在1.4nm等級(jí)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)中，臺(tái)積電預(yù)計(jì)于2027年啟用其A14制程晶圓廠，而三星則將1.4nm量產(chǎn)目標(biāo)推遲到了2029年。與此同時(shí)，英特爾則預(yù)計(jì)于2027年推出具突破性的14A技術(shù)，并表示已有外部客戶排隊(duì)準(zhǔn)備采用，借此以重振其晶圓代工與制造業(yè)務(wù)。
根據(jù)韓國(guó)媒體ETNews報(bào)道，作為Intel 14A 的升級(jí)版，Intel 14A2 在架構(gòu)上有重大變革。原本英特爾計(jì)劃在基礎(chǔ)的1.4nm制程中應(yīng)用專注于背面供電網(wǎng)路（BSPDN）的PowerDirect 技術(shù)。但在后續(xù)的Intel 14A2 制程中，英特爾考慮導(dǎo)入結(jié)合正面與背面供電的“雙面架構(gòu)”。
此外，基礎(chǔ)Intel 14A 節(jié)點(diǎn)的M0 金屬層間距（pitch）為28nm，而Intel 14A2 會(huì)將間距進(jìn)一步微縮至21nm。這項(xiàng)微縮技術(shù)將通過雙重曝光等改進(jìn)來達(dá)成，進(jìn)一步帶來更高的晶體管密度（Intel 14A 預(yù)計(jì)已能提供30% 的密度提升，Intel 14A2 將更進(jìn)一步）。這樣雖然能提升High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）設(shè)備的使用率及單機(jī)獲利能力，但也伴隨著技術(shù)挑戰(zhàn)。
因?yàn)?1nm的間距會(huì)導(dǎo)致電阻增加，且納米硅通孔（nTSVs）的設(shè)計(jì)并無法負(fù)荷如此高的密度。為了解決此問題，英特爾預(yù)計(jì)將采用了復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，以背面供電（BSPDN）作為主要電源，同時(shí)將部分供電分配給正面金屬層。
展望未來市場(chǎng)，由于臺(tái)積電目前已涌入大量訂單，許多芯片設(shè)計(jì)商開始將目光轉(zhuǎn)向英特爾與三星等其他代工廠。盡管英特爾目前信心滿滿，但要真正贏得外部客戶的信任，英特爾仍必須透過Intel 18A-P、Intel 14A 以及備受矚目的Intel 14A2 等產(chǎn)品的良率保證，來證明其在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的制造實(shí)力。
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