7月27日，萬眾矚目的長鑫終于正式上市，中國DRAM的故事正式開啟。
眾所周知，DRAM前三是三星、SK海力士、美光。Omdia數據顯示，按銷售額計算2025 年全球DRAM市場三星電子、SK 海力士和美光科技市場份額分別為33.96%、34.48%和 23.41%，三家企業合計占據全球DRAM市場90%以上份額。除此之外，中國臺灣地區南亞科技、華邦電子、力積電等也有一定份額。
DRAM行業、人才壁壘高，長鑫的突破并不容易。近年來，除了長鑫，中國廠商的進展也飛速，不斷爭奪話語權。
這些公司都在做DRAM
長鑫此次上市有哪些技術值得關注，又有哪些國內廠商也在布局DRAM？
據Omdia數據，按照產能和出貨量統計，長鑫已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商，2025年第四季度，長鑫DRAM銷售額對應的全球市場份額已提升至7.67%。
長鑫的業務包括DDR系列、LPDDR系列等多元化產品布局，并可提供DRAM晶圓、DRAM芯片、DRAM模組等多樣化的產品方案，可以有效滿足服務器、移動設備、個人電腦、智能汽車等市場需求。2024年底以來，自有DDR4產品已停止生產，目前DDR5 產品并完成量產，性能達到國際先進水平；LPDDR4X、LPDDR5/5X已經得到很廣泛應用；DRAM模組包括RDIMM、MRDIMM、UDIMM/CUDIMM、SODIMM/CSODIMM、LPCAMM等。
招股書顯示，公司高度重視自主技術研發和創新，在DRAM產品設計、制造工藝、封裝測試、模組設計與應用等各業務環節構建了全面、完善的核心技術體系，主要核心技術已達到國際先進水平，并形成了豐富的自主知識產權。目前，公司已積累了廣泛的優質客戶資源，并與上下游合作伙伴共同構建了相互依存、共同發展的產業生態。
兆易創新也是存儲賽道的重要玩家，其產品包括NOR Flash、SLC NAND Flash、DRAM，所以這家公司一直非常備受關注。兆易創新作為一家Fabless公司，主要做利基型DRAM，產品覆蓋DDR3L/DDR4/LPDDR4等，主要應用于網絡通信、電視、機頂盒、智能家居、工業控制等領域。
年報顯示，2025年，DDR4 8Gb產品市場推廣進展順利，收入持續增長；LPDDR4產品也開始實現營收貢獻；2026年，將繼續推進DDR4 8Gb在電視、工業、電力及AI相關應用領域的客戶導入，加快LPDDR4產品量產，同時推進LPDDR5小容量產品研發。
值得注意的是，兆易創新控股子公司青耘科技也在持續推進定制化存儲業務布局，已完成核心團隊建設，并在AI手機、AIPC、機器人等新興領域實現重點客戶和項目突破。而在今年3月底，公司披露公告顯示擬在2026年度向長鑫采購代工生產DRAM產品，預計全年交易金額將達57.11億元。
東芯也主要圍繞利基型DRAM布局，覆蓋標準型DRAM和低功耗DRAM兩大系列，已實現 DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X、PSRAM等產品量產。其中，DDR3(L) 系列具備高帶寬、低延遲特點，主要應用于通信設備、移動終端等領域；LPDDR1/2/4X系列面向移動互聯網和物聯網場景，兼具低功耗和高速傳輸能力，最高時鐘頻率可達2133MHz，適用于智能終端、可穿戴設備等產品。
此外，東芯還提供MCP（多芯片封裝）存儲方案，將NAND Flash與DRAM集成于單一封裝，實現存儲與數據處理協同。具體來說，NAND MCP產品采用自主研發的低功耗1.8V SLC NAND Flash，并搭配LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X等DRAM產品，已通過紫光展銳、高通、聯發科等主流平臺認證，廣泛應用于功能手機、MIFI、通信模塊等領域。
紫光國芯的前身西安華芯半導體，源自浪潮集團2009年收購奇夢達科技（西安）有限公司后的布局。奇夢達原為英飛凌存儲器業務拆分而成立，是國內DRAM產業早期的重要技術來源之一。今年7月，紫光國芯遞表北交所。
