納芯微推出車規級隔離半橋驅動芯片NSI6602Ux系列，該系列基于明星產品NSI6602全面升級，驅動側電壓提升至32V，相比上一代產品具備更強的抗沖擊能力與系統適配能力。
此外，NSI6602Ux集成輸入/輸出側電源狀態反饋功能，并兼具高隔離電壓、低延時、死區可配、輸入互鎖、欠壓閾值可選等特性，適用于驅動SiC、IGBT等器件，可廣泛應用于新能源汽車OBC、DC-DC、主動懸架等場景。
輸入/輸出側電源狀態反饋，助力功率器件開關安全
在OBC/DC-DC、工業電源、電機驅動等功率電子系統中，驅動芯片的可靠性直接決定功率器件的開關安全。隨著SiC、GaN等第三代功率器件的應用，器件驅動閾值更敏感、響應速度更快，這使得系統對驅動芯片的狀態監測精度和響應及時性的要求大幅提升。
傳統方案通常依賴外部電壓監測電路來判斷驅動芯片是否就緒，這不僅增加系統復雜度，還可能因延遲或干擾帶來誤驅動風險，進而引發功率器件損壞、系統失控等潛在安全隱患，同時也限制了第三代功率器件性能的充分發揮。
納芯微NSI6602Ux創新性集成了RDY狀態反饋功能，可實時輸出芯片供電狀態，直接反饋至MCU/DSP，實現芯片級“就緒可見”。無需額外監測電路，即可有效避免未就緒驅動、誤觸發等風險，從系統架構層面提升功率器件開關安全性。
NSI6602Ux（右圖）與NSI6602（左圖）功能框圖對比
高性能驅動與多重保護協同，提升系統可靠性與效率
NSI6602Ux具備4A峰值拉電流與6A峰值灌電流的強勁驅動能力，可直接驅動IGBT、SiC等功率器件，支持最高2MHz開關頻率，無需額外增設緩沖器或驅動放大電路，顯著簡化外圍設計。
器件支持最高32V驅動電壓，并集成欠壓鎖定（UVLO）保護，可有效應對高壓沖擊場景。同時，內置輸入側IN+/IN-互鎖功能，從硬件層面避免上下橋臂直通風險，大幅提升了系統的可靠性和抗干擾能力。此外，通過DT引腳可靈活配置死區時間，搭配多檔UVLO閾值選擇，進一步提升系統設計的安全裕量與適配能力。
在性能方面，NSI6602Ux具備45ns傳播延時、5ns延遲匹配、4ns脈寬失真，處于行業領先水平。并支持±150kV/μs高CMTI，有效抑制共模干擾，避免延時波動，在復雜工況下仍可保持穩定運行。
靈活控制與接口兼容設計，降低系統復雜度與BOM成本
NSI6602Ux支持DIS/EN兩種使能邏輯配置，可靈活適配不同控制架構；輸入側支持2.8V~5.5V寬電壓供電，可直接兼容MCU、DSP，無需額外電平轉換電路。
通過減少外圍器件、簡化接口設計與控制邏輯，有效降低系統設計復雜度與BOM成本，同時提升整體方案的通用性與可擴展性。
NSI6602Ux產品特性：
5.7kVrms隔離耐壓，可驅動高壓SiC和IGBT
高CMTI：150kV/μs
輸入側電源電壓：2.8V~5.5V并支持欠壓2.35V保護
驅動側電源電壓：最高可達 32V
峰值拉灌電流：＋4A/-6A
驅動電源欠壓：8V/17V兩檔可選
支持輸入、輸出側電源監控上報RDY
可編程死區時間
支持使能邏輯控制
典型傳播延時：45ns
工作環境溫度：-40℃~125℃
符合面向汽車應用的AEC-Q100 標準
符合RoHS標準的封裝類型：SOW14/16，SOP16
通過UL、VDE、CQC等多項安全認證
NSI6602Ux典型應用電路
封裝與選型
納芯微NSI6602Ux系列現已全面量產，產品覆蓋多種隔離電壓等級、UVLO選項及封裝，可靈活適配不同應用場景。進一步咨詢NSI6602Ux產品，可郵件sales@novosns.com；更多產品信息、技術資料敬請訪問www.novosns.com。
NSI6602Ux系列選型表
