國產(chǎn)存儲芯片領域傳來重大進展。據(jù)報道，長鑫存儲自主研發(fā)的LPDDR6芯片已接近研發(fā)驗證尾聲，距離首發(fā)量產(chǎn)更近一步。這意味著，在全球下一代移動內(nèi)存芯片的量產(chǎn)競賽中，中國企業(yè)已與韓國頭部廠商并駕齊驅，有望打破海外巨頭長期主導高端存儲芯片市場的格局。
此次長鑫存儲即將推出的首款LPDDR6產(chǎn)品，在性能參數(shù)上實現(xiàn)了顯著突破。據(jù)介紹，該產(chǎn)品設計規(guī)格速率高達12800 Mbps，與SoC協(xié)同的運行基礎速率為10667Mbps；顆粒容量為16Gb，芯片容量達到16GB，采用1295 Ball的POP封裝。相比此前發(fā)布的LPDDR5X產(chǎn)品，新品在低功耗設計和RAS（可靠性、可用性和可維護性）功能上均有明顯優(yōu)化提升。
LPDDR6被視為下一代移動設備的“內(nèi)存標準答案”。2024年7月，國際固態(tài)技術協(xié)會（JEDEC）正式發(fā)布LPDDR6標準，其帶寬較主流的LPDDR5X翻了兩倍多，專為AI手機、平板電腦等對數(shù)據(jù)傳輸帶寬要求極高的場景設計。長鑫此次的突破，為國產(chǎn)終端設備跑AI大模型、高幀率游戲等應用提供了關鍵的存儲基礎。
長鑫存儲的技術迭代速度令人矚目?；厮萜浒l(fā)展歷程，2023年底該公司剛推出自研LPDDR5產(chǎn)品，單顆粒速率為6400Mbps；2025年推出的LPDDR5X將速率提升至10667Mbps，功耗降低30%。從LPDDR5到LPDDR6進入量產(chǎn)前最后驗證階段，長鑫存儲用了不到三年時間。
飛速迭代的背后是持續(xù)高強度的研發(fā)投入。數(shù)據(jù)顯示，僅2025年一年，長鑫存儲的研發(fā)投入就高達95.93億元，同比增長51%；近三年累計研發(fā)投入已超過206億元。長期的厚積薄發(fā)，使其在全球DRAM市場上的份額已攀升至約10%，位居全球前列。
按行業(yè)慣例，LPDDR產(chǎn)品的導入需經(jīng)歷顆粒單體驗證、研發(fā)驗證、小批量導入驗證和正式量產(chǎn)四個階段。此次研發(fā)驗證進入尾聲，標志著長鑫LPDDR6的商業(yè)化進度條已然過半，為2026年下半年實現(xiàn)全球首發(fā)量產(chǎn)導入奠定了堅實基礎。
目前，長鑫的LPDDR系列產(chǎn)品已進入小米、傳音、榮耀、OPPO、vivo等主流手機廠商的供應鏈。更值得關注的是，市場消息稱蘋果也在評估將長鑫納入其DRAM供應鏈體系，為其在中國市場的產(chǎn)品進行芯片測試。若進展順利，國產(chǎn)高端存儲芯片有望在全球供應鏈中扮演更為重要的角色，重構全球高端存儲市場的供應格局。