紫光國芯擁有完善的傳統DRAM產品布局，構建DRAM全品類產品矩陣，包括DRAM晶圓、芯片和系統三大核心品類，產品包括SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR2、LPDDR4、LPDDR4x、PSRAM。此外，紫光國芯還自研了三維堆疊DRAM（SeDRAM），通過WoW晶圓級混合鍵合（Hybrid Bonding）與Mini-TSV互連技術，在去除傳統 PHY-PHY 互連及中介層（Interposer）同時，通過金屬層直連實現 DRAM 晶圓與邏輯晶圓的多層堆疊。
君正的下屬全資子公司ISSI在存儲器領域耕耘三十多年，DRAM產品開發主要針對具有較高技術壁壘的專業級應用領域，產品包括DDR、DDR2、LPDDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 等。
值得注意的是，君正報告中提及，基于20nm、18nm、16nm等工藝制程，公司持續推進 DRAM產品線相關技術與產品的研發，并持續進行了產品質量的提升和成本的優化，新制程的8Gb DDR4、8Gb LPDDR4、16Gb LPDDR4等產品陸續進入批量生產階段，同時繼續推進3D DRAM研發，包括算力SoC與存儲接口相關BaseDie部分的研發。
福建晉華也是備受關注的一家國產DRAM廠商，但發展過程中受到專利糾紛和出口管制影響。2017年，美光起訴福建晉華及聯電涉嫌侵犯存儲芯片技術；隨后，福建晉華被美國列入出口管制實體清單，美國司法部進一步提起商業機密相關訴訟，導致聯電退出項目，產業化進程一度受阻。
2024年2月，美國舊金山地區法院裁定福建晉華不存在經濟間諜行為，相關刑事指控均不成立。隨著法律影響消除，福建晉華逐步恢復生產。目前，福建晉華已經在2025年首次實現穩定盈利，主要生產DRR4/LPDDR4/HBM，也在不斷擴充晶圓產能，成為國產DRAM產業的重要力量。
市場上關于昇維旭的消息也非常多，也是崛起的新勢力。
看明白DRAM
可能有些對于DRAM這個概念存在一定疑問，接下來EEWorld用最簡單的人話來幫你復盤一下這項技術。
DRAM是RAM中的一種，RAM還有一種SRAM，“S”代表Static（靜態），“D”代表Dynamic（動態）。由于底層結構差異，DRAM追求的是“更大容量、更低成本”，而SRAM追求的是“更快速度、更低延遲”。
從結構看，DRAM采用的“1T1C”（一個晶體管+一個電容）存儲單元結構。每一個Bit Cell通過電容存儲電荷狀態，用“有電”和“無電”分別代表二進制中的1和0，而晶體管負責控制電容的數據讀寫。由于電容存在漏電問題，存儲信息會隨著時間推移逐漸衰減，因此DRAM需要周期性進行刷新操作，以重新補充電荷，保證數據不會丟失。這種需要動態維持數據狀態的特性，也正是“動態隨機存儲器”名稱的由來。
目前，DDR SDRAM（雙倍數據速率同步動態隨機存儲器）是主流系統內存方案，采用電容存儲數據，具備高集成度、低成本、較低延遲和低功耗等優勢。根據應用場景，JEDEC制定了三類主要DDR存儲標準：
標準DDR（DDR~DDR6）：服務器、PC、汽車等最常見的內存，優勢在于成本可控、容量較高，并支持ECC糾錯機制。DDR在時鐘信號的上升沿和下降沿處理數據技術實現了比SDRAM更高帶寬，DDR2和DDR3通過較高時鐘頻率達到更高數據帶寬，DDR4新增了CRC、CA parity、DBI、溫度補償刷新TCSE/TCAR等功能降低了功耗增強了信號完整性，DDR5在DIMM上添加了PMIC、引入on-die ECC同時改善了通道架構、工作電壓、內部結構，并從DDR5 6400時代開始正式引入時鐘驅動芯片（CKD）架構。
移動DDR（LPDDR~LPDDR6）：注重低功耗與能效優化，主要應用于手機、AI邊緣終端以及汽車ADAS系統等對功耗敏感的設備，相比標準DDR，LPDDR芯片通過減小存儲器與CPU之間的導線電阻和通道寬度實現低功率的運行，其中LPDDR5x以8.5Gbps速度和0.6V低電壓成為邊緣AI理想選擇。
