙度和批次穩定性。

公開研究普遍指出，在高端先進制程中，電子級硅溶膠與高純氧化鈰顆粒的純度、粒徑均勻性和金屬雜質控制要求極高。日系供應商如AGC、Tokuyama、旭化成等，在電子級硅溶膠和高純氧化鈰等關鍵原料上占據核心位置，尤其在7nm及以下制程要求的高純體系中幾乎不可替代。

在3D NAND和STI等工藝中，氧化鈰拋光液尤其關鍵。產業研究指出，高端氧化鈰拋光液及其原料鏈條長期由日本企業主導，這也是中國在專用拋光液領域仍難以擺脫日系方案的重要原因之一。

節點差異

從工藝節點看，中國對日本CMP材料的依賴呈現明顯分層。在28nm及以上成熟制程，國產拋光液和拋光墊已實現較高比例導入，設備雖然仍以美日平臺為主，但對日本材料的絕對依賴已明顯下降。

在14nm至7nm區間，晶圓廠普遍采用“主力供應商為美日、國產產品作為備份或局部導入”的雙供應商策略，先進工藝中的關鍵拋光液和墊材仍主要依賴日美原廠體系。

拋光墊依賴

在CMP拋光墊市場，杜邦是公認的絕對龍頭。國內研究對其技術路徑的梳理顯示，當前主流高端拋光墊業務已歸屬杜邦電子材料體系，晶圓廠中廣泛使用的IC1000等系列產品，長期被視為高端線體的事實標準之一。

JSR等企業則在部分特定結構的聚氨酯拋光墊上具有較強競爭力。

關于亞洲產能體系，過去常被提及的Nitta Haas或Nitta DuPont，本質上已屬于杜邦整合后的生產網絡。NITTA DuPont官方歷史資料顯示，公司沿著Rodel—DuPont體系演變，并在2020年更名為NITTA DuPont。

中國本土企業在拋光墊環節已有一定突破，鼎龍股份等企業已實現部分量產導入，主要覆蓋成熟制程。 但在14nm及以下節點，主流量產線仍主要使用杜邦及相關高端體系產品，國產拋光墊尚未在主流先進制程中實現全面替代。

在7nm及以下節點，受極窄工藝窗口和極低缺陷容忍度約束，CMP設備與核心耗材幾乎完全依賴美日原廠的閉環驗證體系，國產化滲透率普遍低于10%。

總體來看，中國CMP材料對日本的依賴，已經不再是所有環節、所有節點上的平均依賴，而是集中體現為三點：一是高端設備平臺仍掌握在AMAT和荏原手中；二是先進制程拋光液、拋光墊仍以日美產品為主；三是更深層的高純研磨顆粒和特種添加劑體系，仍高度依賴日本供應鏈。

亞化咨詢認為：成熟制程，中國在CMP材料上的國產替代已取得實質進展；14nm及以下尤其7nm及以下節點，中國對日本的依賴仍然較高，主要集中在最難替代的高端原料、專用配方和閉環驗證體系上。這也意味著國產化替代的市場機遇。