圖形DDR（GDDR~GDDR7,HBM~HBM5）：針GDDR以高帶寬、低延遲、較低成本和大容量部署，成為AI計算中最平衡的解決方案，廣泛應用于GPU加速卡等場景，最新GDDR7采用PAM3編碼，相比NRZ，每兩個周期可傳輸3位數據，能效顯著提升，從而增強AI推理能力。HBM利用三維堆疊技術顯著提升帶寬與密度，通過2.5D/3D封裝將多層DRAM堆疊于邏輯芯片之上，從而降低處理器到內存的互連延遲和寄生電容。
HBM結構非常精巧，在HBM的中介層中，DRAM與處理器相連接，而中介層則會與基板相連接，最后將基板焊接在PCB上。在這樣的結構中，DRAM堆棧會使用多層堆棧的架構，從而提高內存帶寬、容量和能效。在非常多的晶片堆棧中，其中一些內存晶片會與處理器直接相連，從而獲得極快的傳輸速度；更重要的是，就拿HBM 3來說DRAM堆棧與SoC間就存在1024根線進行連接，上千條信號路徑遠遠超出了標準PCB所能支持的范圍，硅中介層則可類似集成電路，可以蝕刻出間距非常小的信號路徑，從而實現所需數量的信號線來滿足HBM接口的要求。
總的來說，三大主流DRAM正在滿足不同需求：HBM滿足數據中心高帶寬需求，GDDR服務于GPU密集型AI推理，DDR/LPDDR則在更廣泛的計算市場中扮演著核心角色。
分化的兩個市場
從目前市場端來看，DRAM可分為主流DRAM和利基型DRAM兩大類別：
主流DRAM：面向AI服務器、高端PC、旗艦移動終端等高性能場景，持續提升計算性能，技術發展圍繞先進制程、架構優化和先進封裝展開，重點提升速率、帶寬和存儲密度，主要產品包括8Gb以上DDR4及DDR5、HBM等新一代存儲產品；
利基型DRAM：主要服務于汽車電子、工業控制、IoT 等細分市場，更關注穩定性、兼容性和長期供貨能力，主要包括8Gb及以下DDR4、DDR3以及LPDDR4X等，技術路線側重成熟制程優化、場景化定制和低功耗設計。
所以，市場也要從多個方面去看：
高端市場，HBM無疑是重點的核心，也是當下討論最火熱的領域，正從HBM3E向HBM4、HBM4E演進，重點提升帶寬、堆疊層數和能效；DDR將向DDR5X、DDR6持續升級，預計DDR4將逐步退出主流市場；LPDDR6 標準已發布，將進一步提升AI終端和移動設備的性能與能效；
成熟利基市場，由性能競爭轉向場景適配，工業領域更關注寬溫、抗干擾和可靠性，車載領域強調長期生命周期和高可靠運行，物聯網領域則聚焦低功耗、小容量存儲需求，形成與高端市場互補的發展格局。
由此來看，國內許多廠商的立足點是利基市場，長鑫則不斷沖擊高端市場。當下，市場還非常關注WoW堆疊和2.5D封裝技術，成為HBM高端DDR的關鍵，3D DRAM也是當下極為關注的技術。
當然，需要注意的是，雖然說是分化高端市場和利基市場，但實際上，兩個技術難度都很高，并不是說利基市場就不難。
國產DRAM會是當前市場的救星嗎？
我們都知道內存一直在缺貨漲價，那么分化的兩個市場未來會怎么發展？
首先，在高端市場方面，Rambus此前向EEWorld分析，一季度供應鏈問題，尤其是 OSAT（封測）環節擾動，目前已基本解決。但隨著AI數據中心需求持續增長，供應鏈并未完全恢復寬松狀態，而是進入結構性偏緊階段。后端封測產能向東南亞轉移，加上AI需求快速增長，使整體交付周期有所拉長。
其次，在利基市場方面，華邦電子向EEWorld分析，嵌入式利基市場方面，中低容量DRAM需求依然存在，且不會快速轉向DDR5或LPDDR5。同時，傳統存儲大廠正轉向生產HBM、LPDDR5等高容量產品，短期內難以回歸中小容量市場。因此，對于嵌入式利基市場，今年乃至明年預計都將保持供應緊張的局面。
那么，問題來了，國內廠商是否改善當下狀況？答案的是肯定的，國內廠商成為新的供應鏈變量。首先，在高端市場上，長鑫等國內廠商開始不斷突破，其次，在利基市場，隨著三大廠商逐步減少DDR3、DDR4等成熟產品投入，利基市場出現供應缺口，國內廠商迎來新機遇。
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